安森美半導體推出新一代1200V碳化硅二級管
高能效和可靠性在電源應用中日益重要，尤其是為了使制造商能滿足更嚴格的國際標準。
安森美半導體新的650 V SUPERFETIII FAST 超級結MOSFET比市場上其他超級結MOSFET提供更好的開關性能，能效和系統可靠性更高。在快速增長的市場，包括5G、電動汽車充電樁、電信和服務器領域，對這些特性的要求很高。
安森美半導體的新一代1200 V碳化硅（SiC）二級管，符合車規AECQ101和工業級標準，是電動汽車充電樁及太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電動汽車車載充電器（OBC）及電動汽車DC-DC轉換器等高功率應用的理想選擇。
與硅方案相比，SiC二極管具有明顯的優勢，包括更高的可靠性、更低的電磁干擾（EMI）和更簡單的冷卻要求。新設計具有更小的芯片尺寸和更低的電容，較第一代SiC二極管有所改進。NVDSH20120C、NDSH20120C、NDSH50120C和NDSH50120C的正向壓降更低，額定電流增加4倍，變化率（di/dt）更高，達到3500 A/μs。更小的芯片尺寸也使F2封裝中的熱阻降低了20％。
原文標題：新一代SUPERFET MOSFET和SiC二極管
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