靈活的EPC2218增強模式氮化鎵功率晶體管
功率電子技術正朝向更高的功率密度、高快的開關速度、更小的器件體積這個趨勢發展，而傳統的硅基器件已經接近了物理性能的天花板，很難有大幅提升的空間，因此基于氮化鎵（GaN）等第三代寬禁帶半導體材料的新型器件成為研發的重點，相關的應用開發活動也十分活躍。
EPC新近推出的EPC2218增強模式氮化鎵功率晶體管（eGaN FET）就是在這個大趨勢下應運而生的一款性能優異的器件。
EPC2218是100V、60A和231A脈沖增強型GaN FET，該晶片的尺寸為3.5mm x 1.95mm，僅以鈍化芯片形式提供，帶有焊錫條。該器件的導通電阻僅有3.2mΩ，與前代eGaN FET相比降低了接近20%，顯著減少了功耗并提高了額定直流功率。
與硅基MOSFET相比，EPC2218的柵極電荷（QG）更小，并且沒有反向恢復電荷（QRR），因此可以實現更快的開關速度和更低的功耗。
EPC2218非常適合于48 VOUT同步整流、D類音頻、信息娛樂系統、DC/DC轉換器以及自動駕駛汽車、機器人和無人機的LiDAR的應用。
器件特性
更高的開關頻率：更低的開關損耗和更低的驅動功率
效率更高、傳導和開關損耗更低、反向恢復損耗為零
占板面積更小，功率更高
DC/DC轉換器
AC/DC和DC/DC的同步整流
激光雷達/脈沖功率
負載點 （POL） 轉換器
D類音頻
LED照明
責任編輯：haq
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關注
關注
77文章
9746瀏覽量
138911 -
FET
+關注
關注
3文章
637瀏覽量
63135 -
GaN
+關注
關注
19文章
1966瀏覽量
74241
原文標題：高速度、高功率、小尺寸、低功耗……這款GaN FET，堪稱氮化鎵功率器件典范！
文章出處：【微信號：德州儀器，微信公眾號：tisemi】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
氮化鎵充電器和普通充電器有啥區別？
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化
發表于 01-15 16:41
日本開發出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓
工藝的橫向晶體管相比，采用氮化鎵單晶構建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而，制造尺寸大于4英
應用指南導讀 | 優化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局
必須理解和管理PCB布局產生的寄生阻抗，確保電路正常、可靠地運行，并且不會引起不必要的電磁干擾（EMI）。《優化HVCoolGaN功率晶體管的PCB布局》應用指南，
供應SW1102集成氮化鎵直驅的準諧振模式反激控制IC
功能的谷底開啟模式開降低開關損耗, 在空載和輕載時，控
制器切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率；空載待機功耗小于 50mW。
SW1102 內置 6V 的驅動電壓，可直接用于驅動氮化鎵
發表于 11-04 08:58
晶體管的基本工作模式
晶體管作為電子電路中的核心元件，其基本工作模式對于理解其工作原理和應用至關重要。晶體管的工作模式主要可以分為兩大類：放大模式和開關
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區別
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規格書
電子發燒友網站提供《CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規格書.pdf》資料免費下載
發表于 09-04 11:27
?0次下載
晶體管的主要材料有哪些
晶體管的主要材料是半導體材料，這些材料在導電性能上介于導體和絕緣體之間，具有獨特的電子結構和性質，使得晶體管能夠實現對電流的有效控制。以下將詳細探討晶體管的主要材料，包括硅（Si）、鍺（Ge）、
GaN晶體管的應用場景有哪些
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高
GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同
GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而
GaN晶體管的基本結構和性能優勢
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構
氮化鎵（GaN）的最新技術進展
本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。
瑞薩電子氮化鎵場效應晶體管的優勢
氮化鎵場效應晶體管是當今電力電子領域的明星，它正在提高功率轉換效率、電機控制和功率密度，有效滿足當前的市場需求和趨勢。
晶體管功率繼電器的基本介紹
晶體管功率繼電器是一種利用晶體管作為開關元件的功率繼電器。它具有體積小、重量輕、響應速度快、壽命長等優點，廣泛應用于各種電子設備和系統中。 工作原理
為何及如何將氮化鎵場效應晶體管用于高效、高電壓、開關模式電源應用
密度是設計成功的關鍵。 為了滿足這些要求，開關模式電源系統的設計者需要從使用傳統的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉為使用其它器件，因為硅器件正在迅速接近其理論極限。
工商網監
評論