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CXL和OMI:競(jìng)爭(zhēng)還是互補(bǔ)?

芯片半導(dǎo)體 ? 來源:semiengineering ? 作者:芯片半導(dǎo)體 ? 2022-03-25 09:29 ? 次閱讀

系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員正在尋找所有他們能找到的增加內(nèi)存帶寬和容量的想法,專注于從內(nèi)存改進(jìn)到新型內(nèi)存的所有內(nèi)容。更高級(jí)別的體系結(jié)構(gòu)更改可以幫助滿足這兩種需求,即使內(nèi)存類型是從 CPU 中抽象出來的。

兩種新的協(xié)議正在幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),即CXL和OMI。但有一個(gè)迫在眉睫的問題是,它們是否會(huì)共存,或者一個(gè)是否會(huì)戰(zhàn)勝另一個(gè)。

“隨著處理器中CPU內(nèi)核數(shù)量的增長(zhǎng),人們普遍認(rèn)為希望為CPU內(nèi)核獲得更多的內(nèi)存帶寬和內(nèi)存容量,”Rambus數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁Mark Orthodoxou說?!叭藗円呀?jīng)沒有能力添加DRAM頻道了。

雖然這兩個(gè)新協(xié)議在概念上有一些高級(jí)的相似之處,但它們并不相同。但是,對(duì)于它們是否真的相互競(jìng)爭(zhēng),似乎存在很多困惑。甚至還存在廣泛的誤解,特別是關(guān)于OMI的誤解。

如今,每個(gè)人都專注于數(shù)據(jù),無論是不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)量還是如何最好地管理數(shù)據(jù)。

”金融服務(wù)希望為欺詐檢測(cè)添加更多數(shù)據(jù)源,以提供即時(shí)結(jié)果,“MemVerge的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Charles Fan說?!鄙缃幻襟w需要更多的數(shù)據(jù)源來分析用戶,但提供即時(shí)結(jié)果。電子商務(wù)零售商想要更多的數(shù)據(jù)源,但需要即時(shí)建議。芯片正在設(shè)計(jì)1萬億個(gè)晶體管,但它們需要與前幾代產(chǎn)品在同一時(shí)間周期內(nèi)進(jìn)入市場(chǎng)?;蚪M研究人員想要更多的細(xì)胞數(shù)據(jù),但他們希望縮短疫苗發(fā)現(xiàn)的時(shí)間。

所有這些都需要更多的內(nèi)存來為更多的計(jì)算提供服務(wù)。“在未來兩年內(nèi),需要增加一千倍的計(jì)算量和一百倍的內(nèi)存,”范說。

內(nèi)存和存儲(chǔ)

現(xiàn)代計(jì)算系統(tǒng)具有兩層內(nèi)存結(jié)構(gòu)。有工作內(nèi)存,它是處理器的本地內(nèi)存,用于快速訪問,它通常是某種形式的DRAM。然后是存儲(chǔ),一種內(nèi)存形式,它在邏輯上并且通常在物理上遠(yuǎn)離處理器。這通常是非易失性存儲(chǔ)器,如閃存甚至硬盤驅(qū)動(dòng)器。

這種安排反映了功能、成本和訪問的混合?!皟?nèi)存”往往是更快的技術(shù),盡管成本高于存儲(chǔ)技術(shù)。即使考慮到速度,它也不夠快,無法跟上現(xiàn)代處理器的步伐,這就是為什么處理器上的SRAM緩存對(duì)性能如此重要的原因。

“存儲(chǔ)”往往由非常高容量的存儲(chǔ)器組成,這些存儲(chǔ)器在每位基礎(chǔ)上非常便宜。但是它們的訪問時(shí)間可能比DRAM可以提供的時(shí)間慢幾個(gè)數(shù)量級(jí)。

在過去十年中,存儲(chǔ)類內(nèi)存的討論很多,它具有存儲(chǔ)的一些特征,但具有內(nèi)存的性能。MRAM,RMRAM和PCRAM是這種交叉類別的典型代表 - 在研究周期的早期還有其他想法。

將單一技術(shù)同時(shí)用于存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)的承諾是誘人的,但它將為芯片設(shè)計(jì)人員創(chuàng)建需要與存儲(chǔ)器接口IC帶來一些挑戰(zhàn)。大多數(shù)芯片都有用于DRAM的特定接口。如果您可以使用MRAM或RRAM,那么您將CPU連接到哪個(gè)接口?這些存儲(chǔ)器可能都具有不同的訪問協(xié)議。

存儲(chǔ)有不同的挑戰(zhàn),但內(nèi)存類型的激增造成了類似的困境。此外,存儲(chǔ)中的數(shù)據(jù)通常必須批量檢索才能實(shí)際使用。該復(fù)制操作需要時(shí)間并消耗能量。

這兩種情況都將受益于一種抽象出所使用的特定存儲(chǔ)器的細(xì)節(jié)的方法,這樣芯片設(shè)計(jì)人員以及在某種程度上的軟件開發(fā)人員都不必那么關(guān)心特定系統(tǒng)的存儲(chǔ)器細(xì)節(jié)。它還可能使軟件在不同系統(tǒng)之間更具可移植性,這在數(shù)據(jù)中心特別有價(jià)值。

如今,它需要更高級(jí)別的程序或系統(tǒng)來管理和構(gòu)建不同內(nèi)存和存儲(chǔ)資源的池。這種“大內(nèi)存”程序提供了一種增加內(nèi)存帶寬和容量的方法。

“圍繞大內(nèi)存計(jì)算的論點(diǎn)是,與其不斷努力使存儲(chǔ)越來越快,不如利用其他新硬件,并輔以正確的軟件集,”范說?!拔覀兛梢詷?gòu)建一個(gè)軟件定義的內(nèi)存池,該內(nèi)存池可以成為應(yīng)用程序需要處理的所有活動(dòng)數(shù)據(jù)的平臺(tái),從而減少或消除活動(dòng)應(yīng)用程序數(shù)據(jù)的內(nèi)存和存儲(chǔ)之間的數(shù)據(jù)傳輸。

CXL 和 OMI 協(xié)議都提供抽象,盡管級(jí)別較低。但作為新興的解決方案,很容易將兩者混淆。OMI在網(wǎng)上幾乎沒有大張旗鼓的方式,對(duì)它的認(rèn)識(shí)似乎低于對(duì)CXL的認(rèn)識(shí)。根據(jù)你和誰交談,他們做或不做同樣的事情,因此做或不互相競(jìng)爭(zhēng)。

CXL和/或OMI的出現(xiàn)并不一定影響大內(nèi)存管理系統(tǒng)的使用。相反,它使物理內(nèi)存連接更容易處理?!蔽覀円揽緾PU使用其接口/內(nèi)存管理器訪問內(nèi)存,因此我們的軟件與內(nèi)存互連無關(guān),包括CXL,OMI和DDR4 / 5,“Fan說。

CPU使用的近內(nèi)存和OMI

工作內(nèi)存需要快速。多年來,DRAM一直提供最佳的速度/成本組合,并且隨著技術(shù)的發(fā)展,DRAM似乎可能會(huì)繼續(xù)這樣做。即便如此,還是有辦法提高這種性能,但要付出代價(jià)。

DRAM的致命弱點(diǎn)是一組驅(qū)使記憶的長(zhǎng)線。它們的高電容使得很難繼續(xù)推動(dòng)更高的內(nèi)存速度并添加更多內(nèi)存。

兩種變體有所幫助。一個(gè)是RDIMM,其中地址和控制信號(hào)在芯片上緩沖。這加快了這些信號(hào)的速度,同時(shí)保留了數(shù)據(jù)信號(hào)。LRDIMM還通過緩沖數(shù)據(jù)更進(jìn)一步。這增加了延遲的時(shí)鐘周期,但加快了線路速度并允許更多內(nèi)存。

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圖1:RDIMM緩沖地址和控制信號(hào);LRDIMM 還緩沖數(shù)據(jù)信號(hào)。其目的是擁有更短,更少的電容線路和更快的訪問,但代價(jià)是額外的時(shí)鐘周期延遲。

但是用于訪問的端口需要許多引腳 - LRDIMM的每個(gè)通道152個(gè),Objective Analysis的Jim Handy在去年的Hot Interconnects會(huì)議上的一次演講中說。八個(gè)通道將花費(fèi)1,216個(gè)引腳。

”由于引腳數(shù)量非常大,因此驅(qū)動(dòng)這些引腳所需的面積很大,因?yàn)樗遣⑿薪涌冢癘rthodoxou說。

HBM 是另一種提供更高訪問速度的替代方案。雖然價(jià)格昂貴,但它提供了最高的帶寬。但它的總線是1000位寬。還有其他挑戰(zhàn),在關(guān)于OMI的白皮書中有所描述。

”雖然HBM是一個(gè)幫助,但它比標(biāo)準(zhǔn)DRAM貴得多,并且僅限于不超過12個(gè)芯片的堆棧,將其使用限制在低容量?jī)?nèi)存陣列上,“該論文說。”HBM 也很復(fù)雜和不靈活。在現(xiàn)場(chǎng)無法升級(jí)基于 HBM 的內(nèi)存。因此,HBM 內(nèi)存只在沒有其他解決方案可用的情況下才被采用。

OMI從OpenCAPI世界中出現(xiàn),為了延遲,OMI規(guī)范被分離出來。它旨在通過兩種方式解決這些近內(nèi)存挑戰(zhàn) - 遷移到SerDes,以及使用DIMM控制器。用于 OMI 通道的 DIMM 被稱為差分 DIMM 或 DDIMM。

SerDes連接將取代當(dāng)前的DDR式接口,以更少的信號(hào)提供更高的速度。控制器部分提供與LRDIMM上的寄存器相同的功能,在此過程中將總內(nèi)存延遲增加約4ns。

“OMI延遲包括通過內(nèi)存本身的延遲,這是從內(nèi)部連接到主機(jī)中的傳輸端口回到主機(jī)中接收的內(nèi)部連接的往返讀取延遲,”O(jiān)penCAPI聯(lián)盟的技術(shù)總監(jiān)兼董事會(huì)顧問Allan Cantle說。

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圖 2:LRDIMM 與 DDIMM 的比較。DDIMM左側(cè)的藍(lán)色框是控制器。延遲增加幾納秒。

此外,控制器還可以連接到許多不同類型的內(nèi)存。它充當(dāng)該內(nèi)存和處理器之間的橋梁。就處理器而言,所有內(nèi)存看起來都像 OMI,除此之外的細(xì)節(jié)都在 DDIMM 上處理。

這允許系統(tǒng)構(gòu)建商混合和匹配正在使用的內(nèi)存類型。每個(gè)通道都可以是其自己的內(nèi)存類型。事實(shí)上,只要控制器支持,單個(gè) DDIMM 就可以混合使用內(nèi)存。

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圖 3:混合內(nèi)存系統(tǒng)的概念示例,其中每個(gè)通道使用不同的內(nèi)存技術(shù)。

然而,目前還不清楚系統(tǒng)是否真的會(huì)以這種方式組成。有些人認(rèn)為,抽象的價(jià)值不在于創(chuàng)建異構(gòu)內(nèi)存池,而在于使具有一組接口的單個(gè) CPU 可以訪問由任何這些類型的內(nèi)存構(gòu)建的同構(gòu)池。

“近內(nèi)存將始終是同構(gòu)存儲(chǔ)器的更多選擇,而不需要抽象異構(gòu)存儲(chǔ)器類型,”西門子EDA驗(yàn)證IP產(chǎn)品經(jīng)理Gordon Allan說。

帶寬將高于標(biāo)準(zhǔn)DRAM接口,盡管HBM仍然會(huì)更快。也就是說,擁有更少的引腳意味著SoC上用于存儲(chǔ)器通道所需的硅將小得多,這使得OMI在帶寬/面積上與HBM更具競(jìng)爭(zhēng)力。由于接口占用空間較小,如果 OMI 可以使用的通道多于其他接口,則聚合帶寬可能會(huì)更高。

為了完全出現(xiàn)這種新范式,首先需要控制器芯片,然后需要DDIMM可用。這一進(jìn)程已經(jīng)開始,但還有很長(zhǎng)的路要走。即便如此,到目前為止,OMI的吸收速度一直很慢。

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圖 4:顯示控制器和多個(gè) DRAM 芯片的 DDIMM。還提供2U版本。資料來源:OpenCAPI Consortium

“我們沒有與客戶要求我們提供這項(xiàng)技術(shù),但對(duì)于OMI來說,現(xiàn)在還為時(shí)尚早,”艾倫說?!斑@是IBM和其他一些公司推廣的相對(duì)較新的進(jìn)入者。它仍然沒有在業(yè)界被廣泛采用,但肯定有很多人對(duì)它感興趣,因?yàn)樗暦Q要擴(kuò)展DDR的容量?jī)?yōu)勢(shì)和HBM的性能帶寬優(yōu)勢(shì)。但在這一點(diǎn)上,這仍然是一個(gè)大膽的,未經(jīng)證實(shí)的說法。

遠(yuǎn)內(nèi)存和CXL

遠(yuǎn)內(nèi)存的情況更為復(fù)雜。除了與特定類型的內(nèi)存相關(guān)的問題之外,頻繁需要復(fù)制大塊內(nèi)存也是一個(gè)重大問題,特別是對(duì)于機(jī)器學(xué)習(xí)等內(nèi)存或存儲(chǔ)密集型應(yīng)用程序,尤其是在數(shù)據(jù)中心。

這些是CXL解決的問題。”CXL 優(yōu)化和虛擬化數(shù)據(jù)傳輸、存儲(chǔ)和計(jì)算,“Synopsys 系統(tǒng)設(shè)計(jì)組工程總監(jiān) Levent Caglar 說。

這在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用程序中很有用?!盚PC領(lǐng)域由大量的計(jì)算結(jié)構(gòu)組成,“Cadence知識(shí)產(chǎn)權(quán)集團(tuán)產(chǎn)品營(yíng)銷集團(tuán)總監(jiān)Arif Khan說?!盋PU、GPU、加速器、FPGA 等都連接到不斷增長(zhǎng)的內(nèi)存池。CXL 滿足了異構(gòu)計(jì)算的需求,同時(shí)保持了緩存的一致性,并允許內(nèi)存的可擴(kuò)展性。

但它也很復(fù)雜?!拔覀冃枰紤]存儲(chǔ)的三個(gè)不同方面,”西門子EDA的Allan說?!笆紫仁枪仓锰幚砥骱蛢?nèi)存。在處理管道的另一端,我們有相干的內(nèi)存和存儲(chǔ)鏈接,其中數(shù)據(jù)必須與其他處理和通信元素共享。此外,我們還對(duì)數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)進(jìn)行了更大規(guī)模的搜索和檢索。CXL位于這些領(lǐng)域的第二和第三位。

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圖 5:CXL 控制器的框圖。CXL 功能依賴于 PCIe 進(jìn)行物理互連。

CXL在概念上類似于OMI,充當(dāng)允許處理器與內(nèi)存類型無關(guān)的橋梁?!睆南到y(tǒng)其余部分的角度來看,該內(nèi)存在邏輯上盡可能接近CPU,“Caglar說。

但CXL的職權(quán)范圍比OMI要廣泛得多,需要涵蓋的用例要多得多?!監(jiān)MI和CXL在它們?cè)噲D解決的近內(nèi)存問題方面非常相似,“Orthodoxou說?!彼麄兊牟煌幵谟贑XL試圖解決遠(yuǎn)內(nèi)存問題。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:CXL和OMI:競(jìng)爭(zhēng)還是互補(bǔ)?

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    發(fā)表于 04-22 07:50

    三星研發(fā)CXL混合存儲(chǔ)模組,實(shí)現(xiàn)閃存與CPU數(shù)據(jù)直傳

    據(jù)三星展示的圖片顯示,此模組可以通過CXL接口在閃存部分及CPU之間進(jìn)行I/O塊傳輸,也可以運(yùn)用DRAM緩存和CXL接口達(dá)到64字節(jié)的內(nèi)存I/O傳輸。
    的頭像 發(fā)表于 03-21 14:31 ?923次閱讀

    利用CXL技術(shù)重構(gòu)基于RDMA的內(nèi)存解耦合

    本文提出了一種基于RDMA和CXL的新型低延遲、高可擴(kuò)展性的內(nèi)存解耦合系統(tǒng)Rcmp。其顯著特點(diǎn)是通過CXL提高了基于RDMA系統(tǒng)的性能,并利用RDMA克服了CXL的距離限制。
    發(fā)表于 02-29 10:05 ?3589次閱讀
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