在各種不利因素尚未紓解前，DRAM現貨供應商仍面臨庫存積壓問題，月底到貨亦顯著影響價格走勢，工廠端補貨態度普遍并不積極，即便議價空間擴大，此策略仍無法彰顯任何效力，整體交易情況持續衰退。

NAND Flash市場整體動能停滯，買氣蕭條，多方因素造成供需雙方態度保守觀望，供應端資金鏈緊縮，紛紛主動釋出低價以求套現，工廠端則因終端需求不甚明朗，并未積極備貨，顆粒賣壓逐漸浮現，除了Kioxia/Micron特定高容量規格，仍受SSD需求拉抬，詢單表現相對穩定，但也仍持續受限于交期及價格偏高，雙方交集有限，而其余顆粒價格表現皆不理想，呈現疲軟滑落姿態。

長江存儲發布致態TiPlus5000 SSD

長江存儲今天推出了新款消費級固態硬盤產品致態TiPlus5000，該產品采用基于晶棧 2.0（Xtacking2.0）架構的長江存儲第三代三維閃存芯片，支持PCI-E 3.0 x4接口、NVMe 1.3協議，連續讀取速度高達3500 MB/s，最大容量能到2TB，大容量足容設計、持久的寫入壽命，給消費者帶來更多存儲選擇。

致態TiPlus5000有512GB、1TB、2TB三個容量可選，采用DRAMless設計，支持HMB、SLC Cache、智能溫控等技術，所有容量的連續讀取速度均可達到3500MB/s，寫入速度512GB是為2700MB/s，1TB的是3100MB/s，2TB的是3200MB/s，隨機性能方面，三個容量是4K隨機讀寫IOPS分別為235K/380K、465K/390K、550K/400K，耐久度則是每512GB 300TBW，質保期5年。

翠亨新區打造芯片行業集聚高地

4月8日，編號為G28-2021-0095的中山翠亨新區國有建設用地正式摘牌，莊嚴科技（廣東）有限公司以11.75億元，成功競得該商業項目用地。這是2022年翠亨新區推出的首宗公開出讓重大招商項目地塊，也是全市首個以產業項目準入標準加經濟、科技指標約束的商業用地項目。

莊嚴控股表示，競得用地后，集團將依托其自身在半導體芯片產業鏈的優勢和能力，引進和培育集成電路研發、設計及其上下游“專精特新”的科技企業，在翠亨新區打造芯片行業集聚高地。

從招標公告來看，該用地項目定位為“灣區芯城”

DDR5的五大技術升級

新一代內存DDR5已經問世，DDR5內存主要有以下五大技術升級

1、跑得快。從原來的“2133MHz”跨越式增長至“4800MHz”，最高可達到6400MHz，未來6400MHz也許將成為主流配置水平。

2、DRAM容量提升——容量更大

DDR5時代，單顆Die的容量上到64Gb的高度。可以這么說，DDR4時代容量上最高可達到32GB，這算是內存中的王者級別了，但是DDR5時代卻不一樣。

3、工作電壓更低——功耗更低、超頻更強：DDR5內存工作電壓值最低可以到1.1伏，實現了20%左右的降低。

4、On-die ECC下放——糾錯能力更強、運行更穩定。

5、雙32位尋址通道 單通道變雙通道——延遲更低、效率倍增

文章綜合全球半導體觀察、IT科技發燒友、超能網、中山網

編輯：黃飛