美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）正式發布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器、下一代游戲電競系統、500 W 太陽能微型逆變器、1.2 kW 數據中心 SMPS 和4 kW電機驅動。

氮化鎵是下一代功率半導體技術，運行速度比傳統硅快20倍，和傳統硅充電器相比，氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下，能實現3倍功率或3倍的充電速度。納微半導體下一代GaNSense技術集成了對系統參數的實時、準確和快速感應，包括電流和溫度的感知，實現自主保護，和無損耗電流感應能力，實現了輕便小巧，快速，更高的功率。

45m?的NV6169 采用行業標準的、輕薄、低電感、8 x 8 mm PQFN 封裝，導通電阻降低 36%，功率提高 50%，用于高效率、高密度的電力系統。

納微半導體首席運營官，首席技術官兼聯合創始人 Dan Kinzer 指出：“超過五千萬顆納微氮化鎵功率芯片已交付給包括三星、戴爾、聯想和小米在內的各級客戶，與 GaN 相關的終端市場故障報告為零，GaNSense 技術能夠實時、準確地檢測電壓、電流和溫度，從而進一步提高整體系統性能。未受保護的‘分立’式氮化鎵或硅功率芯片無法與納微半導體的性能和可靠性相媲美，通過提供 NV6169，我們將業務范圍擴展到數據中心、太陽能和電動汽車等高功率應用，同時憑借前所未有的20 年有限質保承諾，以加速氮化鎵在性能要求更高的系統中的采用”。

NV6169 是最先進的納微第三代氮化鎵平臺中額定功率最高的功率芯片。采用 GaNSense 技術的 GaNFast 功率芯片具有行業首創，無損電流感應和最快的短路保護，實現“檢測到保護”的速度僅為 30ns，比分立解決方案快 6 倍。在電機驅動應用中，與IGBT 相比，氮化鎵功率芯片可節省高達 40% 的能源，消除 30 個外部組件，并將系統效率提高 8%。

與競爭解決方案不同，NV6169 額定工作電壓為 650V，額定峰值額定電壓為 800V，可在瞬態事件期間穩定工作。作為真正的集成功率芯片，GaN 柵極受到全面保護，整個器件的額定靜電放電 （ESD） 規格為業界領先的 2 kV。

NV6169 可在簽訂 NDA后立即提供給客戶，批量生產的交貨時間目前為 6 至 16 周。設計人員可以使用仿真模型 （PSPICE/LTSPICE/SiMetrix）、3D 封裝模型 （STP） 和應用說明 （AN-0016） 來優化下一代系統。