IBM已正式發布了2nm制程工藝的芯片，這次IBM在2nm制程的芯片上用了一種叫GAA（Gate All Around）環繞式柵極的技術。

相比之下，該芯片對GAA工藝的應用實踐，反而更具意義。

IBM這一創新或意味著先進制程芯片的架構從FinFET轉向GAA工藝的趨勢。這項技術最早是由三星先采用的，分為納米線和納米片結構，好處是能解決原先5nm工藝中遇到的漏電情況。

簡單來說，這項技術讓晶體管之間的密度更高，空間優化處理的更好，從而帶來更強的算力。與GAA相對應的是FinFET（鰭式場效應晶體管），FinFET是芯片從22nm逐步進軍7nm、5nm的關鍵工藝。

本質上，IBM的2nm并沒有突破物理極限，而是采用了新的GAA架構，雖然可以通過增大晶體管節點的密度，來提升芯片的性能，但是這種解決方案也不是萬能的，缺點也很明顯。

如果找不到新的突破口的話，最壞的結果就是整個芯片行業可能會停滯不前。如果按照這個思路繼續往下推導的話，IBM的2nm可能沒有想象中的那么好，往往理論并不能代表實際表現。

本文整合自：OFweek、Ai芯天下

責任編輯：符乾江