IBM宣布了一條可以轟炸整個科技圈的消息，成功研發出了全球首款2nm EUV工藝的半導體芯片。IBM表示，與臺積電的5nm相比，2nm芯片的晶體管密度幾乎是前者的兩倍，達到了333.33 MTr/mm2，即每平方毫米可容納3.3億個晶體管。

IBM的2nm工藝是什么技術？

5nm工藝推出之前，業界采用的是FinFET（鰭式場效應晶體管）結構，與傳統晶體管結構，只能在閘門一側控制電路連通與斷開不同，FinFET晶體管結構中的閘門類似魚鰭的叉狀，可以控制閘門兩側電路的連通和斷開，進一步減少了漏電的幾率，同時，大幅縮短了晶體管的柵長。講得通俗易懂點，就是傳統的FET（場效應管）屬于平面架構，只能控制一側的電路，而FinFET則是3D立體架構，可以同時控制兩側電路。

當工藝演進到5nm后，FinFET結構已經無法滿足晶體管所需的靜電控制，會出現嚴重的漏電問題。為此，三星率先采用了GAA（環繞式柵極）的晶體管結構，并對3nm制程工藝的芯片進行研發。不湊巧的是，IBM的2nm制程工藝也是同樣的GAA結構。不過，GAA晶體管結構又可分為納米線結構GAAFET和納米片結構MBCFET，而IBM采用的是納米片結構。

與納米線結構相比，納米片結構的接觸面積更大，但不利于片與片之間的刻蝕（通過化學或物理的方法去除硅片表面不需要的部分）和薄膜生長（集成電路在制造過程中需要在晶圓片表面生長數層材質不同、厚度不同的薄膜）。

需要注意的是，IBM的2nm已不再是指柵極長度（MOS管的最小溝道長度），而是等效成了芯片上晶體管節點密度。因此，這里的2nm只是一個命名代號，而非物理上的2nm。

本文整合自：雷科技、與非網

責任編輯：符乾江