衡阳派盒市场营销有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

FormFactor的RFgenius晶圓上S參數測量套件

芯睿科技 ? 來源:芯睿科技 ? 作者:芯睿科技 ? 2022-06-29 18:20 ? 次閱讀

推出RFgenius晶圓上S參數測量套件

FormFactor的RFgenius晶圓上S參數測量套件包括以實惠的價格實現精確測量所需的所有關鍵組件-從探測站到網絡分析儀,應有盡有。所有經過驗證并證明可以提供領先的性能測量。

我們的RFgenius晶圓上S參數測量包包括以合理的價格實現精確測量所需的所有關鍵組件 – 從探測站到網絡分析儀。所有這些都經過驗證并證明可提供領先的性能測量。這個入門級系統是大學和學校的完美,易于購買的選擇,實驗室空間最小。

RFgenius軟件包包括執(zhí)行高度精確測量的所有關鍵組件。不僅是探針臺,探針,定位器,電纜,校準基板和校準軟件,還有矢量網絡分析儀(VNA) – 業(yè)界首創(chuàng)。

該解決方案的性能范圍得到了進一步增強,遠遠超出了簡單的產品包。這些組件的完美集成,與先進的人體工程學設計和易于操作的控制相結合,確保了最佳的可用性和高度精確的測量。你得到:

  1. 150毫米手動探針臺:
    • RF卡盤+/-3μm表面平面度
    • 獨特的200μm壓板接觸/分離行程,精度小于或等于1μm,可重復接觸
    • 精準的探針對準
    • 一致的接觸力和超行程
    • 穩(wěn)定的接觸性能
  1. 是德科技VNA:
    • 寬頻率覆蓋范圍:4.5,6.5,9,14,20,26.5 GHz
    • 全2端口VNA
    • 小巧緊湊的外形
    • 所有可靠的Keysight VNA都具有相同的校準和計量功能
    • Keysight VNA的通用GUI
    • 能夠擴展端口數量
  1. 探頭和電纜:
    • 無限探頭– 最適合AI(Si)
    • ACP探針– 最適合AU(III-Vs)
    • | Z | 探測– 堅固的解決方案,使用壽命長
    • 精確接觸各種材料
    • 準確的測量結果和卓越的串擾特性
    • 包含了匹配的電纜和襯底
  1. 校準工具:
    • 獨有的 1、2、3 和 4 端口晶圓上校準算法
    • 自動化校準監(jiān)視
    • 獨特的測量和分析方法
    • 準確的S參數測量
    • 自動校準設置用于提高效率
    • 簡便快捷的數據解釋和報告

您將獲得這個完整的軟件包,以及可用的支持,安裝和培訓。無論您是進行關鍵測量還是只想學習如何進行晶圓上的S參數測量,我們都擁有所需的測試專業(yè)知識,可幫助您取得成功。

審核編輯:符乾江

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • S參數
    +關注

    關注

    2

    文章

    141

    瀏覽量

    46608
  • 晶圓測試
    +關注

    關注

    1

    文章

    34

    瀏覽量

    13539
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    特氟龍夾具的夾持方式,相比真空吸附方式,對測量 BOW 的影響

    在半導體制造領域,作為芯片的基礎母材,其質量把控的關鍵環(huán)節(jié)之一便是對 BOW(彎曲度)的精確測量。而在測量過程中,特氟龍夾具的
    的頭像 發(fā)表于 01-21 09:36 ?212次閱讀
    特氟龍夾具的<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>夾持方式,相比真空吸附方式,對<b class='flag-5'>測量</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> BOW 的影響

    不同的真空吸附方式,對測量 BOW 的影響

    在半導體產業(yè)蓬勃發(fā)展的當下,作為芯片制造的基礎材料,其質量把控貫穿整個生產流程。其中,的 BOW(彎曲度)測量精度對于確保后續(xù)工藝的
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:30 ?258次閱讀
    不同的真空吸附方式,對<b class='flag-5'>測量</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> BOW 的影響

    的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量 BOW/WARP 的影響

    在半導體制造領域,的加工精度和質量控制至關重要,其中對 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)的精確測量更是關鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案
    的頭像 發(fā)表于 01-09 17:00 ?303次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于<b class='flag-5'>測量</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> BOW/WARP 的影響

    背面涂敷工藝對的影響

    一、概述 背面涂敷工藝是在背面涂覆一層特定的材料,以滿足封裝過程中的各種需求。這種工藝不僅可以提高芯片的機械強度,還可以優(yōu)化散熱性能,確保芯片的穩(wěn)定性和可靠性。 二、材料選擇
    的頭像 發(fā)表于 12-19 09:54 ?358次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>背面涂敷工藝對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的影響

    的TTV,BOW,WARP,TIR是什么?

    ,指在其直徑范圍內的最大和最小厚度之間的差異。 測量方法:在未緊貼狀態(tài)下,測量
    的頭像 發(fā)表于 12-17 10:01 ?545次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的TTV,BOW,WARP,TIR是什么?

    提高SiC平整度的方法

    提高SiC(碳化硅)平整度是半導體制造中的一個重要環(huán)節(jié),以下是一些提高SiC平整度的方法: 一、測量與分析 平整度檢測:首先,使用
    的頭像 發(fā)表于 12-16 09:21 ?314次閱讀
    提高SiC<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>平整度的方法

    簡儀科技助力實現溫度的精準測量

    在半導體行業(yè),的制造、設計、加工、封裝等近千道工藝環(huán)節(jié)中,溫度始終貫穿其中。溫度的精密監(jiān)測對于確保的質量和最終產品的性能至關重要。微小的溫度波動可能對電路的穩(wěn)定性、可靠性以及功
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:57 ?276次閱讀
    簡儀科技助力實現<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>溫度的精準<b class='flag-5'>測量</b>

    如何測量表面金屬離子的濃度

    ??? 本文主要介紹如何測量表面金屬離子的濃度。??? 金屬離子濃度為什么要嚴格控制????? 金屬離子在電場作用下容易發(fā)生遷移。如Li?,Na?、K?等可遷移到柵氧化層,導致閾值電壓
    的頭像 發(fā)表于 11-26 10:58 ?229次閱讀
    如何<b class='flag-5'>測量</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>表面金屬離子的濃度

    深視智能SCI系列光譜共焦位移傳感器對射測量半導體厚度

    01項目背景作為半導體芯片的基礎載體,其厚度的精確控制直接影響到芯片的性能、可靠性和最終產品的成品率。通過準確的厚度測量,可以確保芯
    的頭像 發(fā)表于 11-12 01:08 ?216次閱讀
    深視智能SCI系列光譜共焦位移傳感器對射<b class='flag-5'>測量</b>半導體<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>厚度

    淺談影響分選良率的因素(2)

    制造良率部分討論的工藝變化會影響分選良率。在制造區(qū)域,通過抽樣檢查和測量技術檢測工藝變化。檢查抽樣的本質是并非所有變化和缺陷都被檢
    的頭像 發(fā)表于 10-09 09:45 ?622次閱讀
    淺談影響<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>分選良率的因素(2)

    碳化硅和硅的區(qū)別是什么

    以下是關于碳化硅和硅的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有比硅(Si)更高的熱導率、電子遷移率和擊穿電場。這使得碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?1849次閱讀

    表面特性和質量測量的幾個重要特性

    用于定義表面特性的 TTV、彎曲和翹曲術語通常在描述表面光潔度的質量時引用。首先定義以下術語以描述
    發(fā)表于 04-10 12:23 ?7918次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>表面特性和質量<b class='flag-5'>測量</b>的幾個重要特性

    系統和有什么區(qū)別

    系統(SoC)和在半導體行業(yè)和技術領域中各自扮演著不同的角色,它們之間存在明顯的區(qū)別。
    的頭像 發(fā)表于 03-28 15:05 ?588次閱讀

    的劃片工藝分析

    圓經過前道工序后芯片制備完成,還需要經過切割使的芯片分離下來,最后進行封裝。
    的頭像 發(fā)表于 03-17 14:36 ?2064次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的劃片工藝分析

    TC WAFER 測溫系統 儀表化溫度測量

    “TC WAFER 測溫系統”似乎是一種用于測量(半導體制造中的基礎材料)溫度的系統。在半導體制造過程中,
    的頭像 發(fā)表于 03-08 17:58 ?1156次閱讀
    TC WAFER   <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>測溫系統 儀表化<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>溫度<b class='flag-5'>測量</b>
    吉利百家乐官网的玩法技巧和规则 | 甘孜| 大发888备用网站| 百家乐英皇娱乐场开户注册| 现金百家乐伟易博| 百家乐官网游戏种类| 玩百家乐官网的玩法技巧和规则| 大发888怎么玩能赢| 盛大百家乐的玩法技巧和规则| 怎么玩百家乐网上赌博| 澳门百家乐官网赌博技巧| 百家乐官网投注技巧球讯网 | 澳门百家乐赌场娱乐网规则| 百家乐游戏技巧| 百家乐赢足球博彩皇冠| 网上百家乐赢钱公式| 网上百家乐官网娱乐平台| 百家乐官网赌博机玩法| 百家乐官网网页游戏网址| 真人百家乐免费开户送钱| 百家乐视频双扣| 任我赢百家乐自动投注分析系统| 百家乐书| 百家乐生活馆| 去澳门百家乐的玩法技巧和规则 | 凯斯网百家乐的玩法技巧和规则 | 百家乐赌博信息| 如何打百家乐的玩法技巧和规则 | 保时捷娱乐城可靠吗| 威尼斯人娱乐城注册送彩金| 威尼斯人娱乐场老品牌| 威尼斯人娱乐下载平台| 广州百家乐桌子| 百家乐技巧开户| 大发888娱乐方| 皇冠投注网址| 百家乐官网视频聊天游戏| 鲨鱼百家乐官网游戏平台| 赢家百家乐官网的玩法技巧和规则 | 德州扑克打法| 海王星线上娱乐|