上海12nm芯片量產計劃與美國有關系嗎？
在美國2020年實行的芯片限制政策之下，我國的半導體行業面臨著巨大的壓力，減小對美國芯片的依賴、抵抗美國的制裁，我國決定加快半導體行業的發展。
2021年初，上海市公布報告稱2021年將繼續加快芯片行業的發展，爭取在2021年實現12nm制程工藝的量產。而在2020年，我國芯片制造龍頭企業中芯國際就已經實現了12nm工藝的小規模試產。
2020年12月，中芯國際宣布試產第二代FinFET N+1芯片，該芯片的制程工藝將提升至12nm，各方面性能也有所提高，要知道在2020年初中芯國際才剛剛正式投產14nm生產線，一年內居然直接完成了從14nm向12nm邁進的舉措，這樣一來上海12nm工藝芯片的量產也不會是很困難的事了。
雖然美國主要是為了打壓中國半導體行業才出臺了多項政策，但是隨著美國對芯片限制的增大，受影響的不再只有中國，就連歐洲也被卷入了這場風波。
受到美國芯片限制政策的影響，歐洲方面決定在歐洲成立一個半導體聯盟來共同攻克半導體技術，據了解，歐洲的半導體聯盟將在未來兩到三年內投入共計1450億歐元到半導體技術研發當中去。
綜合整理自 科技在前方 虹國際 快科技
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
456文章
51180瀏覽量
427268 -
12nm
+關注
關注
0文章
33瀏覽量
8087
發布評論請先 登錄
相關推薦
臺積電4nm芯片量產
率和質量可媲美臺灣產區。 此外；臺積電還將在亞利桑那州二廠生產領先全球的2納米制程技術，預計生產時間是2028年。 臺積電4nm芯片量產標志著臺積電在美國市場的進一步拓展，也預示著全球
CES亮點：富瀚微發布AI眼鏡芯片MC6350
上海富瀚微電子在CES期間發布了智能眼鏡芯片MC6350。 據悉MC6350兼具超低功耗、超小尺寸及更優圖像效果三大優勢，?MC6350采用12nm低功耗工藝，而且是超小芯片尺寸；8*
驅動板和屏幕的面板類型有關系嗎
驅屏板和屏幕的面板類型有關系嗎？明思銳液晶屏方案商告訴你。沒有關系！驅屏板和屏幕的接口有關，和面板類型無關。 ? 屏幕面板類型包括oled、IPS、VA和TN，但這些都和顯示屏驅動板沒什么關系
臺積電美國廠預計2025年初量產4nm制程
臺積電在美國亞利桑那州的布局正逐步展開，其位于該地的一廠即將迎來重大進展。據悉，該廠將開始生產4nm制程芯片，并預計在2025年初正式實現量產。這一里程碑式的進展標志著臺積電在
Rapidus計劃建設1.4nm工藝第二晶圓廠
近日，日本先進芯片制造商Rapidus的社長小池淳義透露了一項重要計劃。據日媒報道，小池淳義在陪同日本經濟產業大臣武藤容治視察Rapidus正在北海道千歲市建設的2nm晶圓廠IIM-1時表示，若2
Rapidus計劃2027年量產2nm芯片
Rapidus，一家致力于半導體制造的先鋒企業，正緊鑼密鼓地推進其2027年量產2nm芯片的計劃。然而，這一雄心勃勃的目標背后，是高達5萬億日元（約合336億美元）的資金需求。
國內首款自主研發28nm顯示芯片量產
近日，國內半導體行業迎來重要里程碑，北京顯芯科技有限公司成功實現全球首款28納米內嵌RRAM（阻變存儲器）畫質調節芯片的量產。這款芯片不僅標志著我國在顯示類芯片領域達到了新的半導體工藝
三星將為DeepX量產5nm AI芯片DX-M1
人工智能半導體領域的創新者DeepX宣布，其第一代AI芯片DX-M1即將進入量產階段。這一里程碑式的進展得益于與三星電子代工設計公司Gaonchips的緊密合作。雙方已正式簽署量產合同，標志著DeepX的5
芯片晶體管的深度和寬度有關系嗎
一、引言 有關系。隨著集成電路技術的飛速發展，芯片晶體管作為電子設備的核心元件，其性能的優化和制造技術的提升成為了行業關注的焦點。在晶體管的眾多設計參數中，深度和寬度是兩個至關重要的因素。它們不僅
傳三星電子12nm級DRAM內存良率不足五成
近日，據韓國媒體報道，三星在其1b nm（即12nm級）DRAM內存生產過程中遇到了良率不足的挑戰。目前，該制程的良率仍低于業界一般目標的80%~90%，僅達到五成左右。為了應對這一局面，三星已在上月成立了專門的工作組，致力于迅速提升良率。
AMD計劃采用三星3nm GAA制程量產下一代芯片
在近日于比利時微電子研究中心（imec）舉辦的2024年全球技術論壇（ITF World 2024）上，AMD首席執行官蘇姿豐透露了公司的最新技術動向。她表示，AMD將采用先進的3nm GAA（Gate-All-Around）制程技術來量產其下一代
聯電攜手英特爾開發12nm制程平臺，預計2026年完成，2027年量產
今年初，聯電與英特爾宣布將攜手打造12nm FinFET制程平臺，以滿足移動設備、通信基礎設施及網絡市場的高速增長需求。
存內計算——助力實現28nm等效7nm功效
可重構芯片嘗試在芯片內布設可編程的計算資源，根據計算任務的數據流特點，動態構造出最適合的計算架構，國內團隊設計并在12nm工藝下制造的CGRA芯片，已經在標準測試集上實現了和7
三星電子澄清：3nm芯片并非更名2nm，下半年將量產
李時榮聲稱，“客戶對代工企業的產品競爭力與穩定供應有嚴格要求，而4nm工藝已步入成熟良率階段。我們正積極籌備后半年第二代3nm工藝及明年2nm工藝的量產，并積極與潛在客戶協商。”
臺積電熊本廠開幕 計劃年底量產
臺積電熊本廠開幕 計劃年底量產 臺積電熊本第一廠今天正式開幕，計劃到年底量產；預期總產能將達 40~50Kwpm 規模。 臺積電熊本第一廠將成為日本最先進的邏輯晶圓廠；
工商網監
評論