最近，臺(tái)積電和三星電子在2nm制程方面動(dòng)作不斷。

有新聞報(bào)道，日本將和美國(guó)合作，最早于2025年在日本啟動(dòng)2nm制程國(guó)內(nèi)制造基地。

同時(shí)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2024年年底和2025年進(jìn)行2nm制程的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，同時(shí)還透露，通過(guò)在中國(guó)臺(tái)灣、中國(guó)大陸和日本建設(shè)新晶圓廠或擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2025年，臺(tái)積電的成熟制程的產(chǎn)能將擴(kuò)大約50%。三星電子則同樣計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)2nm的量產(chǎn)。

臺(tái)積電表示相較于其N3E（3nm的低成本版）工藝，在相同功耗下，臺(tái)積電2nm工藝的性能將提升10~15%；而在相同性能下，臺(tái)積電2nm工藝的功耗將降低23~30%；晶體管密度僅提升了10%。

三星的計(jì)劃，3nm GAA工藝預(yù)計(jì)會(huì)在6月份就試驗(yàn)性量產(chǎn)，相比5nm工藝，該工藝的性能提升15%，功耗降低30%，芯片面積減少35%。

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編輯：黃飛