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NP3416EMR(20V N溝道增強模MOSFET)

batai ? 來源:batai ? 作者:batai ? 2022-07-18 17:16 ? 次閱讀

1.描述
NP3416EMR采用先進的溝槽技術提供出色的RDS(開啟)、低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V時工作。這個裝置適用于負載開關或PWM申請。

2.一般特征
* VDS=20V,ID=7A
RDS(ON)(典型值)=17.3 MΩ@VGS=2.5V
RDS(ON)(典型值)=13.6 mΩ@VGS=4.5 V
(1)高功率和電流處理能力
* 獲得無鉛產品
* 表面貼裝封裝
·ESD額定值:3500V HBM

3.應用程序
* PWM應用
* 負荷開關

4.包裝
SOT-23-3L

5.示意圖

pYYBAGLVJL-AeNJ5AADaQO5OBz0953.png


審核編輯 黃昊宇

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