功率MOSFET設計–功耗計算
功耗是傳導損耗和開關損耗的總和，傳導損耗也稱為靜態損耗。另一方面，開關損耗也稱為動態損耗。總MOSFET功率損耗為：
Pdiss = Pconduction +Pswitching
需要注意的是：當在不執行連續開關的電路中使用MOSFET時，也就是MOSFET常開或常閉，并非在PWM模式工作，此時僅考慮傳導損耗即可。
Pconduction = Idrain x Rdson x Idrain
其中Pconduction表示傳導損耗，Idrain表示是漏極電流，Rdson是漏極到源極的導通電阻。
Pswitching = Pgatecharge + PCoss + Ptrise_tfall
Pgatecharge = 0.5 X Qgtotal X Vgate X Fsw
Pcoss = 0.5 X Coss X Vdrain 2 X Fsw
Ptrise_tfall = 0.5 X (trise + tfall) X Idrain X Vgate X Fsw
其中：
Pswitching是開關損耗；
Pgatecharge是MOSFET導通期間的功率損耗；
PCoss –是由于輸出動態電容引起的功率損耗；
Ptrise_tfall –是由于MOSFET漏極電壓的上升和下降時間造成的功率損耗
Qgtotal –是規格書中給出的總柵極電荷
Vgate –是施加的柵源電壓
Fsw –是開關頻率
Coss –是輸出動態電容
Vdrain –是最大漏極電壓電平
trise –漏極電壓的上升時間
tfall –漏極電壓的下降時間
審核編輯：湯梓紅
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