Anker推出GaNPrime全氮化鎵系統與產品
7月26日，Anker與全球五大芯片制造商聯合舉辦2022年旗艦新產品發布大會，宣布了四項最新充電技術，發布了七項年度旗艦新產品，再次引領行業進入大功率充電器全氮化鎵系統的新時代。
Anker還演示了Anker-GaNPrime全GaN多端口快速充電系統，該系統以先進的GaN材料技術為全球核心，與三項核心技術合作，以提高系統級充電性能，在產品性能上取得重大突破，并重新定義GaN。
Anker GaNPrime全氮化鎵實現了更小的尺寸、更快的充電、更安全，并使日常快速充電更輕、更高效。采用全時配電技術，總充電時間最多可節省30分鐘。
“全氮化鎵”氮化鎵充電系列有七個新產品，包括四個充電器、兩個移動電源和一個插座，屬于“全氮化鎵”氮化鎵充電系列，進一步滿足消費者多樣化的充電需求。
綜合IT之家和消費電子整合
審核編輯：郭婷
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
456文章
51170瀏覽量
427241 -
充電器
+關注
關注
100文章
4149瀏覽量
115560 -
氮化鎵
+關注
關注
59文章
1646瀏覽量
116617
發布評論請先 登錄
相關推薦
氮化鎵充電器和普通充電器有啥區別？
相信最近關心手機行業的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現比較頻繁。特別是隨著小米發布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化
發表于 01-15 16:41
產品應用 | 東科AHB氮化鎵芯片助力安克150W超強性能快充
前言近期充電頭網拿到了知名品牌ANKER安克推出的一款超強性能氮化鎵充電器A2655，產品由蘋果獨家提供，現已上架蘋果商城。
英飛凌全新一代氮化鎵產品重磅發布，電壓覆蓋700V！
作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領了全球功率半導體產業革新，隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其
Power Integrations推出1700V氮化鎵開關IC， 為氮化鎵技術樹立新標桿
?-2系列單級、獨立調整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術制造而成，是業界首款1700V氮化鎵開關IC。1700V額定耐壓進一步提升了氮化鎵功率器
發表于 11-05 10:56
?375次閱讀
分立器件在45W氮化鎵快充產品中的應用
如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導體新材料得到廣泛應用，它們具有更高的導熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移速率等特點。氮化鎵熱穩定性好、飽和電流密度高、耐壓能力強大，
氮化鎵和砷化鎵哪個先進
景和技術需求。 氮化鎵（GaN）的優勢 高頻與高效率 ：氮化鎵具有高電子遷移率和低電阻率，使得它在高頻和高功率應用中表現出色。例如，在5G通信、雷達
氮化鎵和碳化硅哪個有優勢
的電子遷移率和較低的損耗，使其在高頻應用方面表現出色。這使得氮化鎵成為制造微波器件、功率放大器以及射頻IC等高頻電子設備的理想材料。 氮化鎵在5G通信
氮化鎵快充芯片U8722AH的主要特征
目前市場已推出多種快充技術方案。其中PD方案的出現，助力推動了快充產品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮
氮化鎵（GaN）的最新技術進展
本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。氮化
Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件
全球氮化鎵功率半導體行業的領軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統級封裝
Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件
（偉詮電子，TWSE：2436）今日宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦
AI的盡頭或是氮化鎵？2024年多家廠商氮化鎵產品亮相，1200V高壓沖進市場
電子發燒友網報道（文/劉靜）氮化鎵是最新的第三代半導體材料，最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成，2019年開啟在快充領域大規模商用。經過五六年的培育，氮化鎵的應用領
工商網監
評論