多年來，NEC CMOS 微控制器集成了各種 EMC 技術(shù)，雖然片上電容和倍頻時鐘發(fā)生器是有效的，但對PCB 的設(shè)計方面卻沒有任何措施，這里是首次闡述。進(jìn)一步講，應(yīng)用筆記僅著重于 PCB 設(shè)計技術(shù)，只有少數(shù) NEC EMC 的片上措施在這里列出，但這些都是有效 EMC 措施，并且都應(yīng)該在選擇階段考慮的。

EME 優(yōu)化退耦目標(biāo)是通過一個或更多的去耦電容提供一個最高所需高頻電流。高頻電流存放在片上的開關(guān)電路中環(huán)路越多和電容越低對其它供電電路影響較大。為優(yōu)化連接線路的阻抗，通常電容盡可能接近微控制器的供電引腳。 為減少電流環(huán)路輻射，應(yīng)當(dāng)減少環(huán)路面積。僅用 PCB 設(shè)計技術(shù)難以實現(xiàn)最大程度的改善。因此，我們的一貫對策是將部分去耦電容放到芯片內(nèi)部從而減少連接阻抗，并且適當(dāng)?shù)目紤]電流回路面積，這些片上電容太小以至不能提供整個芯片去耦，所以 PCB 上的電容仍是必要的，然而，對于較高的頻率范圍，它們可以很好地減少輻射。

測量結(jié)果如圖 4-1，對"同一"微控制器有無片上電容的結(jié)果作一下對比。紅色曲線呈現(xiàn)無電容情況下的輻射效果，而藍(lán)色曲線是帶有片上電容情況下的輻射效果，有電容時，在很寬的頻率范圍內(nèi)改善了約 15dB，不僅沒有增加芯片尺寸，而且也沒有增加額外的費用。

審核編輯：湯梓紅