臺積電將2024年獲高NA EUV光刻機 助于2nm工藝量產
最近，據報道，臺積電將于2024年收購下一代Asmail的最新極紫外光刻設備，為客戶開發相關基礎設施和架構解決方案。
據消息稱，臺積電可能會在2025年正式推出2nm工藝，而市場普遍樂觀地認為，臺積電的2nm工藝技術正在全面領先三星和英特爾。根據數據，臺積電的2nm工藝將采用GAAFET架構，在相同功耗下，該架構比臺積電3nm工藝快10%至15%，在相同能耗下低25%至30%。應用包括移動計算、高性能計算和完整的小芯片集成解決方案。
根據之前公布的信息，High NA EUV光刻設備的單價估計為4億美元（約28億元人民幣），是現有EUV光印設備的兩到三倍。據報道，這種新型EUV系統可以實現0.55數值孔徑，與之前配備0.33數值孔徑透鏡（TWINSCAN NXE:3400B和NXE:3400C）的EUV系統相比，精度將得到提高，并且可以實現更高分辨率的圖形。
預計N2工藝將于2024年底準備好進行風險生產，并將于2025年底進入大規模生產，客戶將于2026年收到首批芯片。
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審核編輯：郭婷
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