PMOS 電路

開啟PMOS，柵極電壓必須被拉< V B A T T 4.5V ，應該低于V L O A D

因而比較器的反相輸入端連接到 V B A T T

當電流正向時，輸出低電平，此時 V B A T T 端較高。

通過D3, D4, R4，實現“浮地”拓撲，可鉗位比較器的供電電壓，使其輸出不會超過MOS 管的最大柵源電壓V G S ( m a x ) 。

當電源反接或者電壓跌落，D4 可阻止C1 放電，于是允許比較器繼續工作一段時間，D4 能防止比較器，因電源反接被燒;

負載電壓 > 運放最大輸入電壓

如，5V 運放控制20V 電源，抬高運放的接地電壓，使輸入電壓位于極限范圍內。

給運放電源降壓不可行，共模輸入電壓會大幅超過運放的電源電壓，芯片損壞。

電源端電壓可能 > 負載電壓，或可能< 被拉起來的運放地電壓，因此反相端的鉗位二極管D2 不可去掉。

在電流正常的正向流動時，比較器的靜態電流經過D4 和R3 流動，D3 在過電壓時提供鉗位。

R4 的取值兼顧了兩個方面

1.要在正常狀態最小化R4 上的壓降，而在輸入過電壓時，又要能承受足夠的耗散功率。

2.當進入過電壓狀態時，R4 上看到的電壓是電池電壓減去齊納二極管D3 上的穩壓值。比較器的供電電壓是由D3 鉗位的，所以電池電壓的最大值取決于R4 上的耗散功率和MOS 管的最大漏源電壓V D S ( m a x )。

假設最大輸入電壓是24V，R4 上的耗散功率可由下式計算：

其中，

V R 4 ( M A X ) R4 上的最大電壓;

P R 4 ( M A X ) 是R4 的最大耗散功率;

如，使用最低兩倍的安全系數，R4 至少應該使用 ?W的額定規格。

R2作用：限制柵極瞬態峰值充電電流，必須使用低值電阻以滿足驅動MOS 管柵極電容的需要。

R3 作用：柵極下拉電阻(把柵極上拉到源極)，用于在比較器不工作，輸出高阻抗時保證MOS 管關斷。

V B A T T 如果低于比較器懸空的低電壓，比如電池反接時，R1 和D2 鉗位比較器的輸入端。

額外好處

當電池反接時，D2 和R1 把懸空的地電壓拉低到此時的負極電壓，為比較器提供電源回路，此時VCC 供電由C1 提供。

輸出鉗位二極管D5作用： 在無負載或輕載的場合“固定”輸出。

當負載電流小于反向電流閾值時，比較器可能會因為輸入失調電壓而開啟MOS 管，這個二極管提供足夠的反向泄露用來將MOS 管關閉。

如果有必要給比較器電路設置關閉功能，可以將一個三極管或者MOS 管放在R4 的接地端和地之間。

當比較器被關閉時，MOS 管(Q1)處于體二極管狀態。

審核編輯：湯梓紅