用碳化硅作襯底的功率器件與硅基功率器件相比較，其電氣性能更優(yōu)越，主要有以下幾個(gè)方面：

01、耐高壓

碳化硅擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度比硅高10倍以上，使碳化硅器件具有耐高壓性能，其性能明顯優(yōu)于相同規(guī)格的硅器件。

02、耐高溫

碳化硅相較硅具有較高熱導(dǎo)率使器件散熱更加方便且極限工作的溫度也更高。

耐高溫特性能夠在減少對(duì)于散熱系統(tǒng)影響的同時(shí)帶來(lái)功率密度顯著地提升，也能夠讓終端產(chǎn)品能夠更輕量、更小型化。

03、低能量損耗

碳化硅的電子漂移速率是硅的兩倍，使碳化硅器件導(dǎo)通電阻極低，導(dǎo)通損耗也較小；

在禁帶寬度方面，碳化硅是硅的三倍，這能使碳化硅器件的泄漏電流比硅器件顯著地減小，進(jìn)而減小了功率損耗；

碳化硅器件關(guān)斷時(shí)不會(huì)出現(xiàn)電流拖尾，開(kāi)關(guān)損耗較小，顯著提高了實(shí)際使用中開(kāi)關(guān)頻率。

PS：同規(guī)格的碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比，導(dǎo)通電阻下降到1/200、尺寸縮小到1/10；

同規(guī)格采用碳化硅基MOSFET逆變器與采用硅基IGBT逆變器比較，總能量損失在四分之一以內(nèi)。

也正因?yàn)樘蓟杵骷哂械囊陨蟽?yōu)越特性，它能夠滿足于電力電子技術(shù)在高溫，高功率，高壓，高頻以及抗輻射等苛刻工況下提出的全新需求，從而成為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最具前景的材料之一。