三代半導體即寬禁帶半導體，以碳化硅和氮化鎵為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，切合節(jié)能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰(zhàn)略需求，是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網等產業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件，已成為全球半導體技術和產業(yè)競爭焦點。

GaN（氮化鎵）

氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可能性卻更大。業(yè)界認為，在未來數(shù)年間，氮化鎵功率器件的成本可望壓低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等價格。

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機車、工業(yè)電機等領域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

由于對高速、高溫和大功率半導體器件需求的不斷增長，使得半導體業(yè)重新考慮半導體所用設計和材料。隨著多種更快、更小計算器件的不斷涌現(xiàn)，硅材料已難以維持摩爾定律。由于氮化鎵材料所具有的獨特優(yōu)勢，如噪聲系數(shù)優(yōu)良、最大電流高、擊穿電壓高、振蕩頻率高等，為多種應用提供了獨特的選擇，如軍事、宇航和國防、汽車領域，以及工業(yè)、太陽能、發(fā)電和風力等高功率領域。

GaN/氮化鎵 - MGZ31N65

推薦一款來自臺灣美祿的GaN/氮化鎵 - MGZ31N65，該芯片常溫常壓下是纖鋅礦結構。是現(xiàn)今半導體照明中藍光發(fā)光二極管的核心材料。工業(yè)上采用MOCVD和HVPE設備來外延生長。

GaN半導體材料有二種基本結構:纖鋅礦(Wurtzite, WZ)和閃鋅礦(Zinc blende, ZB)。常溫常壓下惟有纖鋅礦結構為穩(wěn)定相。纖鋅礦結構由兩套六角密堆積子格子沿c軸方向平移3c/8套構而形成，所屬空間群為或P63mc。

GaN/氮化鎵 - MGZ31N65的特性：

650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V

非常低的QRR

減少交叉損失

符合RoHS標準和無鹵素要求的包裝

審核編輯：湯梓紅