鐵電存儲(chǔ)器稱FRAM或FeRAM，F(xiàn)RAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。

FRAM結(jié)構(gòu)圖

FRAM技術(shù)特點(diǎn)：

非易失性：斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，是非易失性存儲(chǔ)器；

讀寫速度快：無延時(shí)寫入數(shù)據(jù)，可覆蓋寫入；

壽命長(zhǎng)：可重復(fù)讀寫，重復(fù)次數(shù)可達(dá)到萬億次，耐久性強(qiáng)，使用壽命長(zhǎng)；

功耗低：待機(jī)電流低，無需后備電池，無需采用充電泵電路；

可靠性高：兼容CMOS工藝，工作溫度范圍寬，可靠性高。

FRAM產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

審核編輯 黃昊宇