隨著用于半導體制造的光刻系統(tǒng)變得越來越復雜，組件供應商需要能夠提供最高質(zhì)量的產(chǎn)品以滿足芯片生產(chǎn)當前和未來的需求。基于深度內(nèi)部研發(fā)，由高性能SiSiC制成，作為輕質(zhì)碳化硅陶瓷基板，實現(xiàn)了材料特性的最佳平衡，有助于提高芯片質(zhì)量。

由碳化硅和特定數(shù)量的金屬硅制成的SiSiC（硅滲透碳化硅）板，它們構成了靜電吸盤的基礎。這些晶圓卡盤用于芯片生產(chǎn)的半導體機械中，以在機器中精確定位硅晶圓，利用靜電場在真空條件下夾持晶圓。碳化硅作為最硬的陶瓷材料，不僅提供了實現(xiàn)這一過程所需的剛度和絕對平坦度，而且還提供了出色的導熱性以及熱沖擊、耐磨性和耐腐蝕性。

一、在半導體機械中最佳使用的材料成分關鍵

在生產(chǎn)這些板時，平衡對高度均勻和精煉材料的需求，同時保持盡可能高的導電性是一個挑戰(zhàn)。該材料盡可能均勻，這意味著導電游離子硅部分盡可能均勻地分布在微結構中，同時保持最佳導電性。

這使得碳化硅表面的高精度微結構化成為可能，并最終更準確地處理硅晶片，這對芯片質(zhì)量和可獲得的芯片結構有直接影響。

二、最新制造工藝的元器件匹配需求

光刻是利用光在硅片上印刷微小的圖案，是大規(guī)模生產(chǎn)計算機芯片的基本步驟，新一代光刻機現(xiàn)在處于物理可能性的最前沿。

作為一個小而重要的組件，碳化硅陶瓷基板被納入計算機芯片制造商使用的高度先進的EUV（極紫外）光刻系統(tǒng)之前經(jīng)過了精加工工藝，這使得存儲芯片上的硅特征尺寸縮小到幾納米，并且未來的處理器，以滿足由5G、loT或自動駕駛應用驅動的不斷增長的需求。

有些客戶在碳化硅陶瓷基板上執(zhí)行這種添加定制圖案的精加工工藝，鑒于全球半導體制造設備市場的預期增長已經(jīng)體現(xiàn)在安裝的 EUV光刻系統(tǒng)數(shù)量不斷增加，因此半導體行業(yè)供應商可以從使用高質(zhì)量基礎材料來提高效率和生產(chǎn)力中受益。

審核編輯：湯梓紅