衡阳派盒市场营销有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

石英坩堝和石墨坩堝升級(jí)換代 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢(shì)助力我國(guó)單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效

科技新領(lǐng)軍 ? 來(lái)源:科技新領(lǐng)軍 ? 作者:科技新領(lǐng)軍 ? 2022-12-14 16:27 ? 次閱讀

石英坩堝和石墨坩堝升級(jí)換代 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢(shì)助力我國(guó)單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效

石英坩堝在單晶硅行業(yè)的應(yīng)用

目前,國(guó)內(nèi)拉制半導(dǎo)體單晶硅和拉制光伏單晶硅常用的是石英坩堝配合石墨坩堝同時(shí)進(jìn)行的,制造單晶硅所用的石英坩堝規(guī)格通常是18英寸-36英寸的,也有個(gè)別廠家使用40英寸及以上的太陽(yáng)能級(jí)石英坩堝或半導(dǎo)體級(jí)石英坩堝。

當(dāng)前國(guó)內(nèi)石英坩堝生產(chǎn)大廠的坩堝生產(chǎn)技術(shù)都比較成熟,大多采用電弧熔制法配合旋轉(zhuǎn)塑模法制作拉制單晶硅棒的石英坩堝,該方法是利用旋轉(zhuǎn)帶來(lái)的離心力使高純石英砂在潔凈環(huán)境中堆積于具有坩堝形狀模具的內(nèi)表面,再通過(guò)電弧放電加熱使堆積于內(nèi)表面的石英粉熔融、玻璃化,并最終成形為呈現(xiàn)半透明狀拉制單晶硅石英坩堝。生產(chǎn)拉制單晶硅石英坩堝具有內(nèi)外兩層結(jié)構(gòu),由于石英坩堝內(nèi)層影響最終的單晶硅片質(zhì)量,所以一般采用進(jìn)口美國(guó)高純石英砂或挪威高純石英砂,石英坩堝外層主要用來(lái)散熱,所以使用國(guó)產(chǎn)石英砂通常就能滿足需求。

拉制單晶硅的石英坩堝的不足之處

由于經(jīng)涂層技術(shù)處理后石英坩堝僅能一次性使用,每拉制一爐單晶硅就需要更換一個(gè)石英坩堝。可以這么說(shuō),石英坩堝就是用來(lái)裝高溫狀態(tài)下硅原料的容器件,是光伏硅片和半導(dǎo)體硅片加工環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵耗材,也是硅片品質(zhì)的重要保障,所以說(shuō)石英坩堝是拉制單晶硅棒不可或缺的耗材和剛需。

當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)占據(jù)超過(guò)60%的單晶硅片需求量,但是近兩年由于新能源太陽(yáng)能光伏電池行業(yè)需求大爆發(fā),進(jìn)口高純石英砂和國(guó)產(chǎn)純石英砂在新能源太陽(yáng)能光伏電池行業(yè)需求推動(dòng)下,石英砂價(jià)格一路上行,進(jìn)口高純石英砂因?yàn)樵蠅艛喔窬郑瑑r(jià)格更是蹭蹭往上漲。據(jù)業(yè)內(nèi)資深人士透露,由于石英砂原料價(jià)格上漲,目前一個(gè)石英坩堝的價(jià)格在1.2萬(wàn)元左右,大約是去年同期的3倍還多。

pYYBAGOZh6-Af0efAAGPWmXao8E571.png

▲石英坩堝配合石墨坩堝同時(shí)應(yīng)用于拉制單晶硅棒

受進(jìn)口高純石英砂原料壟斷格局的影響,石英坩堝不僅價(jià)格高而且質(zhì)脆易破,在使用溫度下易軟化,需配合石墨坩堝同時(shí)使用,這種石英坩堝+石墨坩堝方式廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能和半導(dǎo)體領(lǐng)域拉制大直徑單晶硅棒的生產(chǎn)工藝中,石英坩堝+石墨坩堝方式支持高溫條件下連續(xù)拉制大直徑單晶硅棒的生產(chǎn)工藝不僅造成資源浪費(fèi),增加回收成本,同時(shí)增加了單晶硅的生產(chǎn)成本,不利于單晶硅氧含量的降低和太陽(yáng)能光伏電池的轉(zhuǎn)化效率的提升。

尋找新的材料,開(kāi)發(fā)節(jié)能降耗的坩堝,以降低單晶硅生產(chǎn)成本、提高單晶硅片的品質(zhì)與電池的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)前太陽(yáng)能光伏行業(yè)和半導(dǎo)體單晶硅片行業(yè)內(nèi)研究和產(chǎn)業(yè)化關(guān)注的重點(diǎn)。

氮化硅坩堝是拉制單晶硅棒或熔煉多晶硅錠中使用的石英坩堝升級(jí)迭代產(chǎn)品

在單晶硅或多晶硅鑄造過(guò)程中,影響多晶硅錠或單晶硅棒質(zhì)量主要是雜質(zhì),雜質(zhì)的一個(gè)主要來(lái)源是熔煉多晶硅錠或拉制單晶硅棒中使用的石英坩堝,液態(tài)硅在高溫下嚴(yán)重侵蝕石英坩堝,其反應(yīng)方程式如下:

Si+SIO2→2SiO

部分SiO從硅熔體表面揮發(fā),部分SiO在硅熔體中分解,其反應(yīng)方程式如下:

SiO→Si+O

石英分解的氧便進(jìn)入熔體中,最終引入硅晶體,石英分解的氧成為影響多晶硅錠或單晶硅棒質(zhì)量的有害物質(zhì)。

在單晶硅或多晶硅鑄造過(guò)程中,熔煉多晶硅錠或拉制單晶硅棒中如果直接使用的氮化硅坩堝,則不存在石英坩堝此類情況。氮在硅晶體中不是一種重要雜質(zhì),在物理法多晶硅的生產(chǎn)過(guò)程中還有不少?gòu)S家是使用氮?dú)獗Wo(hù),由于氮氧復(fù)合體是淺能級(jí),且氮的固溶度很低,所以對(duì)單晶硅或多晶硅材料影響不大。

氮化硅是強(qiáng)共價(jià)化合物,化學(xué)性能穩(wěn)定,耐高溫性能及致密性好;氮化硅自擴(kuò)散系數(shù)低,抗雜質(zhì)擴(kuò)散和防水汽滲入透過(guò)能力強(qiáng);氮化硅具有良好的抗腐蝕、抗氧化、耐摩擦、自潤(rùn)滑等性能;氮化硅不與熔融硅Si發(fā)生反應(yīng),與Si硅熔液不粘連,具有優(yōu)異的抗侵蝕性和可脫離性。

目前單晶硅和多晶硅燒結(jié)工藝,是向石英坩堝內(nèi)表面噴涂一層高純氮化硅粉制成的漿料,其作用一是便于成品脫膜;二是提高制成品的透明度和色澤的一致性。

在導(dǎo)熱性能方面,拉制單晶硅的石英坩堝與無(wú)氧氮化硅坩堝顯然不在一個(gè)層級(jí)上。無(wú)氧氮化硅坩堝導(dǎo)熱系數(shù)最高幾十倍于石英坩堝,使用高純度高導(dǎo)熱無(wú)氧氮化硅坩堝替代石英坩堝,在拉制單晶硅時(shí)可以大幅壓縮熔硅時(shí)間和隨爐冷卻時(shí)間,不僅生產(chǎn)效率得以提高,而且用電量也得以減少,節(jié)省能源和生產(chǎn)運(yùn)行成本。

與石英坩堝相比,可重復(fù)使用的高純度高導(dǎo)熱無(wú)氧氮化硅坩堝還具有優(yōu)異高溫性能和抗熱震性,而優(yōu)異高溫性能和抗熱震性為實(shí)現(xiàn)連續(xù)拉晶投料提供了有效的性能保障,連續(xù)拉晶投料不僅可以實(shí)現(xiàn)縮短單晶硅制備時(shí)間周期,提高產(chǎn)量和生產(chǎn)效率,而且還避免了反復(fù)進(jìn)行熔硅、降溫開(kāi)爐等工序,也將使拉制單晶硅的用電量進(jìn)一步降低。

使用的氮化硅坩堝熔煉多晶硅錠或拉制單晶硅棒有如此多優(yōu)勢(shì),國(guó)內(nèi)已有廠家在熔煉多晶硅錠或拉制單晶硅棒的石英坩堝上使用氮化硅涂層,由此可以說(shuō),一步到位無(wú)需氮化硅涂層,可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝是熔煉多晶硅錠或拉制單晶硅棒中使用的石英坩堝升級(jí)迭代產(chǎn)品。

氮化硅坩堝與石英坩堝的物理性能指標(biāo)對(duì)比

poYBAGOZh6-AQ5CBAAC2uZ5rykc535.png

可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝助力我國(guó)單晶硅行業(yè)發(fā)展

威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司是一家專業(yè)從事Si?N?可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝、高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷基板、氮化硅微珠、氮化硅陶瓷球、氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件、氮化硅陶瓷磨介等系列氮化硅精密陶瓷材料的生產(chǎn)企業(yè)。

pYYBAGOZh7CAJpifAAji6xJqrCM600.png

▲威海圓環(huán)生產(chǎn)的可重復(fù)利用的高純度高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝

威海圓環(huán)為突破現(xiàn)有的氮化硅坩堝尺寸及熱導(dǎo)率,現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出可在太陽(yáng)能光伏新能源行業(yè)和集成電路芯片半導(dǎo)體領(lǐng)域重復(fù)利用的高純度高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝。威海圓環(huán)制備的高純度、高熱導(dǎo)氮化硅坩堝,可重復(fù)多次使用,避免了石英坩堝一次性使用造成的資源浪費(fèi),且其高熱導(dǎo)及耐高溫性能優(yōu)越,抗壓強(qiáng)度及抗折強(qiáng)度高可以替代石英坩堝+石墨坩堝的雙層作用,可降低單晶硅棒的氧含量,不僅提高太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率,而且對(duì)單晶硅性能起到積極作用,極大地提高硅晶圓產(chǎn)品產(chǎn)量、質(zhì)量和降低生產(chǎn)成本。

威海圓環(huán)制備的可重復(fù)多次使用的高純度、高熱導(dǎo)氮化硅坩堝可以實(shí)現(xiàn)與硅錠輕松脫落不粘硅,并能大幅提高單晶硅棒制成品的色澤的一致性和透明度。

威海圓環(huán)的無(wú)氧氮化硅坩堝可以制備出氧含量極低的高品質(zhì)單晶硅棒,可以完全克服由于石英坩堝中氧原子對(duì)單晶硅棒的氧施主效應(yīng)的缺陷,以及硼氧復(fù)合體存在所造成太陽(yáng)能光伏電池的光致衰減等固有缺點(diǎn)。

然而,目前燒結(jié)大尺寸氮化硅陶瓷坩堝需要大口徑和壓力的冷等靜壓機(jī)和爐體內(nèi)腔尺寸足夠大的氣氛氣壓燒結(jié)爐等各種成型方式大型專業(yè)設(shè)備。更大規(guī)格的坩堝需要更大腔體的燒結(jié)爐來(lái)燒結(jié)制成,特大型專業(yè)設(shè)備限制了大口徑大尺寸氮化硅陶瓷坩堝的生產(chǎn)和使用。因此,購(gòu)置和開(kāi)發(fā)出符合要求的特大尺寸的成型和燒結(jié)專業(yè)裝備是當(dāng)務(wù)之急。

威海圓環(huán)可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝可以按照用戶特殊要求定制。關(guān)于大尺寸、超大尺寸可重復(fù)利用的高純度高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝性能、規(guī)格、技術(shù)參數(shù),配套氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件等問(wèn)題——威海圓環(huán) 顏輝 l86O64ll446隨時(shí)歡迎各位同行、各位同仁交流探討!我們一起解決問(wèn)題,一起學(xué)習(xí)各種設(shè)備或大型工業(yè)裝置關(guān)鍵部件改進(jìn)新技術(shù)、新方法。隨時(shí)歡迎可重復(fù)利用的高純度高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝、配套耐磨損氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件、耐高溫氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件、耐高溫氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件、高硬度氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件加工定制,按用戶特殊要求定制。石英坩堝和石墨坩堝升級(jí)換代 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢(shì)助力我國(guó)單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效。

威海圓環(huán)多年來(lái)與國(guó)內(nèi)在精密陶瓷材料領(lǐng)域具有一定權(quán)威和建樹(shù)的高等院校和科研機(jī)構(gòu)建立了校企研發(fā)合作關(guān)系,擁有了一批多年從事研制、開(kāi)發(fā)的中高級(jí)技術(shù)人員和管理人員,使我們具有精湛的技術(shù)、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)態(tài)度、高度的敬業(yè)精神、高效的管理水平。威海圓環(huán)公司研發(fā)及生產(chǎn)測(cè)試團(tuán)隊(duì)具有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn),核心工程師擁有十余年的精密陶瓷技術(shù)積累和強(qiáng)大的應(yīng)用開(kāi)發(fā)能力。威海圓環(huán)始終致力于高性能及高可靠性氮化硅陶瓷設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)銷售,打造可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝生產(chǎn)領(lǐng)軍品牌,持續(xù)通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新為客戶及時(shí)提供高性價(jià)比的氮化硅陶瓷材料產(chǎn)品和服務(wù)。

石英坩堝和石墨坩堝升級(jí)換代 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢(shì)助力我國(guó)單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效(顏輝)

審核編輯黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27719

    瀏覽量

    222699
  • 單晶硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    191

    瀏覽量

    28368
  • 氮化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    73

    瀏覽量

    351
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    電源濾波器的升級(jí)換代對(duì)性能提升有多大空間?

    電源濾波器升級(jí)換代提升濾波效果、過(guò)載能力及智能化,適應(yīng)復(fù)雜電源環(huán)境,保障電子設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行,助力電子科技行業(yè)發(fā)展,未來(lái)將繼續(xù)優(yōu)化材料、結(jié)構(gòu),注重綠色設(shè)計(jì)。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 10:57 ?82次閱讀
    電源濾波器的<b class='flag-5'>升級(jí)換代</b>對(duì)性能提升有多大空間?

    國(guó)產(chǎn)替代新材料 | 先進(jìn)陶瓷材料

    國(guó)產(chǎn)化率約為40%。高端氮化硅陶瓷產(chǎn)品在一些關(guān)鍵性能指標(biāo)上與國(guó)外仍有差距,部分依賴進(jìn)口,但中低端產(chǎn)品已基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,國(guó)內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)工藝上不斷進(jìn)步,逐步
    的頭像 發(fā)表于 01-07 08:20 ?256次閱讀
    國(guó)產(chǎn)替代新材料 | 先進(jìn)<b class='flag-5'>陶瓷</b>材料

    芯片制造工藝:晶體生長(zhǎng)、成形

    1.晶體生長(zhǎng)基本流程下圖為從原材料到拋光晶圓的基本工藝流程:2.單晶硅的生長(zhǎng)從液態(tài)的熔融中生長(zhǎng)單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法(Czochralski)。半導(dǎo)體工業(yè)中超過(guò)90%的單晶硅
    的頭像 發(fā)表于 12-17 11:48 ?420次閱讀
    芯片制造工藝:晶體生長(zhǎng)、成形

    為什么晶圓是圓的?芯片是方的?

    )上旋轉(zhuǎn)生長(zhǎng)出來(lái)的。多晶被融化后放入一個(gè)坩堝(QuartzCrucible)中,再將子晶放入坩堝中勻速轉(zhuǎn)動(dòng)并且向上拉,則熔融的會(huì)沿著子
    的頭像 發(fā)表于 12-16 17:28 ?276次閱讀
    為什么晶圓是圓的?芯片是方的?

    氮化硅薄膜的特性及制備方法

    氮化硅(Si?N?)薄膜是一種高性能介質(zhì)材料,在集成電路制造領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為非晶態(tài)絕緣體,氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅,還具備對(duì)移動(dòng)離子的強(qiáng)阻擋能力、結(jié)構(gòu)致密
    的頭像 發(fā)表于 11-29 10:44 ?632次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>薄膜的特性及制備方法

    氮化硅薄膜制備方法及用途

    一、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體,氮化硅薄膜的介電特性優(yōu)于二氧化硅,具有對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 11-24 09:33 ?690次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>薄膜制備方法及用途

    天水華天傳感器CYB系列單晶硅與無(wú)線壓力變送器產(chǎn)品介紹

    在現(xiàn)代工業(yè)和科技應(yīng)用中,單晶硅技術(shù)和無(wú)線壓力變送器技術(shù)的發(fā)展正扮演著至關(guān)重要的角色。單晶硅以其優(yōu)異的物理特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而備受關(guān)注。而無(wú)線壓力變送器則代表了壓力測(cè)量領(lǐng)域的創(chuàng)新進(jìn)展,為工業(yè)生產(chǎn)和智能化系統(tǒng)的發(fā)展提供了重要支持。
    的頭像 發(fā)表于 09-09 14:25 ?563次閱讀

    東芝 BiCD 單晶硅集成電路TB6560AHQ/AFG規(guī)格數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《東芝 BiCD 單晶硅集成電路TB6560AHQ/AFG規(guī)格數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 05-22 14:09 ?0次下載

    單晶硅片出貨前需通過(guò)哪些檢測(cè)指標(biāo)?

    單晶硅可以用于二極管級(jí)、整流器件級(jí)、電路級(jí)以及太陽(yáng)能電池級(jí)單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造,其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。
    的頭像 發(fā)表于 04-25 11:41 ?839次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>片出貨前需通過(guò)哪些檢測(cè)指標(biāo)?

    單晶硅的少子壽命是指什么?表面形態(tài)對(duì)單晶硅少子壽命有何影響?

    單晶硅的少子壽命是指非平衡少數(shù)載流子(電子或空穴)在半導(dǎo)體材料中從產(chǎn)生到消失(即通過(guò)復(fù)合過(guò)程失去)的平均時(shí)間。
    的頭像 發(fā)表于 04-19 16:11 ?3604次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>的少子壽命是指什么?表面形態(tài)對(duì)<b class='flag-5'>單晶硅</b>少子壽命有何影響?

    化硅氮化鎵的未來(lái)將怎樣共存

    在這個(gè)電子產(chǎn)品更新換代速度驚人的時(shí)代,半導(dǎo)體市場(chǎng)的前景無(wú)疑是光明的。新型功率半導(dǎo)體材料,比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)正成為
    的頭像 發(fā)表于 04-07 11:37 ?908次閱讀
    碳<b class='flag-5'>化硅</b>與<b class='flag-5'>氮化</b>鎵的未來(lái)將怎樣共存

    單晶硅電阻率的控制原理介紹

    本文介紹了摻雜其他元素的目的、分凝現(xiàn)象、電阻率與摻雜濃度之間的關(guān)系、共摻雜技術(shù)等知識(shí),解釋了單晶硅電阻率控制原理。
    的頭像 發(fā)表于 04-07 09:33 ?2121次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>電阻率的控制原理介紹

    石墨烯芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),引領(lǐng)我們告別時(shí)代?

    化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這些材料,在特定的應(yīng)用領(lǐng)域(如高頻、高功率電子器件)中展現(xiàn)出了比更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的領(lǐng)域,提供
    發(fā)表于 03-18 12:31 ?422次閱讀
    <b class='flag-5'>石墨</b>烯芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),引領(lǐng)我們告別<b class='flag-5'>硅</b>時(shí)代?

    單晶硅壓力變送器和擴(kuò)散的區(qū)別

    在現(xiàn)代工業(yè)控制領(lǐng)域中,傳感器作為感知的核心元件,其性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。而單晶硅和擴(kuò)散壓力變送器作為壓力測(cè)量領(lǐng)域的兩大主流。更是受到越來(lái)越多企業(yè)、工程師的青睞。那么今天浙江
    的頭像 發(fā)表于 03-15 11:53 ?1157次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>壓力變送器和擴(kuò)散<b class='flag-5'>硅</b>的區(qū)別

    晶體制備技術(shù):碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑

    液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器,通過(guò)在熔融純中加入助溶劑,提高其對(duì)碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域,碳溶解于熔融
    發(fā)表于 02-20 14:29 ?862次閱讀
    晶體制備技術(shù):碳<b class='flag-5'>化硅</b>襯底成本降低的關(guān)鍵路徑
    德州扑克辅助软件| CEO百家乐官网现金网| 云鼎娱乐场| 德州扑克发牌| 全讯网报码| 百家乐如何赚洗码| 百佬汇百家乐的玩法技巧和规则 | 宜昌市| 博彩网导航| 凯斯娱乐城| 凯斯线上娱乐| bet365备用网| 六合彩官方| 抚顺棋牌网| 德州扑克规则视频| 大发888黄金版| 大发888客户端de 软件| 大发888是什么软件| 大发888官方ylc8| 高额德州扑克第七季| 丹东亿酷棋牌下载| 网上娱乐城开户| 澳盈88娱乐城| 澳门赌场视频| 大发888娱乐场出纳| 澳门博彩网站| 六合彩现场开奖| 利博国际网址| 百家乐网页游戏| 夜总会百家乐官网的玩法技巧和规则| 喜力百家乐官网的玩法技巧和规则| 女优百家乐官网的玩法技巧和规则| 黄金城百家乐官网下载| 百家乐网站开户| 百家乐网上赌博| 澳门百家乐游戏皇冠网| 百家乐赌场方法| 真人百家乐赌场娱乐网规则| 钱柜百家乐的玩法技巧和规则| 大发888刮刮了下载| 冠通棋牌大厅下载|