衡阳派盒市场营销有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

NV SRAM模塊中的電池監(jiān)控

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-01-10 09:36 ? 次閱讀

作為本文的先決條件,建議回顧應(yīng)用筆記505“鋰紐扣電池:預(yù)測應(yīng)用壽命”,以更好地了解鋰紐扣電池的一般行為。

Maxim提供各種采用紐扣鋰電池產(chǎn)品。在某些應(yīng)用中,需要能夠監(jiān)控電池狀態(tài),以防止在電池接近其使用壽命時(shí)意外丟失數(shù)據(jù)。電池監(jiān)視是DS1330、DS1345和DS1350 NV SRAM PowerCap模塊不可或缺的功能。

此電池監(jiān)控功能還可用于我們的內(nèi)存產(chǎn)品參數(shù)搜索中的排序。

哪些應(yīng)用可能需要電池監(jiān)控?

在需要很長使用壽命的現(xiàn)場安裝中,或者環(huán)境可能會(huì)給備用電池系統(tǒng)的整體可靠性帶來一些不確定性的現(xiàn)場安裝中,定期檢查剩余電池容量的能力是有益的。

設(shè)計(jì)為“始終在線”的服務(wù)器或 RAID 應(yīng)用程序等安裝依靠 NV SRAM 在發(fā)生斷電時(shí)保留任務(wù)關(guān)鍵型數(shù)據(jù)。因此,在電源恢復(fù)后可靠和方便的系統(tǒng)恢復(fù)是基本必要條件,并且可能需要在系統(tǒng)架構(gòu)中增加一些額外的開銷。

電池監(jiān)控電路如何工作?

如應(yīng)用筆記505所述,必須了解鋰紐扣電池的幾個(gè)特性,才能準(zhǔn)確預(yù)測電池的使用壽命。由于鋰電池的電壓特性隨時(shí)間推移而具有扁平電壓特性,并且面對NV SRAM模塊在系統(tǒng)生命周期中可能暴露的環(huán)境變量,使用簡單的開路電壓(OCV)監(jiān)控不足以衡量電池剩余容量。

圖1顯示了紐扣鋰電池在固定100kΩ負(fù)載下觀察到的典型電壓特性。Maxim設(shè)計(jì)了一種電池監(jiān)測電路,利用鋰電池在已知負(fù)載下的特性來確定電池是否仍然是備用電池的可行電源。由于這種負(fù)載暴露還需要消耗少量的電池容量,因此在設(shè)計(jì)定義期間,這種暴露的頻率也是一個(gè)問題。

poYBAGO8wQKAJ5dpAAAryAKeUqQ731.gif?imgver=1

圖1.電池放電圖。

**出于圖表目的,選擇負(fù)載以加速電池放電。

上電時(shí),大約每24小時(shí),在電池端子上連接一個(gè)內(nèi)部1MΩ測試電阻一秒鐘,并對電池電壓進(jìn)行采樣。在那一秒鐘的時(shí)間段內(nèi),如果電池電壓(V.BAT) 低于工廠編程的電池警告跳變點(diǎn) (~2.6V),電池警告輸出 (%-overbar_pre%BW%-overbar_post%) 將被置位。(見圖2)一旦斷言,大約每 5 秒將執(zhí)行一次電池測試以檢測電池拆卸情況,%-overbar_pre%BW%-overbar_post% 將保持活動(dòng)狀態(tài),直到物理移除弱電池并更換為新電池。連接新電池后,第一個(gè)通過的測試結(jié)果將取消 %-overbar_pre%BW%-overbar_post% 輸出,測試間隔將返回到 24 小時(shí)。(請參閱圖 3。'%-overbar_pre_sentence%BW%-overbar_post% 是漏極開路輸出驅(qū)動(dòng)器

對于PowerCap產(chǎn)品,電池更換通常應(yīng)在系統(tǒng)電源打開時(shí)進(jìn)行,以免損壞內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)容。當(dāng) %-overbar_pre%BW%-overbar_post% 處于活動(dòng)狀態(tài)時(shí),不會(huì)禁止正常的內(nèi)存寫入/讀取操作,但無法保證在斷電期間保留數(shù)據(jù)。由于測試間隔為 5 秒,因此在安裝新電池之前,需要取出電池超過一個(gè)測試間隔,或大約 7 秒。

每次上電后都會(huì)重新測試電池,即使 %-overbar_pre% BW%-overbar_post% 在斷電時(shí)處于活動(dòng)狀態(tài)。

pYYBAGO8wQSAXj7QAABW0Uz_o_E605.gif?imgver=1

圖2.電池上電測試失敗(V.BAT= 2.55V)。

poYBAGO8wQWAH1OhAABUIr08vag881.gif?imgver=1

圖3.使用新電池(V.BAT= 3.15V)。

根據(jù)所用原電池的報(bào)廢電壓曲線特性,出現(xiàn)有效的%-overbar_pre%BW%-overbar_post%信號應(yīng)為用戶提供大約500小時(shí)(~3周)的電池即將發(fā)生故障的通知。

應(yīng)如何監(jiān)控電池警告輸出?

%-overbar_pre%BW%-overbar_post%輸出為漏極開路器件,需要VCC安裝一個(gè)外部上拉電阻(~3kΩ–10kΩ)才能實(shí)現(xiàn)邏輯1輸出狀態(tài)。置位時(shí),%-overbar_pre%BW%-overbar_post%引腳可吸收高達(dá)10mA的電流。建議將此引腳連接到用戶微處理器設(shè)備上的可用中斷或 I/O 輸入。由于電池監(jiān)控周期性,如果未直接連接到微處理器硬件中斷,則至少每 24 小時(shí)檢查一次 %-overbar_pre%BW%-overbar_post% 狀態(tài)。

觀察到電池警告時(shí)應(yīng)采取哪些糾正措施?

根據(jù)系統(tǒng)的不同,糾正措施的范圍可能從面板指示器的照明或向操作員發(fā)送警告消息到使用外部通信端口和預(yù)定錯(cuò)誤協(xié)議的自動(dòng)化服務(wù)調(diào)度功能等更精細(xì)的內(nèi)容。在任何情況下,多天預(yù)先警告的相對安全性應(yīng)允許用戶有足夠的反應(yīng)時(shí)間來執(zhí)行受控的電池更換程序,而不會(huì)丟失數(shù)據(jù)。

審核編輯:郭婷

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    184

    文章

    17841

    瀏覽量

    251822
  • 服務(wù)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    12

    文章

    9308

    瀏覽量

    86071
  • 電池
    +關(guān)注

    關(guān)注

    84

    文章

    10679

    瀏覽量

    131348
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    NV SRAM Frequently Asked Quest

    such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM
    發(fā)表于 04-24 09:40 ?14次下載

    新一代NV SRAM技術(shù)

    新一代NV SRAM技術(shù) 第一代NV SRAM模塊問世近20年來,NV
    發(fā)表于 11-26 08:24 ?1031次閱讀
    新一代<b class='flag-5'>NV</b> <b class='flag-5'>SRAM</b>技術(shù)

    Maxim為什么選擇設(shè)計(jì)單片NV SRAM模塊

    摘要:為了理解Maxim的單芯片模塊設(shè)計(jì)原則,首先需要知道電池備份存儲(chǔ)器的開發(fā)歷史。 開發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類似于IC的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品,利用低功耗
    發(fā)表于 04-23 10:17 ?613次閱讀

    Maxim為什么選擇設(shè)計(jì)單片NV SRAM模塊

    摘要:為了理解Maxim的單芯片模塊設(shè)計(jì)原則,首先需要知道電池備份存儲(chǔ)器的開發(fā)歷史。 開發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類似于IC的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品,利用低功耗
    發(fā)表于 04-24 09:13 ?535次閱讀

    DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

      DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SR
    發(fā)表于 10-21 09:06 ?1129次閱讀

    DS1330 256k非易失(NV) SRAM

      DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM
    發(fā)表于 10-22 09:00 ?1646次閱讀
    DS1330 256k非易失(<b class='flag-5'>NV</b>) <b class='flag-5'>SRAM</b>

    DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

      DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV
    發(fā)表于 11-10 09:31 ?841次閱讀
    DS1270W 16Mb非易失(<b class='flag-5'>NV</b>) <b class='flag-5'>SRAM</b>

    DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

      DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV
    發(fā)表于 11-24 09:43 ?969次閱讀
    DS1249W 2048kb非易失(<b class='flag-5'>NV</b>) <b class='flag-5'>SRAM</b>

    詳細(xì)介紹NV-SRAM電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)

    隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。 BBSRAM是什么? BBSRA
    發(fā)表于 12-22 16:05 ?2593次閱讀
    詳細(xì)介紹<b class='flag-5'>NV-SRAM</b>與<b class='flag-5'>電池</b>供電<b class='flag-5'>SRAM</b>(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)

    NV-SRAM與BBSRAM之間的比較

    隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
    發(fā)表于 01-25 19:50 ?2次下載
    <b class='flag-5'>NV-SRAM</b>與BBSRAM之間的比較

    NV-SRAM是什么,它的主要特征是什么

    NV-SRAM(非易失性 SRAM 或NVRAM)是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器,業(yè)界最快的 NV-SRAM,具有無限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失
    發(fā)表于 06-10 15:23 ?1071次閱讀

    NV SRAM 模塊電池監(jiān)控

    發(fā)表于 11-18 23:45 ?0次下載
    <b class='flag-5'>NV</b> <b class='flag-5'>SRAM</b> <b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>中</b>的<b class='flag-5'>電池</b><b class='flag-5'>監(jiān)控</b>

    電池備份NV SRAM和NOVRAMS之間的比較

    達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性(NVSRAM由內(nèi)部電池備份。市場上的其他一些NV存儲(chǔ)器,如NOVRAM,使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池
    的頭像 發(fā)表于 01-10 14:25 ?1462次閱讀
    <b class='flag-5'>電池</b>備份<b class='flag-5'>NV</b> <b class='flag-5'>SRAM</b>和NOVRAMS之間的比較

    如何用等效密度NV SRAM模塊替換DS1213智能插座

    DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命,可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品,客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 01-12 16:11 ?1136次閱讀
    如何用等效密度<b class='flag-5'>NV</b> <b class='flag-5'>SRAM</b><b class='flag-5'>模塊</b>替換DS1213智能插座

    為什么Maxim選擇設(shè)計(jì)單件NV SRAM模塊

    NV SRAM開發(fā)開始以來,其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術(shù),以及用于長期存儲(chǔ)器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源
    的頭像 發(fā)表于 03-02 14:40 ?621次閱讀
    网上娱乐城| 太阳城娱乐网| 现金百家乐| 百家乐官网机器二手| 澳门百家乐群代理| 大丰收百家乐官网的玩法技巧和规则 | 御金百家乐官网娱乐城| 博彩太阳城| 博发百家乐的玩法技巧和规则| 澳门百家乐官网官方网站破解百家乐官网技巧 | 闲和庄百家乐官网娱乐城| 百家乐官网好不好玩| 飞7棋牌游戏| 捷豹百家乐的玩法技巧和规则 | 真人百家乐官网澳门娱乐城 | 涂山百家乐的玩法技巧和规则| 百家乐官网麻将筹码币镭射贴膜| 百家乐官网庄家的胜率| 日博娱乐| 大发888娱乐城维护| 尊龙百家乐娱乐场开户注册| 百家乐官网规| 百家乐官网算牌皇冠网| 百家乐官网游戏机博彩正网| 足球博彩| 足球皇冠大全| 博乐娱乐城| 大发888赌场是干什么的| 正品百家乐玩法| 博天堂百家乐的玩法技巧和规则| 至尊百家乐2012| 百家乐手机投注| 百家乐官网游戏筹码| 邯郸百家乐官网园怎么样| 百家乐官网视频看不到| 龙口市| 中江县| 华亭县| 顶尖百家乐官网开户| 象棋赌博网| 金三角百家乐的玩法技巧和规则|