前言

作為Si功率元器件評估篇的第2波，將開始一系列有關Si功率元器件通過PSFB電路進行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。

近年來，對于服務器和車載充電器等的電源，要求其能夠處理更大功率的需求增加。這類大功率電源中大多采用全橋電路，尤其是相移全橋（Phase Shift Full Bridge，以下稱“PSFB”）電路，因其能夠在超結MOSFET（以下稱“SJ MOSFET”）和IGBT等開關元件導通時實現(xiàn)零電壓開關（Zero Voltage Switching，以下稱“ZVS”）工作，可以減少開關損耗，故可以處理更大的功率。

伴隨電源的大功率發(fā)展趨勢，提高效率成為很大的課題。通常，即使效率相同，較大功率電源其損耗本身也會較大，因此需要盡可能高的效率。

本系列文章將通過在PSFB電路中使用SJ MOSFET時的電路工作，來說明快速恢復型SJ MOSFET的必要性。此外，還會對具有不同反向恢復特性的SJ MOSFET的效率進行比較，并了解在PSFB電路中反向恢復特性的重要性。

PSFB電路的基本結構

首先來看PSFB電路的基本結構。如果能對這種基本結構有整體印象，將會更容易理解后續(xù)的電路工作相關的內(nèi)容。

為了實現(xiàn)PSFB的特點之一“ZVS”，會使用變壓器的漏感作為諧振電感，但是為了擴大ZVS的工作范圍，有時也可以與變壓器串聯(lián)添加電感器。在本文中給出的是使用了串聯(lián)添加電感器LS的電路示例。