相移全橋電路的功率轉換效率提升

針對本系列文章的主題——轉換效率，本文將會給出使用實際電源電路進行評估的結果。具體而言，本文對Q1～Q4的MOSFET使用導通電阻約0.2Ω的五種快速恢復型SJ MOSFET時的結果進行了比較。測試條件為輸入電壓_in=390V、輸出電壓V_out=12V、輸出電流I_out=10A～50A、開關頻率f_sw=100kHz。

如圖所示，結果顯示R6020JNX（紅色實線）在整個負載范圍內效率最高。R6020JNX是最新一代的PrestoMOS?，具有業內先進的高速t_rr和優化的寄生電容。

此外，與比較對象R6020FNX（相當于上一代產品）和其他MOSFET相比，柵極閾值電壓V_GS(th)更高，這會使誤導通導致的直通電流難以流過。通常，當V_GS(th)高時，導通損耗會增加，但在PSFB電路中，可以在輕負載時調整Dead Time，在重負載時利用ZVS技術，來減少各自的導通損耗，因此，弱化了高V_GS(th)帶來的劣勢。

從這些方面來看，可以說要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB電路的效率，選擇t_rr盡可能小、開關特性優異的SJ MOSFET很重要。