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TAB

膠帶自動粘合 （TAB） 是一種基于 IC 組裝技術(shù)，該技術(shù)基于在金屬化柔性聚合物膠帶上安裝和互連 IC。它基于蝕刻銅束引線的一端與IC的全自動鍵合，引線的另一端與傳統(tǒng)封裝或PWB的完全接合。TAB發(fā)明于1966年，由通用電氣研究實(shí)驗(yàn)室商業(yè)化。該技術(shù)旨在通過提供高度自動化的卷對卷“成組鍵合”技術(shù)來封裝大批量和低 I/O 設(shè)備，從而以更低的成本替代引線鍵合技術(shù)。TAB在1980年代得到了最廣泛的采用，直到表面貼裝技術(shù)（SMT）出現(xiàn)。

TAB的一些優(yōu)點(diǎn)包括：

• 能夠處理IC上的小鍵合焊盤和更細(xì)的間距
• 能夠在內(nèi)部和外部鍵合引線上執(zhí)行成組鍵合
• 消除大型導(dǎo)線環(huán)
• 薄封裝的薄型互連結(jié)構(gòu)
• 改進(jìn)熱管理的傳導(dǎo)傳熱
• 改善電氣性能（降低R，C和L）

TAB的一些缺點(diǎn)包括：

• 它基本上是一種外圍互連技術(shù)，芯片鍵合焊盤下沒有有源電路
• 封裝尺寸往往會隨著I / O數(shù)量的增加而增加
• 由于柔性電路，鍵合頭等的硬工具要求而導(dǎo)致工藝不靈活
• 相對較少的生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施
• 凸塊所需的額外晶圓加工步驟

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TAB流程

TAB技術(shù)在介電載體帶上使用光成像和蝕刻導(dǎo)體圖案。載體帶存儲在類似于電影膠片的卷軸上，寬度為 35、48 和 70 毫米。導(dǎo)體引線從外部測試點(diǎn)（通常間距為 0.05 mm）扇入，到間距為 0.15 至 0.5 mm 的外引線上，然后以 0.05 至 0.1 mm 間距引線鍵合。

導(dǎo)體由介電膠帶固定到位，內(nèi)鍵和外鍵引線延伸到膠帶中的窗口上。鍵合過程首先將內(nèi)部引線粘合到芯片上。在膠帶上操縱設(shè)備，直到內(nèi)部引線與芯片焊盤對齊，然后使用熱壓縮或熱超聲鍵合器，一次將引線全部粘合（成組鍵合）或單點(diǎn)鍵合。

一旦芯片粘合到膠帶上，就使用打孔工具對引線進(jìn)行電氣隔離。然后對隔離的芯片進(jìn)行測試，并在需要時燒入。然后將芯片從磁帶框架中取出，同時外引線形成最終的形狀。然后將芯片連接到下一級組件，并將外部引線粘合到電路走線上。外引線鍵合使用熱壓縮或熱超聲鍵合或焊接進(jìn)行。如果使用焊接，則使用熱電極（加熱鍵合頭/工具）與多排外引線中的一排接觸，同時提供足夠的熱量到電路板上的焊料。

**TAB互連的形成

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1） 首先對IC進(jìn)行凸塊，為圖a所示的內(nèi)引線鍵合提供必要的鍵合冶金，該凸塊的作用是：

1.1）充當(dāng)芯片和電路板帶之間的物理支架，以防止引線芯片短路并保護(hù)芯片的薄膜Al鍵合焊盤免受腐蝕和污染;

1.2）提供可變形的， 用于粘合過程的延展性緩沖液。

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2） TAB外引線鍵合（圖b）。此操作將與磁帶引線互連的芯片轉(zhuǎn)移到下一級封裝或 PWB。外引線鍵合可以使用成組鍵合或單點(diǎn)鍵合來實(shí)現(xiàn)。外引線鍵合有許多工藝可用，包括熱壓縮、熱壓、激光、超聲波等。