碳化硅二極管KN3D0210F

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產業鏈介紹

碳化硅二極管和碳化硅MOSFET都屬于碳化硅功率器件，屬于碳化硅電力電子器件，也就是我們現在說的第三代半導體，當然第三代半導體還包括氮化鎵功率器件。現在我們這里只談碳化硅功率器件中的碳化硅二極管和碳化硅MOSFET產業鏈說明。

碳化硅二極管和碳化硅MOSFET 碳化硅半導體 碳化硅功率器件

為什么現在碳化硅二極管和碳化硅MOSFET越來越得到重視和應用。不得不先講一下第三代半導體碳化硅原材料具備比第二代硅基半導體更多特性優勢。第一代半導體以單元素硅Si、鍺Ge為主，具備儲量高、易于提純、絕緣性能好等特點，在集成電路領域占據主導地位；第二代半導體以砷化鎵GaAs、磷化銦InP等化合物半導體為主，可用于制造高頻、高功率及光電子器件，廣泛應用于通訊領域；第三代半導體以碳化硅SiC、氮化鎵GaN等寬禁帶化合物半導體主，具備耐高溫、耐高壓、抗輻射等特點，適合應用于電力電子、微波射頻與光電等領域。第三代半導體碳化硅功率器件具備熱導率(W/cm-K)耐高溫；臨界擊穿場強(MV/cm)耐高壓；介電常數(C^2/(N*M^2))高功率密度；禁帶寬度(eV)更高效；電子飽和漂移速率(10^7 cm/s)高頻。

了解了以上，現在我們就能非常清晰介紹一下SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET是怎么制造出來的，也就能詮釋SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產業鏈介紹。

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠進過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經過外延生長就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅晶圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經過劃片封裝測試（后段工藝）就變成了我們現在使用的半導體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。

以上就是SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產業鏈介紹

審核編輯黃宇