MAXQ器件提供特殊的實用ROM功能，調(diào)用ROM功能從程序存儲器讀寫數(shù)據(jù)。但是，存儲在程序存儲器中的數(shù)據(jù)不能直接在MAXQ微控制器上訪問。相反，實用程序ROM函數(shù)的起始地址集成在IAR嵌入式工作臺中，以訪問存儲的數(shù)據(jù)。本應用筆記演示如何使用IAR嵌入式工作臺工具在MAXQ微控制器上分配和訪問閃存和SRAM存儲器。

介紹

MAXQ架構描述了一個基于經(jīng)典哈佛架構的強大單周期RISC微控制器，其中程序和數(shù)據(jù)存儲器總線是分開的。這種組織需要為每個存儲器提供專用總線（圖1），因此可以同時獲取指令和操作數(shù)。由于不存在對單個數(shù)據(jù)總線的爭用，MAXQ指令只能在一個周期內(nèi)執(zhí)行。

圖1.哈佛建筑。

每個MAXQ器件包含以下存儲器類型：

閃存

SRAM

實用ROM

MAXQ器件還可以從閃存、實用程序ROM或SRAM執(zhí)行程序代碼。從一個存儲器段執(zhí)行程序代碼時，其他兩個存儲器段可用作數(shù)據(jù)存儲器（有關更多詳細信息，請參閱從閃存執(zhí)行程序和執(zhí)行實用程序ROM功能部分。這是因為程序和數(shù)據(jù)存儲器總線不能同時訪問同一存儲器段。

作為哈佛的機器，人們可能會認為MAXQ微控制器禁止將數(shù)據(jù)元件存儲到非易失性閃存中。但是，MAXQ器件設計有內(nèi)置的實用程序ROM功能，允許在非易失性閃存中讀取和寫入數(shù)據(jù)。

從閃存執(zhí)行程序

在MAXQ器件中，當應用程序從閃存中執(zhí)行時，數(shù)據(jù)存儲器是SRAM（讀寫）和實用程序ROM（只讀）。從閃存執(zhí)行代碼時，請參閱表1了解數(shù)據(jù)存儲器映射，有關存儲器映射，請參閱圖2。

SRAM數(shù)據(jù)存儲器位于從地址0x0000到0x07FF（在字節(jié)尋址模式下）或從地址0x0000到0x03FF（在字尋址模式下）的存儲器映射中。

實用程序ROM位于從地址0x8000到0x9FFFh（字節(jié)模式）或從地址0x8000到0x8FFF（字尋址模式）的內(nèi)存映射中。

圖2.應用程序從閃存執(zhí)行代碼時的內(nèi)存映射。

執(zhí)行實用程序 ROM 函數(shù)

執(zhí)行實用程序ROM功能時，數(shù)據(jù)存儲器是SRAM（讀取和寫入）和閃存（讀取和寫入）。當應用程序從閃存執(zhí)行并在閃存中分配變量或數(shù)據(jù)對象時，可以通過實用程序ROM函數(shù)讀取或?qū)懭脒@些變量或數(shù)據(jù)對象。通過將程序執(zhí)行跳轉到實用程序ROM功能，現(xiàn)在可以將閃存作為數(shù)據(jù)進行訪問。從實用程序ROM執(zhí)行代碼時，請參閱表2以獲取數(shù)據(jù)存儲器映射，有關存儲器映射，請參閱圖3。

SRAM數(shù)據(jù)存儲器位于從地址0x0000到0x07FF（在字節(jié)尋址模式下）或從地址0x0000到0x03FF（在字尋址模式下）的存儲器映射中。

在字節(jié)尋址模式下，當CDA0 = 8000時，閃存的下半部分位于從地址0x0到0xFFFFh的內(nèi)存映射中，當CDA0 = 8000時，閃存的上半部分位于從地址0x0到1xFFFFh的內(nèi)存映射中。在字尋址模式下，閃存位于從地址0x8000到0xFFFF的存儲器映射中。

圖3.執(zhí)行實用程序 ROM 功能時的內(nèi)存映射。

閃存和SRAM中的內(nèi)存分配

IAR嵌入式工作臺IDE用于編程基于MAXQ內(nèi)核的微控制器。IAR? C編譯器（用于MAXQ微控制器）提供了在閃存或SRAM位置定義數(shù)據(jù)對象或變量的選項。編譯器具有特殊的關鍵字雜注位置和所需的雜注;通過使用這些關鍵字，可以將內(nèi)存分配給絕對地址處的數(shù)據(jù)對象或變量。這些變量或數(shù)據(jù)對象必須使用 IAR 關鍵字 __no_init 或 const（標準 C 關鍵字）聲明。請參閱下面所需__no_init、常量、雜注位置和所需程序的關鍵字說明。

關鍵字描述

雜注位置

#pragma location 關鍵字用于將單個全局或靜態(tài)變量或數(shù)據(jù)對象放置在絕對地址處。變量或數(shù)據(jù)對象必須聲明為 __no_init 或 const。這對于必須位于固定地址的單個數(shù)據(jù)對象非常有用，例如變量、具有外部或內(nèi)部接口的數(shù)據(jù)對象或填充硬件表。

需要編譯指示

所需的#pragma可確保鏈接輸出中包含另一個符號所需的符號。指令必須放在第二個符號之前。如果對符號的要求在應用程序中不可見，請使用該指令。例如，如果變量僅通過其所在的段間接引用，則必須使用必需#pragma。

__no_init

通常，IAR 運行時環(huán)境會在應用程序啟動時將所有全局變量和靜態(tài)變量初始化為 0。IAR C 編譯器支持使用 __no_init 類型修飾符聲明不會初始化的變量。使用 __no_init 聲明的變量在啟動時被禁止顯示。無法為__no_init對象指定初始值。

示例：__no_init字符馬克西姆查爾@0x0200;

在此示例中，聲明__no_init變量放置在默認數(shù)據(jù)存儲器 （SRAM） 中的絕對地址。

常量

const 關鍵字表示對象是只讀的。這種類型的限定符用于指示直接或通過指針訪問的數(shù)據(jù)對象是不可寫的。當 const 與關鍵字 #pragma 位置一起使用并且需要#pragma時，IAR 會在#pragma位置定義的位置分配內(nèi)存。這對于可從外部接口訪問的配置參數(shù)非常有用。此類閃存數(shù)據(jù)對象只能由實用程序ROM功能讀取或?qū)懭搿?/p>

放置在絕對地址的常量變量在 IAR 的默認內(nèi)存模型中不可訪問。使用選項“在 CODE 中放置常量”（在 IAR 項目選項“常規(guī)選項 目標”窗口中）使其可訪問，如圖 4 所示。

圖4.IAR 項目選項窗口。

例 1

const int FLASH_DATA0;

//FLASH_DATA0 初始化為 0x0000，鏈接器將分配內(nèi)存地址。

例 2

#pragma位置 = 0xA000

常量整數(shù) FLASH_DATA1 = 0x1234;

所需#pragma = 此處FLASH_DATA1

內(nèi)存在閃存地址 0xA000 處分配并初始化為 0x1234。

例 3

#pragma位置 = 0xA002

__no_init const int FLASH_DATA2 //內(nèi)存在地址0xA002（字節(jié)地址）

處分配#pragma所需的 = FLASH_DATA2

此處，內(nèi)存在閃存地址0xA002分配，無需初始化。

在上面的示例中，有三個 const 聲明的對象，其中第一個初始化為零，第二個初始化為特定值，第三個未初始化。所有三個變量都放置在閃存中。

審核編輯：郭婷