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開關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記

CHANBAEK ? 來源:erdong爫乂 ? 作者:陳工 ? 2023-03-20 14:26 ? 次閱讀

觀察點

為了仿真變換器加上補償網(wǎng)絡(luò)后的傳遞函數(shù),可以直接把環(huán)路在誤差電壓處斷開,以占空比信號為輸入,誤差電壓為輸出,進行交流分析。 所謂的斷開,其實可以與之前一樣,接入一個大電感和大電容即可。

wKgZomQX_EGAWI3kAAA2GwGPH8Y067.jpg

wKgaomQX_EGAXEtDAAAsAB-QLp0547.jpg

注意這里忽略了放大器引入的相移,因此相位從正的開始,相位裕度以與0°線的距離計算。 可見補償后的系統(tǒng)相位裕度抬高了。

頻域參數(shù)

當(dāng)輸出信號和控制信號之間的相位差減少為0°,則變成正反饋振蕩器。

交叉頻率處的輸出容抗可以近似表示閉環(huán)輸出阻抗,所以可以近似計算出輸出瞬態(tài)階躍電流作用下的輸出電壓脈沖

wKgZomQX_EGAFqXSAAAGOX89Gs8134.jpg

根據(jù)這個式子以及穩(wěn)態(tài)紋波需求,可以確定交叉頻率的取值。 不過對于有RHPZ的拓?fù)洌话憔椭苯舆x定為RHPZ所在頻點的30%,同時又應(yīng)該保證交叉頻率在LC諧振頻率的5倍以上,給設(shè)計帶來困擾。 對于沒有RHPZ的拓?fù)洌梢灾苯釉O(shè)定為開關(guān)頻率的20%以下。 脈沖峰值固然與上式有關(guān),不過恢復(fù)時間則由相位裕度決定。

構(gòu)建補償網(wǎng)絡(luò)

構(gòu)造零極點的知識均已知曉。 值得一提的有構(gòu)造RHPZ的方法,就是將原輸入信號與高通濾波器后的信號相減

wKgaomQX_EGAIzGiAAANOfWWY0w213.jpg

零點頻率即RC分之一。

wKgaomQX_EGAMDA9AAErtBdCA-M324.jpg

RHPZ是變換器間接能量傳輸?shù)慕Y(jié)果。 在CCM的Boost變換器中表現(xiàn)為,如果負(fù)載出現(xiàn)向上的階躍,造成占空比信號變大,即減小,即電感向負(fù)載供電流的周期減小。 但是電感電流不會馬上增大,而是以固定步長增加,這個過程中輸出電流可能會反而比原來更小,這就是RHPZ的影響。 如果系統(tǒng)響應(yīng)很快,那么在負(fù)載躍變瞬間,反饋環(huán)的占空比輸出會因為輸出電壓的反向減小而迅速增大到1,使變換器無法工作,這也是Boost變換器環(huán)路設(shè)計要降低交越頻率的原因。 一般選擇在最低RHPZ的1/3處。 DCM時變換器仍存在RHPZ,但其被推到高頻處,因此環(huán)路設(shè)計的困難相應(yīng)降低。

各個頻率響應(yīng)對應(yīng)的有源電路網(wǎng)絡(luò)依次示下:

積分器

wKgZomQX_EGAZuupAAF1WeWECMA794.jpg

零極點

wKgaomQX_EGAcRQ7AAEuQmzyqo8386.jpg

極點位置為

wKgaomQX_EGABRU9AAAJ8f2NxvU334.jpg

,零點位置為

wKgaomQX_EGAcniNAAAEEgf96qk623.jpg

,并且有積分器的效果。 這種補償網(wǎng)絡(luò)的特點是中頻部分存在一個固定增益區(qū),并且該區(qū)域的相位具有超前性質(zhì),相位的最大值出現(xiàn)在頻率為

wKgZomQX_EGAWyUMAAAFl5_wg50362.jpg

處。 用于電流模式和DCM。

零極點對a

wKgZomQX_EGAG2n-AAFNpi1Jgl4380.jpg

這是上面的特殊情況,即C12為0時,極點被排除,因此不存在高頻段的增益下降,相位也一直接近同相。 在無需考慮ESR零點的場合可以用這個簡化的補償器。

零極點對b

wKgZomQX_EGAZjN5AAFcv8Tg9tc877.jpg

這也是上面的特殊情況,令C11為無窮大,則變成一個原點處的零點,相當(dāng)于與積分器的效果相抵消,因此低頻至中頻都為固定增益。 明顯的缺點是直流增益太低,穩(wěn)態(tài)精度無法保證。

兩個零極點對

wKgZomQX_EGAI5T1AAFwTlhApu8745.jpg

傳遞函數(shù)為

wKgZomQX_EGAStLjAAARh6GURlk352.jpg

式中就可以看出零極點位置和直流增益。 比起單個的零極點對,兩個零極點對提供了更大的直流增益和更大的超前相角,因此是最完備的一種補償網(wǎng)絡(luò)。

注意,實際的運算放大器必定自身附帶一個低頻的極點,其本身的增益就隨頻率的增大而減小,所以實際設(shè)計時還需要根據(jù)具體的運放進行參數(shù)設(shè)計。

K因子

一種從變換器開環(huán)特性得到k因子等參數(shù)值后,直接推導(dǎo)各類型補償網(wǎng)絡(luò)組件參數(shù)的方法。

首先看各類型補償網(wǎng)絡(luò)需要考慮的補償參數(shù)。

積分器:極點在原點處,所以它只能通過平移增益曲線,改變系統(tǒng)的交叉頻率,并引入一個90°的相移。

零極點對:除了具有積分器的平移曲線的效果外,還引入了一個超前相位,某點引入的相位增加量計算為

wKgaomQX_EGAQ6QFAAANIBA8cYI029.jpg

因此在交叉頻率處,用k因子的方法可以令極點頻率為kf,零點頻率為k分之一f,則相位增加量

wKgaomQX_EGAG3UdAAAKKU4OdGc421.jpg

解出

wKgaomQX_EGAOZRWAAAJ8a-xpo8624.jpg

根據(jù)所需要的相位裕度和變換器本身的相移,加上積分器引入的90°相移來確定

wKgZomQX_EGAe0JIAAAG45H_DYU216.jpg

書中給出了不同k值下該補償器的響應(yīng),k=1時退化為積分器,隨著k增大,零極點距離增大,超前的相位增大,而直流增益減小。

雙零極點對:與上面相似,這里假設(shè)雙零點重疊,雙極點也重疊,那么令極點頻率為倍的f,則

wKgZomQX_EGAOmSCAAAL5f_h1wc301.jpg

解出

wKgZomQX_EGABAusAAAKucRys04527.jpg

接下來的式子和關(guān)系與上述一致。

K因子設(shè)計步驟

1、獲得變換器交流響應(yīng)。

wKgaomQX_EGAf5zFAAF_9I7gT_E354.jpg

用游標(biāo)看出交叉頻率為3kHz,相移149°。

2、選擇交叉頻率和裕度。

開關(guān)頻率為100kHz,而LC峰值頻率為

wKgaomQX_EGANW7uAAAe0LqQeQc072.jpg

如前所述應(yīng)該選取6k以上的交叉頻率,但是書中選取了5k,先按書中選取,后面再觀察不同。

若選取5k,先觀察變換器響應(yīng)中5k處的數(shù)據(jù),得到相移為-146°,增益為-9.2dB,期望的相位裕度為45°。

3、選擇補償器類型。

可見到變換器的響應(yīng)相位滯后達(dá)到180°,穩(wěn)妥起見可以選擇雙零極點對補償器,最高可以補償180°超前相位。

4、應(yīng)用公式計算組件。

運用上頁的公式,計算出k因子和元件參數(shù)

wKgZomQX_EGATk7iAAA1ee8sV9U389.jpg

順便可以計算出補償器提供的零點和極點頻率分別為1.8k和14k。

5、連接補償器后開環(huán)掃描。

wKgZomQX_EGAH5YKAAGXg0eMLic373.jpg

標(biāo)準(zhǔn)輸入并帶滿載情況下的開環(huán)響應(yīng),交叉頻率為5kHz,相位裕度為43°。 變化輸入電壓為20V,即圖中紅線所示,環(huán)路增益增加了1倍,即曲線被抬高了3dB,因此交叉頻率變?yōu)?.45kHz,相位裕度為44°。

6、變化ESR和負(fù)載檢查相位裕度。

以上測得是負(fù)載電阻為2.5Ω即電流為2A時的響應(yīng),若增大電阻至進入DCM模式,觀察補償器的功能是否受影響。 下圖看出,因為變換器在低頻處退化為一階系統(tǒng),低頻段增益減小,所以交叉頻率明顯降低,分別為613Hz和1kHz,相位裕度分別為39.5°和59.5°,在不同輸入電壓下的相位裕度相差更大了,即對輸入電壓更加敏感。

如果變化電容的ESR,道理相同,負(fù)載恢復(fù)滿載情況,若取值變?yōu)?00m時如下圖,交叉頻率變?yōu)?.83kHz和15.56kHz,相位裕度變?yōu)?4°和55°。 可見ESR的增大會使得其零點提前出現(xiàn),使得交叉頻率后移,并且提高中頻段的相位。

wKgaomQX_EGAMixeAAIF797dR6E783.jpg

負(fù)載為50Ω時 ESR為200m時

7、觀察瞬態(tài)響應(yīng)。

前面給出了一個近似估計電流上升階躍下,電壓響應(yīng)尖峰的計算式

wKgaomQX_EGAMQffAAAF4rdThpc195.jpg

如果作0.1A到2A的階躍,大致算出峰值為

wKgZomQX_EGAYpTzAAAM39H2Kz0712.jpg

即從5V下降到4.725V。 搭建仿真模型,用ABM+脈沖信號源實現(xiàn)負(fù)載切換,結(jié)果如下

wKgaomQX_EGAOS-WAAG8Dt4cTOE275.jpg

電壓跌落為4.713V,與計算值近似相等,誤差可能來自ESR等。 書中給出該式,只說明用來計算欠脈沖,若用來計算電流下降階躍下的電壓超調(diào),則似乎不符合仿真結(jié)果的5.24V。

下圖給出了全貌,明顯,DCM下到CCM的切換很快,建立時間大約0.4ms,而DCM切換到CCM則很慢,需要大約5ms。

圖中同樣以紅線示出了20V輸入電壓下的瞬態(tài)響應(yīng),說明Buck變換器中確實是以最低輸入電壓為最惡劣條件,而高輸入電壓下具有更好的動態(tài)性能。

wKgZomQX_EGAeuyoAAAsZZlWeWg869.jpg

除了輸出電壓響應(yīng)外,還應(yīng)觀察誤差電壓的瞬態(tài)響應(yīng),這才是變換器在控制意義上的輸出。

wKgZomQX_EGAGTjSAAAqd89mLuk550.jpg

書中到后面也說明了當(dāng)交叉頻率為8kHz時,響應(yīng)峰值降低為171mV,系統(tǒng)性能應(yīng)是有所改善。 重復(fù)上述步驟,8k處的曲線數(shù)據(jù)為相移137°,增益-16.5dB,同樣選擇45°裕度,雙零極點對補償器,列式如下。

wKgaomQX_EGAQ7vHAAA1Qut_sm0170.jpg

wKgZomQX_EGAe7ppAAIxxm1os8E841.jpg

得到曲線如上,與前述相同,用輸入電壓分別為10V和20V時進行對比,10V時,交叉頻率為7.98kHz,相位裕度為42°。 再觀察瞬態(tài)響應(yīng),理論計算的峰值應(yīng)為,圖中為4.8V左右,相差不大,說明該估計式具有足夠的精確度。 仔細(xì)觀察上圖中的相位曲線,可以看出一些問題。

K因子法的缺陷

該方法雖然簡單,它對響應(yīng)曲線形狀忽略不計,即忽略了可能存在的諧振峰,而只考慮交叉頻率。 這樣有可能在交叉頻率之前出現(xiàn)相位裕度減小到0的情況,如上圖所示。 在交叉頻率較高為8k時,出現(xiàn)了相位降低到0,增益仍為10以上的情況,這樣在該頻點很容易就有振蕩現(xiàn)象,稱為條件穩(wěn)定。 這種問題出現(xiàn)的原因是K因子法在放置零極點時只考慮交叉頻率的實現(xiàn),而并未考慮零點位置與LC極點位置大致重疊這一要求,所以就會出現(xiàn)無法抵消LC極點引起相移的問題。 所以K因子法好雖好,若要妥善設(shè)計,還是應(yīng)該采取一般的零極點放置法進行配置。

這種一般的方法,精確放置了每一個零極點,可以制作專用的計算表格。 書中提供了一種利用仿真軟件進行參數(shù)計算的圖紙,似乎只能用Ispice,Pspice尚不知可否。

用放置零極點的方法,就不會出現(xiàn)條件穩(wěn)定性的問題了,圖如下,相位裕度為36°。 這種方法的缺陷也正是K因子法的優(yōu)點,即交叉頻率無法精確定位; 另外,書中的理論和實驗也表明,K因子法放置的零點頻率較高,瞬態(tài)響應(yīng)也會快于放置零極點的方法。 所以各存利弊。

wKgZomQX_EGAPBeyAAHV7y69GIQ011.jpg

電流模式補償網(wǎng)絡(luò)

以上討論的內(nèi)容均針對二階的電壓模式Buck電路。 對于電流模式控制來說,變換器的模型在低頻呈現(xiàn)為一階系統(tǒng)。

回顧一下電流模式控制的相關(guān)設(shè)置。 為避免次諧波振蕩,需要加入斜坡補償,在輸入電壓為10V時,電路中電感電流的上升和下降斜率一樣都為66mA/μs,補償斜率可以為其一半。 若采集電阻阻值為0.4Ω,則補償斜坡電壓為13.3kV/s。

同樣運用K因子法,選擇交叉頻率為10kHz,相位裕度為80°。 先觀察開環(huán)曲線。

wKgZomQX_EGAV12PAAHGfWbUB0M880.jpg

得到10kHz處相位為-52°,增益為0.25=>-12dB。 因為相位滯后在90°以內(nèi),可以用零極點對的補償器(2型)。

計算式如下

wKgZomQX_EGAOYxrAAApgYNuOkY811.jpg

wKgaomQX_EGARzoGAAJZFipRrpU698.jpg

得到補償后的特性曲線如圖。 交叉頻率為9.1kHz,相位裕度74°。 值得注意的是在輸入電壓分別為10V和20V時,兩條曲線幾乎重合,這是因為電流模式控制下,理論上的音頻敏感度就是0,即輸入電壓的變化不會對系統(tǒng)造成影響。 略去了負(fù)載階躍測試,因為可知道電流模式控制下系統(tǒng)在低頻變?yōu)橐浑A系統(tǒng),自然在階躍作用下是不會產(chǎn)生振蕩的,但峰值電壓由輸出電容決定,對電壓模式和電流模式都是一樣的。

此例可以看出K因子法對電流模式的設(shè)計還是很有優(yōu)勢的,因為一階系統(tǒng)的特點,系統(tǒng)本身的相移就不大,所以不會出現(xiàn)條件穩(wěn)定性的問題。

實際設(shè)計之TL431反饋

實際工業(yè)應(yīng)用中已經(jīng)很少用運算放大器設(shè)計補償電路,而是將其與基準(zhǔn)源合二為一,利用TL431內(nèi)部的集成誤差放大器就可以設(shè)計出高性能的補償電路。 TL431的參考電壓為2.5V,TLV431為1.24V,且電流更小。

wKgaomQX_EGAQwdiAAAUEXlpfpc541.jpg

在一般的反饋環(huán)路中,連接光耦LED的支路為快支路,分壓網(wǎng)絡(luò)為慢支路,如圖所示。 對于小信號的研究,由于TL431的動態(tài)電阻與Rled比起來小得多,忽略后由KVL得

wKgZomQX_EGAb4umAAAGy_Ns4co090.jpg

VFB為最終反饋回到芯片FB引腳的電壓。

wKgaomQX_EGAAAvdAAAOsgUpyw0420.jpg

就得到了快通道的傳遞增益,在高頻區(qū)難以降低,使放置零點成為一個問題。

整個反饋可以看作快慢通道的疊加,與慢通道疊加后,推導(dǎo)反饋環(huán)路的傳遞函數(shù)

wKgZomQX_EGAP5u6AAAQP5OSOKk628.jpg

wKgaomQX_EGAWoZvAAAW4Xrv5Cg410.jpg

表明了系統(tǒng)中存在原點處極點和一個零點。

必須要明白的一點是,這個電路是實現(xiàn)前面所述補償網(wǎng)絡(luò)的方法。 對比零極點對補償網(wǎng)絡(luò),還缺少一個非原點處的極點,可以直接在光耦的輸出與地之間接入電容。 得到的零極點位置分別為

wKgZomQX_EGANej0AAAPPeKS0cM271.jpg

注意到第一條式子的關(guān)系,所以曲線的斜率剛好在0dB處發(fā)生轉(zhuǎn)折,結(jié)果就是中頻增益G與零極點位置無關(guān)。

下面用TL431實際設(shè)計補償器。

K因子+431

用k因子法直接把零極點放置在

wKgZomQX_EGATig1AAAFU_lXkDQ722.jpg

構(gòu)造零極點對的補償器做法較為簡單,基本上與前述的一般方法一致,直接代入計算即可,得到的響應(yīng)與前面用運放搭建的結(jié)果是一致的。

wKgaomQX_EGALz1KAAFUUfVaxaA511.jpg

如果搭建雙零極點對補償器,則需要考慮快通道的影響,即高頻區(qū)存在的增益,它使得直接在上位反饋電阻并聯(lián)零點的做法沒有作用。 因此需要在快通道的LED電阻直接并聯(lián)RC網(wǎng)絡(luò),并聯(lián)后,原本LED電阻的位置上阻抗變?yōu)?/p>

wKgaomQX_EGAZRpyAAAKaD6F4KY189.jpg

完整的傳函變成

wKgaomQX_EGANlgzAAAWOUaXDXM876.jpg

可得到兩對零極點的位置。 如果零點和極點的位置都重合,可以求出

wKgZomQX_EGAchrTAAAL8AgPJq4570.jpg

G為期望的交叉頻率處增益。 之后就可以根據(jù)零極點位置求出RPZ和CPZ的值。

一般不會用TL431搭建這種補償器,因為LED電阻對零極點位置存在影響,還是用運放搭建較好。

TL431偏置電流

wKgaomQX_EGAH65WAAAR9_h4acU952.jpg

431需要一個從陰極流入的電流滿足要求,必須大于1mA,否則其開環(huán)增益會大大減小,使穩(wěn)壓效果變差。 一般不能依靠LED電阻提供的電流,因為光耦的CTR會使期望的電流衰減,最后不能達(dá)到1mA的要求,所以應(yīng)該另外增加偏置電阻,通過輸出電壓直接拉一個電阻到TL431陰極,或者在LED兩端并聯(lián)一個電阻都是可行的。

在僅僅靠LED電流提供偏置時,要考慮最大的光耦傳輸比。 先計算光耦輸出端需要的電流值為

wKgaomQX_EGAHSt4AAAGSUdBL9Y680.jpg

其中Vdd為控制器的邏輯電平,3V是假定反饋引腳的電壓上限值。 則LED的電流最小可能是

wKgaomQX_EGATespAAAHfPLqc-0790.jpg

假設(shè)Vdd=5V,上拉電阻10k,CTR最大為100%,此時電流200μA,不滿足要求。 所以要加入偏置,由最小電流要求得到偏置電阻的取值

wKgaomQX_EGAAVoJAAAGqgCc36k402.jpg

其中Vf為LED的壓降,典型值為1V。 若要求偏置電流2mA,LED電阻2.2k,Vdd=4.8V,CTR取典型值為30%,得到偏置電阻為830Ω。

此外還有一個地方的偏置電流需要注意,即從電阻分壓過來的電流,進入TL431的參考節(jié)點。 進入該節(jié)點的電流數(shù)據(jù)表給出為2~4μA,據(jù)此可以計算低端電阻值

wKgZomQX_EGAew2qAAALtYSiQD4321.jpg

不過如果選擇高端電阻的電流遠(yuǎn)大于μA級別,比如為1mA,就可以忽略這個電流值了。 對于低功耗應(yīng)用來說,還是應(yīng)當(dāng)設(shè)定為更低的電流值,這時需要考慮這個電流的限制。

關(guān)于光耦

光耦的輸出端中,集電極和基極之間存在較大的電容,會影響可用帶寬,此帶寬由電容和上拉電阻共同決定。 從數(shù)據(jù)表中給出的下降時間和測試電阻值可以計算出結(jié)電容值

wKgZomQX_EGAJshLAAAGeq6Rj4I986.jpg

一般為nF級別。 因此對要求較大帶寬的電源,光耦會造成較大的影響,或者使用阻值很小的上拉電阻。

另外,光耦還存在著一個高頻的極點。

跨導(dǎo)放大器

輸出電流為兩個輸入電壓差的倍數(shù)。 特別之處在于跨導(dǎo)放大器不存在局部反饋,相當(dāng)于開環(huán)運行,輸入端也沒有虛地的情況,而且分壓電阻的下位電阻在環(huán)路中起作用。 常在PFC中應(yīng)用。

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    開關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記 --- 目錄

    一.基本DC-DC變換器開關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記0 — 初識開關(guān)電源開關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記1 — Buck變換
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    開關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記1 --- Buck變換器的基本原理

    上一節(jié)提到的開關(guān)電源的系統(tǒng)框圖中,DC-DC變換器是其中一個重要的組成部分DC-DC變換器最基礎(chǔ)的主要有三種:Buck變換器,Boost變換器和Buck-Boost變換器Buck變換器:即降壓變換器
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    開關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記2 --- Boost變換器的基本原理

    Boost變換器
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    <b class='flag-5'>開關(guān)電源</b><b class='flag-5'>學(xué)習(xí)</b><b class='flag-5'>筆記</b>2 --- Boost變換器的基本原理

    開關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記3 --- Buck-Boost變換器的基本原理

    Buck-Boost變換器:既可以升壓又可以降壓,其簡單電路組成如下其中的器件和Buck電路完全一致,只是開關(guān)SW,二極管和電感的位置發(fā)生了改變Buck-Boost變換器輸出的是相對地的負(fù)壓假設(shè)當(dāng)前
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    開關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記8 --- Cuk變換器

    Cuk變換器
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    開關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記7 --- DC-DC變換器的儲能電感設(shè)計之磁芯及氣隙

    1.氣隙的概念首先來看看EE變壓器的結(jié)構(gòu)制作變壓器時,首先準(zhǔn)備一個骨架將電磁線纏繞上去絕緣后插上EI磁芯(EI變壓器)或EE磁芯(EE變壓器)再固定住和加外殼氣隙:為了防止變壓器磁飽和而對磁芯開出的空隙(在下圖中,兩個E中間的那條縫隙即為氣隙)根據(jù)電磁學(xué)的知識,磁芯的磁場變化具有滯后性,即呈現(xiàn)出下圖中分別的兩條磁滯回線由于B=μ×HB = mu × HB=μ×H,開了...
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    <b class='flag-5'>開關(guān)電源</b><b class='flag-5'>學(xué)習(xí)</b><b class='flag-5'>筆記</b>7 --- DC-DC變換器的儲能電感設(shè)計之磁芯及氣隙

    開關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記9 --- SPEIC變換器

    2.SPEC變換器原理電路如下輸入,輸出極性相同開關(guān)管接地,驅(qū)動容易可升降壓輸入輸出均串聯(lián)電感,紋波小假設(shè)已經(jīng)達(dá)到了平衡狀態(tài),工作情況如下:(由于處于平衡狀態(tài),所以任何儲能元件,在開關(guān)斷開和閉合
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    <b class='flag-5'>開關(guān)電源</b><b class='flag-5'>學(xué)習(xí)</b><b class='flag-5'>筆記</b>9 --- SPEIC變換器

    開關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記10 --- Zeta變換器

    Zeta變換器原理電路如下輸入,輸出極性相同可升降壓開關(guān)管驅(qū)動困難,實際中比較少使用假設(shè)已經(jīng)達(dá)到了平衡狀態(tài),工作情況如下:(由于處于平衡狀態(tài),所以任何儲能元件,在開關(guān)斷開和閉合的兩個過程,必然是一個
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    開關(guān)電源學(xué)習(xí)筆記之MOS管

    1. 什么是MOS管?MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的簡稱。1.1 如何判斷MOS管的G柵極、D漏極、S源極?(1)引腳一般如上圖所示。(2)萬用表測量,方法如下S源極與D漏極之間應(yīng)該有二極管的管壓降0.5v左右,同樣也應(yīng)該可以測得到電阻一般為幾千歐以內(nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅(qū)動電路分析下面是常見的MOS管驅(qū)動電路(1)二極管D1的作用是什么?二極管D1在驅(qū)動信號是低電平時起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動電路中需要加此二極管起到“慢開快關(guān)
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    <b class='flag-5'>開關(guān)電源</b><b class='flag-5'>學(xué)習(xí)</b><b class='flag-5'>筆記</b>之MOS管
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