NETSOL串行MRAM產品非常適合需要快速頻繁地存儲和檢索數據和程序的應用程序,因為STT-MRAM具有非易失性、幾乎無限的耐久性和快速寫入特性。
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP(就地執行)功能和基于硬件/軟件的數據保護機制。SPl(串行外圍接口)是一個帶有命令、地址和數據信號的同步串行通信接口。
它比并行接口需要更少的引腳數,并且易于在系統上配置。該產品的密度范圍從1Mbit到16Mbit。該設備可以取代閃存、FRAM或(nv)SRAM,具有相同的功能和非易失性。
SPIMRAM提供各種SPl模式,以允許帶寬擴展選項。SPI模式具有用于命令信號的單個(1)引腳。用戶可以在1個引腳、2個引腳或4個引腳中選擇分配給地址和數據信號的引腳數。DSPI模式為命令、地址和數據信號提供雙(2)引腳。QSPI模式為指令、地址和信號提供四(4)引腳。
NETSOLMRAM具有非易失性寄存器位-狀態寄存器、配置寄存器、序列號寄存器、擴充256字節和用于擴充字節的保護寄存器。這些寄存器位需要在高溫回流焊工藝后通電至少一次。采用小尺寸的8-WSON和8-SOIC封裝。工作溫度范圍(0℃至70℃)和工業(-40℃至85℃)。官方代理英尚微電子支持提供樣品測試。
Single/Dual/Quad IO SPI MRAM選型表
Density | Part Number | Interfaces | VDD(V) | Frequency(MHz) SDR/DDR | Temperature | Package |
---|---|---|---|---|---|---|
1Mbit | S3A1004V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
1Mbit | S3A1004R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
2Mbit | S3A2004V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
2Mbit | S3A2004R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
4Mbit | S3A4004V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
4Mbit | S3A4004R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
8Mbit | S3A8004V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
8Mbit | S3A8004R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
16Mbit | S3A1604V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
16Mbit | S3A1604R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
-
寄存器
+關注
關注
31文章
5363瀏覽量
121157 -
存儲器
+關注
關注
38文章
7528瀏覽量
164341 -
SPI
+關注
關注
17文章
1721瀏覽量
92116 -
MRAM
+關注
關注
1文章
236瀏覽量
31792
發布評論請先 登錄
相關推薦
串行接口PCB設計指南:優化布局與布線策略

探索存內計算—基于 SRAM 的存內計算與基于 MRAM 的存算一體的探究

串行音頻接口(SAI)中slot是什么意思?
Microchip推出容量更大、速度更快的串行SRAM產品線

Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM產品線
Microchip Technology擴展了旗下串行SRAM產品線,容量最高可達4Mb
MRAM HS4MANSQ1A-DS1在汽車電子中的應用

瑞薩電子宣布已開發具有快速讀寫操作的測試芯片MRAM
8位串行輸入/串行輸出或并行輸出移位寄存器74LVC595A產品數據表

MRAM特性優勢和存儲原理

評論