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使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關(guān)效率

Qorvo半導(dǎo)體 ? 來源:未知 ? 2023-05-25 00:25 ? 次閱讀

碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管,但需要使用低熱阻封裝,比如 TO-247。然而,此類封裝的連接往往會導(dǎo)致較高的電感。閱讀本博文,了解如何謹慎使用開爾文連接技術(shù)以解決電感問題。

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商,它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源等快速增長的市場。

物理現(xiàn)象既會帶來優(yōu)勢,也會產(chǎn)生弊端。采用碳化硅 (SiC) 等寬帶隙材料構(gòu)建而成的器件,可為設(shè)計人員提供能夠保持高功率密度的晶體管,因為這些晶體管的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗較低,而且工作結(jié)溫高,開關(guān)速度快。高功率密度的晶體管對于實現(xiàn)更小的功率控制和轉(zhuǎn)換電路有非常大的幫助,但僅僅改變半導(dǎo)體材料是無法實現(xiàn)的,還需要使用低熱阻封裝,比如 TO-247,以便輕松散熱。不幸的是,這又是一個物理難題:TO-247 封裝的連接往往電感較高,這會限制開關(guān)速度。

物理現(xiàn)象有利有弊,而在這種情況下,使用開爾文連接技術(shù)可以解決電感問題。但是我們必須謹慎實現(xiàn)此類連接,以避免發(fā)生更糟糕的物理現(xiàn)象。

開爾文連接

蘇格蘭/愛爾蘭實驗主義者開爾文男爵非常關(guān)注物理現(xiàn)象(如電流)的測量精度。他明白,要想通過檢測給定電流下低電阻導(dǎo)致的壓降,并結(jié)合使用歐姆定律來得出其阻值,就必須精確地測量電阻上的電壓,并且要將測量電壓的線路和載流路徑分開。這種方法被稱為開爾文連接。

開爾文連接最初用于測量電路中適當(dāng)位置的靜態(tài)電壓,但也可以用于在適當(dāng)位置注入電壓。例如:當(dāng)以高頻率驅(qū)動 MOSFET 開關(guān)的柵極時,器件的源連接就是柵極驅(qū)動電壓與漏極-源極電流的共用點。如果存在共源電感 L(如圖 1中所示),則電流的變化就會影響柵極電壓,且影響程度與電感 L 和電流變化率成正比。在柵極被驅(qū)動關(guān)斷時,電感 L 兩端產(chǎn)生的電壓就會使柵極更長時間地保持接通狀態(tài),從而降低電流減小的速度。相反,在接通期間,電感 L 上的電壓就會降低電流增加的速度。

控制引腳電感的影響

電感 L 來源于 MOSFET 的內(nèi)部焊線,通常約為 1nH/mm。如果器件帶有引腳(比如 TO-247 封裝),則那些外部連接也會導(dǎo)致 L 增加。

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圖 1:共源電感會產(chǎn)生瞬態(tài)柵極電壓,從而降低開關(guān)電流速度

當(dāng)以微秒為單位計算開關(guān)時間時,數(shù)安培的開關(guān)電流只會產(chǎn)生幾毫伏的瞬態(tài)電壓,從而使柵極驅(qū)動電壓幾乎保持不變。但是,寬帶隙 (WBG) 器件可在數(shù)納秒時間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)十安培的開關(guān)電流,這樣每 nH 連接電感就會產(chǎn)生大約 2-5V 瞬態(tài)電壓。如果柵極驅(qū)動中增加了這種瞬態(tài)電壓,就會阻止 MOSFET 關(guān)斷,從而產(chǎn)生振鈴風(fēng)險,甚至?xí)?dǎo)致器件故障。

對于 Si MOSFET,可以在柵極關(guān)閉時施加加負電壓(或許為 -10V)以克服柵極電壓尖峰造成的偏壓降低。但這會導(dǎo)致更高的柵極驅(qū)動功耗,該功耗會隨總柵極驅(qū)動電壓波動一同變化。這一問題對于采用 SiC 或氮化鎵的 WBG 器件更為嚴重,因為此類器件只支持大約 -3V 的負驅(qū)動電壓。解決方案就是使用開爾文連接,以確保柵極驅(qū)動回路盡可能靠近 MOSFET 晶粒的源連接。盡管使用芯片級封裝比較容易實現(xiàn)這一點,但如果制造商想要使用 TO-247 封裝以獲得出色的散熱特性,則必須增加第 4 個引腳,以便進行開爾文連接(圖 2)。

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圖 2:TO-247 封裝的第 4 個引腳可提供至源極的開爾文連接

開關(guān)速度越快,效率越高

使用開爾文連接可控制引腳電感及其對柵極偏置電壓的潛在影響,讓寬帶隙器件以其真實的開關(guān)速度運行,無需使用柵極負電壓。這可以簡化驅(qū)動電路。效果非常明顯:當(dāng)UnitedSiC 的 SiC JFET 共源共柵使用三引腳封裝時,必須降低器件的速度才能保持其可靠性。而使用四引腳封裝以及開爾文連接時,電流壓擺率可超過5000 A/μs,從而實現(xiàn)更高效率,且不會影響柵極驅(qū)動信號。

物理現(xiàn)象并非盡如人意,即使是采用 TO-247 封裝,也有需要處理的器件引腳電感。常用的處理方式是跨漏極-源極放置一個小型緩沖電路,以防止功率路徑中出現(xiàn)電壓過沖。我們還必須小心部署柵極驅(qū)動回路,以盡可能地減少回路中的電感,同時防止出現(xiàn)由主換向回路導(dǎo)致的外部磁場拾取問題。

哪種開爾文連接?

使用開爾文連接時還會遇到其他實際問題。如果柵極驅(qū)動回路的電壓為主系統(tǒng) 0V 電壓,也就是與電源地線連接,則可能難以成為開爾文連接至開關(guān)的共用點。如果電路為全橋,那么至少會有兩個低側(cè)器件,如果都采用開爾文連接,則應(yīng)將哪個連接至系統(tǒng) 0V?如果在器件源極引腳中使用電阻式電流感測,那么這個問題會變得更加復(fù)雜:如果開爾文連接的電壓為系統(tǒng) 0V 電壓,則電阻中的電壓將為負電壓。

解決這個問題的一個方法就是,通過光耦合器或變壓器來隔離柵極驅(qū)動,這也是任何高側(cè)驅(qū)動都需使用的辦法。如果此類隔離用于低側(cè),則可以靈活實現(xiàn)開爾文連接,與系統(tǒng) 0V 隔離(圖 3)。此外,使用變壓器意味著,設(shè)計人員可以根據(jù)需要生成關(guān)態(tài)柵極驅(qū)動負電壓,并且可以通過調(diào)整匝比將驅(qū)動正電壓調(diào)整至其最佳值。

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圖 3:隔離的變壓器柵極驅(qū)動

優(yōu)勢大于劣勢

使用開爾文接法連接帶引腳的寬帶隙器件還可使用 TO-247 封裝,從而具有出色的散熱性能。這使我們更接近于理想電氣開關(guān),并且實際上還可在較高功率水平下使用。


原文標題:使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關(guān)效率

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