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納微半導體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實現最佳充電效果

qq876811522 ? 來源:納微半導體 ? 2023-06-13 16:55 ? 次閱讀

納微半導體GeneSiC碳化硅MOSFETs為埃克塞德工業物流車輛的高頻充電樁帶來更高效率和更優溫控表現

美國加利福尼亞州托倫斯,2023年5月18日訊 —— 納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)宣布埃克塞德科技集團(Exide Technologies)用于匹配工業物料搬運設備的下一代高頻快速充電樁已采用納微旗下領先的GeneSiC碳化硅功率半導體器件,以確保設備充電的可靠性、安全性、易用性并實現最佳的充電效果。

埃克塞德科技集團(以下簡稱埃克塞德)是全球領先的工業和汽車市場創新型可持續電池儲存解決方案供應商。埃克塞德提供全面的鉛酸電池和鋰電池解決方案,廣泛應用于各種領域,包括物料搬運設備和機器人的牽引電池和充電解決方案,以最小化總成本,實現最大化車隊可用時間。

碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導體材料,正在快速取代傳統硅功率芯片,應用于可再生能源、儲能、 微網、電動汽車和工業應用等高功率、高壓應用領域。

GeneSiC“溝槽輔助平面柵極”的碳化硅 MOSFET技術兼具平面和溝槽的優勢,具備高效 、高速的性能。相比其他碳化硅產品,運行時的最高溫度低25°C,壽命延長3倍之多。已公布的100%耐雪崩測試中其耐受能力最高、短路耐受時間延長30%、并且穩定的門極閾值電壓便于并聯控制。在這些優點加持下,GeneSiC MOSFET是工程師研發高功率、快速市場化的應用產品的理想之選。

埃克塞德的高頻充電樁將220伏交流電轉換為24至80伏的直流電,為搭載了鉛酸電池和鋰電池的工業車輛充電。

這款7kW的模塊采用GeneSiC G3R60MT07D (750V) MOSFET和GD10MPS12A (1,200V) MPS 肖特基二極管,并采用頻率優化的架構。相同的平臺可升級至10kW,支持4個模塊并聯,實現高達40kW、可靠、快速的充電。

“埃克塞德科技集團通過全面、智能的快速充電,配上緊密的系統監控為全天候運轉的關鍵物料搬運設備提供穩健的支持,納微半導體的GeneSiC碳化硅技術易于使用,為產品提供出色的支持,提升了系統效率,同時還能降低設備的運行溫度。”

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原文標題:納微半導體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實現最佳充電效果

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