ISSIIS61WV2568EDBLL-10TLI-ND是一種高速SRAM芯片，位寬256K x 8。采用ISSI的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設計技術相結合，產(chǎn)生了高性能和低功耗的設備。當CE為高電平時，器件進入待機模式下的功耗可以通過CMOS輸入電平降低。通過使用芯片使能和輸出使能輸入、CE和OE可以輕松擴展內(nèi)存。有效的低寫入使能(WE)控制存儲器的寫入和讀取。同時支持工業(yè)和汽車溫度。完全靜態(tài)操作,無需時鐘或刷新。IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND采用JEDEC標準44引腳TSOP-II封裝。

偉凌創(chuàng)芯國產(chǎn)SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位寬256K x 8高速靜態(tài)隨機存取SRAM芯片，使用(8)條公共輸入和輸出線，并具有一個輸出使能引腳，其運行速度快于讀取周期的地址訪問時間。而EMI502NF08VM-10C允許通過數(shù)據(jù)字節(jié)控制(UB,LB)訪問上下字節(jié)。快速訪問時間10ns，采用JEDEC標準44引腳TSOP-II封裝。該器件采用先進的CMOS工藝，基于6-TR的單元技術制造，專為高速電路技術而設計。它是特別適用于高密度高速系統(tǒng)應用。此款EMI502NF08VM-10C國產(chǎn)SRAM芯片PIN2PIN替換IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND。代理商英尚微電子支持提供樣品測試及產(chǎn)品技術解決方案。

安徽偉凌創(chuàng)芯微電子是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注國產(chǎn)SRAM芯片存儲、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產(chǎn)及銷售。公司擁有國際知名設 計專家及工作經(jīng)驗豐富工程師研發(fā)團隊，與國內(nèi)知名前后道生產(chǎn)合作伙伴緊密合作。深挖客戶應用，依托強大的研發(fā)實力，融合世界前沿的技術理念快速響應客戶的變化需求，為行業(yè)客戶提供高品質、低成本，供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識產(chǎn)權的集成電路產(chǎn)品，產(chǎn)品領域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語音、應用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。