10.1.5 負柵電容晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
Negative Capative MOSFET(NC-MOSFET)
審稿人：北京大學 蔡一茂 喻志臻
https://www.pku.edu.cn
審稿人：北京大學 張興
10.1 非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件
第10章 集成電路基礎研究與前沿技術(shù)發(fā)展
《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關注
關注
77文章
9746瀏覽量
138907
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理
浮柵晶體管主要是應用于于非易失性存儲器之中，比如nand flash中的基本單元，本文介紹了浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理。 ? ? 上圖就是浮柵
基于鐵電晶體管科研，共探集成電路的創(chuàng)新之路
局限性，這促使學術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界開始探索新的計算架構(gòu)和信息器件。在后摩爾時代，鐵電晶體管（FeFET）作為一種新型的信息器件，因其在存儲和計算領域的潛在應用而備受關注。 泰克科技 與 北京大學集成電路學院唐克超課題組 聯(lián)合舉辦
單片集成電路和混合集成電路的區(qū)別
設計、制造、應用和性能方面有著顯著的差異。 單片集成電路（IC） 定義 單片集成電路是指在一個單一的半導體芯片（如硅片）上集成了多個電子元件（如晶體管、電阻、
CMOS晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)
CMOS晶體管，全稱為互補金屬氧化物半導體晶體管，是現(xiàn)代電子設備中不可或缺的組成部分，尤其在計算機處理器和集成電路制造中扮演著核心角色。
芯片晶體管的深度和寬度有關系嗎
一、引言 有關系。隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片晶體管作為電子設備的核心元件，其性能的優(yōu)化和制造技術(shù)的提升成為了行業(yè)關注的焦點。在晶體管的眾多設計參數(shù)中，深度和寬度是兩個至關重要的因素。它們不僅
PNP晶體管符號和結(jié)構(gòu) 晶體管測試儀電路圖
PNP晶體管是一種雙極性晶體管，用于電子電路中放大、開關和控制電流的器件。與NPN晶體管相對應，PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點在于其三個不同的半導體
降壓開關穩(wěn)壓器如何使用串聯(lián)晶體管
（是絕緣柵雙極晶體管或 IGBT）作為其主要開關器件，如下所示。 降壓開關穩(wěn)壓器 降壓開關穩(wěn)壓器 我們可以看到，降壓轉(zhuǎn)換器的基本電路配置是串聯(lián)晶體管開關TR 1以及相關的驅(qū)動
發(fā)表于 06-18 14:19
微電子所在《中國科學：國家科學評論》發(fā)表關于先進CMOS集成電路新結(jié)構(gòu)晶體管的綜述論文
來源：中國科學院微電子研究所 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）是推動大規(guī)模CMOS集成電路按照“摩爾定律”持續(xù)微縮并不斷發(fā)展的核心器件。近十幾年，為突破更小技術(shù)節(jié)點下的微縮挑戰(zhàn)
晶體管的分類與作用
堅實的基礎，更為后來的集成電路、大規(guī)模集成電路乃至超大規(guī)模集成電路的誕生和發(fā)展提供了可能。本文將詳細探討晶體管的分類及其作用，以期為讀者提供一個全面且深入的理解。
專用集成電路簡稱叫什么 集成電路按功能可分為哪兩種
專用集成電路的簡稱是ASIC，即Application Specific Integrated Circuit。 集成電路（Integrated Circuit）是指將大量的電子器件（如晶體管、電阻
晶體管和集成電路是什么關系？
集成電路是通過一系列特定的平面制造工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容等無源器件，按照一定的電路互連關系，“
發(fā)表于 02-29 15:01
?2608次閱讀
如何判斷晶體管基本放大電路是哪種
晶體管基本放大電路是指利用晶體管的放大特性設計的電路，用于放大電信號的幅度。根據(jù)晶體管的工作狀態(tài)和電路
絕緣柵雙極晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)
絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導體，具有MOSFET 的高速、電壓相關柵極開關特性以及 BJT 的最小導通電阻（低飽和電壓）特性。
什么是達林頓晶體管？達林頓晶體管的基本電路
達林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達林頓對（Darlington Pair），是由兩個或更多個雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復合結(jié)構(gòu)。通過這種結(jié)構(gòu)，第一個雙極性
絕緣柵雙極晶體管的實用指南
這是絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的實用指南。您將從實際的角度學習如何使用它——而無需深入研究它內(nèi)部的物理外觀。IGBT通常被描述為復雜而先進的東西。但是，當你剝離物理解釋并開始練習時，將其放入電路中是很簡單的。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論