11.4.1 光伏電源逆變器∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
逆變器
+關注
關注
288文章
4753瀏覽量
207710 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
2829瀏覽量
49276
發布評論請先 登錄
相關推薦
光伏MPPT設計中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對比
在光伏系統的最大功率點跟蹤（MPPT）設計中，IGBT、碳化硅（SiC）器件及其組合方案的選擇直接影響系統效率、成本和可靠性。
碳化硅功率器件的散熱方法
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關速度和高導熱率等優良特性，在新能源、光伏發電、軌道交通和智能電網等領域得到廣泛應用。然而，碳化硅功率
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對
發表于 01-04 12:37
碳化硅功率器件在能源轉換中的應用
碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉換技術，因其優異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和應用
碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優點，使其在高效能、高頻率和高溫環境下的應用中具有明顯的優勢。本
碳化硅功率器件的優點和應用
碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統的硅基功率器件相比，碳化硅功率
基本半導體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展
產品，吸引逾50萬專業觀眾參與。 基本半導體攜2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業級碳化硅功率模塊PcoreTM2 E1B、工業級碳化硅半橋
碳化硅器件的類型及應用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料，具有比傳統硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時保持穩定性和效率。
發表于 04-16 11:54
?805次閱讀
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導體材料，與傳統的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導率。
發表于 03-19 11:12
?717次閱讀
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
圓盤的能量吸收范圍高達 122,290J，允許圓盤組件具有數十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數 EAK碳化硅磁盤應用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關帶感性負載的觸點。變壓器、電機
發表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用
發表于 02-29 14:23
?1729次閱讀
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環境污染日益加劇，電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點，被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介
工商網監
評論