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10.1.1 碰撞電離和雪崩擊穿∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-04-02 11:05 ? 次閱讀

10.1.1 碰撞電離和雪崩擊穿

10.1 SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端

第10章功率器件的優化和比較

《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

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