解決方案|半導體晶體生長測溫
場景 半導體晶體生長測溫
要解決的問題
還原爐應用中，需多點位測溫，有的點位位置較高對準目標比較困難。
升溫過程中，材料狀態可能發生變化，導致發射率隨之發生變化導致測溫失準。建議使用雙色測溫儀。
直拉法應用中，一般集成于內部溫控系統，安裝空間有限。建議使用分體光纖式設備。
需透視窗測量反應物。建議使用近紅外短波測溫。
場景特點 SCENE FEATURES01
反應溫度需維持在高溫狀態（還原爐約1080℃、直拉法約為1500℃）。
02可能有較強的電磁干擾，需要使用分體式光纖設備。03
熔融石英坩堝內部反應。
04
腔室內填充保護性氣體。
解決方案
核心優勢IGAR 12-LO（分體光纖測溫儀）
在高溫/高壓/電磁場等環境中，只放進一個測溫鏡頭，通過光纖傳輸光信號，最大程度的減少了環境的干擾項，保證測量的準確無誤。
測溫范圍全覆蓋（300~2500℃）。
高精度，最小可精確讀數到0.5%+1℃。
極短的響應時間（2ms）。
極小的光斑尺寸（最小為0.45mm）。
光纖探頭耐溫高達250℃。
診斷功能。
雙色/單色、0/4-20mA、RS232/RS485均可切換。
IGAR 6-TV
具有直觀的視頻模式，且接線簡單。
可記錄視頻實時圖像或視頻，多種格式儲存。
測溫量程全覆蓋（100~2000℃）。
高精度，最小可精確到讀數的0.4%+2℃。
可變焦鏡頭，可調節測距（可從210至2000mm內測溫）。
設定內可調多種參數，使用多種環境需求。
技術參數
| 型號 | IGAR 12-LO | IGAR 6-TV |
|---|---|---|
| 溫度范圍 | 300...3300℃ | 100...2000℃ |
| 測量波段 | 1.52...1.64μm | 波段1: 1.5...1.6μm; 波段2:2.0...2.5μm |
| 響應時間 | 2ms | 2ms |
| 測量精度 | 讀數的0.5%±1℃（<1500℃） 讀數的0.7%±1℃（>1500℃） | 測量值的0.4%±2℃（<1500℃） 測量值的0.8%（>1500℃） |
| 重復性 | 讀數的0.3%+1℃ | 測量值的0.2%+1℃ |
| 瞄準方式 | 同軸激光瞄準 | 視頻瞄準，彩色圖像。帶有瞄準指示光圈 |
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
334文章
27703瀏覽量
222628
發布評論請先 登錄
相關推薦
碳化硅的缺陷分析與解決方案
。 碳化硅的主要缺陷類型 微管缺陷 ：微管是碳化硅晶體生長過程中最常見的缺陷之一，它們會形成垂直于晶體生長方向的空管，影響電子器件的電導率和熱導率。 位錯缺陷 ：位錯是晶體結構中的線缺陷，它們會破壞
商場無線測溫解決方案
復雜、維護成本高及擴展性差等問題。相比之下，無線測溫解決方案以其靈活性、易部署和高效管理等優勢，逐漸成為商場溫度監測的新選擇。 系統架構 商場無線測溫解決方案，由無線
用于半導體外延片生長的CVD石墨托盤結構
一、引言
在半導體制造業中，外延生長技術扮演著至關重要的角色。化學氣相沉積（CVD）作為一種主流的外延生長方法，被廣泛應用于制備高質量的外延片。而在CVD外延生長過程中，石墨托盤作為承
晶體生長相關內容——晶型控制與襯底缺陷
晶體生長在分析晶體生長時，我們需要考慮多個關鍵因素，這些因素共同影響著晶體生長的質量和進程。本文介紹了晶體生長相關內容，包括：雜對晶格硬度變化影響、碳化硅晶型控制、襯底缺陷控制和電氣特
芯片制造工藝：晶體生長、成形
1.晶體生長基本流程下圖為從原材料到拋光晶圓的基本工藝流程：2.單晶硅的生長從液態的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術稱為直拉法（Czochralski）。半導體工業中超過90%的單晶硅都
一文詳解SiC單晶生長技術
高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優缺點。
晶體生長溫控儀數據采集解決方案
單晶硅、多晶硅、藍寶石等晶體生長基礎促進了半導體工業和電子工業的發展。晶體生長是指氣相、液相物料在穩定溫度環境中轉換成固相晶體的過程。其中生長
晶體硅為什么可以做半導體材料
且成本較低。硅的豐富資源是其成為半導體工業基石的重要前提。通過先進的提純和晶體生長技術，可以生產出高純度的單晶硅或多晶硅，為半導體器件的制造提供了可靠的材料基礎。 二、優異的半導體特性
碳化硅晶體的生長原理
碳化硅晶體的生長原理 在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導體
2024新一代半導體晶體技術及應用大會6月21-23日濟南召開
半導體晶體是信息產業的基石，其生長技術、加工工藝、關鍵設備、器件應用及原材料供給等對半導體產業鏈供應鏈的安全穩定至關重要。
半導體隱形冠軍再推新品，PVA TePla重磅推出SiCN系列
設備是工業之母，在半導體領域也是如此，尤其是晶體生長設備，直接決定了半導體最源頭——晶圓的品質。
芯片制造工藝：晶體生長基本流程
從液態的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術稱為直拉法（Czochralski）。半導體工業中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。
發表于 03-12 11:15
?4456次閱讀
工商網監
評論