從2018年開始，電動車、車聯網等ADAS的普及速度加快，尤其在自駕車的帶動下，半導體的封裝技術愈來愈先進，但新的封裝方式也讓車用零件可靠度方面有了更多的挑戰。

我司最新推出的TEM小室可以用來測量來自被測件EUT或集成電路PCB的輻射敏感度和傳導抗擾度的試驗，其頻率可以達到8GHz。其駐波比可以到達1.3，傳輸衰減比小于0.3dB。

源于被測件EUT的發射場通過小室的發射模進行耦合，并以此在室的一個端口耦合到一個電壓。用TEM小室進行輻射騷擾測量的優點：由于它是在一個屏蔽室內進行的，因此把可能感應到的環境電壓降到了極低的水平，一般地講也就是測量設備的本底噪聲，TEM小室的兩端呈錐形向通用的同軸器件過渡，一頭連接同軸線到測試接收機，另一頭連接匹配負載，如下圖所示。

TEM小室的外導體頂端有一個方形開口用于安裝測試電路板。其中,集成電路的一側安裝在小室內側，互連線和外圍電路的一側向外。這樣做使測到的輻射發射主要來源于被測的IC芯片。受測芯片產生的高頻電流在互連導線上流動,那些焊接引腳、封裝連線就充當了輻射發射天線。

當測試頻率低于TEM小室的一階高次模頻率時，只有主模TEM模傳輸，此時TEM小室端口的測試電壓與騷擾源的發射大小有較好的定量關系，因此,可用此電壓值來評定集成電路芯片的輻射發射大小。

用TEM小室的測試方法是：為了保證重復性，環境溫度保持于18℃～28℃；測試環境的背景電磁噪聲至少低于最低極限線值6dB；在測試之前，集成電路應使用適當的程序加載并處于穩定狀態；待測集成電路的供電特性應符合集成電路制造商要求。

用TEM小室的測試步驟：

第一步：按測試布置進行環境溫度及背景電磁噪聲測試，此時待IC不上電；

第二步：待測IC上電，并進行功能測試，需要對IC的軟件加載，并一直到其處于穩定狀態；

第三步：對待測IC進行輻射發射測量；

第四步：將待測IC與測試夾具旋轉90o，重復第三步測試，直至四個可能的方向均完成輻射發射測量。

深圳市華瑞高電子技術有限公司，是一家專業致力于為客戶提供優質且性價比高的電磁兼容抗擾度校準裝置，屏蔽效能測試系統和諧波閃爍分析測試系統的研發生產性企業。