新品
光伏用1200V CoolSiC Boost
EasyPACK模塊
![3a6514aa-cd44-11ed-ad0d-dac502259ad0.jpg](https://file1.elecfans.com//web2/M00/9C/D2/wKgZomTn7WaAeXJ7AAC0DWZ9OD8535.jpg)
光伏用1200V CoolSiC Boost EasyPACK模塊,采用M1H芯片,導通電阻8-17毫歐五個規格,PressFIT壓接針和NTC。
產品型號:
DF17MR12W1M1H
DF16MR12W1M1H
DF14MR12W1M1H
DF11MR12W1M1H
DF8MR12W1M1H
產品特點
Best-in-Class封裝,高度為12毫米
領先的WBG材料和Easy模塊封裝
非常低的模塊雜散電感
大的反向工作安全區RBSOA
1200V CoolSiC MOSFET,M1H芯片
增大了推薦柵極驅動電壓范圍,從+15...+18V & 0...-5V
擴展的最大柵極-源極電壓為-10V到+23V
過載條件下的Tvjop最高可達175°C
集成NTC溫度傳感器
應用價值
突出的模塊效率,系統成本低
系統效率提高,減少冷卻需求
可以提高開關頻率以提高功率密度
最佳的性價比可降低系統成本
競爭優勢
廣泛應用的Easy封裝
在相同的芯片尺寸下,RDS降低12%。
更寬的柵源電壓
最高結溫Tvjop為175°C
新的芯片尺寸,增加了產品組合
應用領域
光伏
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
相關推薦
我們也發現Schweizer在更早前其實就已經推出了名為P2的封裝方案,這個方案同樣是將功率半導體嵌入PCB中。他們在2023年開始與英飛凌合作開發,將英飛凌1200V CoolSiC芯片嵌入到PCB中的技術,并應用到電動汽車上。 ? P 2封裝的優勢和應用 ? 根據
發表于 01-07 09:06
?1328次閱讀
40A 1200V TO-247-3L
XD040H120BM1S3應用:電機控制40A 1200V TO-247-3L
XD040Q120AM1S3應用:電源(UPS/移動儲能/光伏
發表于 12-19 15:03
DDB2U60N12W3RF_C39EasyBRIDGE為1200V、60A整流模塊,采用溝槽柵場終止技術IGBT7和CoolSiC肖特基二極管G51200V芯片,帶NTC和Press
發表于 12-07 01:05
?171次閱讀
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件,廣泛應用于工業、汽車等領域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品,本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發概要
發表于 12-04 10:50
?885次閱讀
新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7
發表于 12-04 01:04
?331次閱讀
本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統功率模塊相比,該模塊
發表于 11-14 14:59
?783次閱讀
?1200V光伏逆變器的工作原理?是通過將光伏電池板產生的可變直流電壓轉換為市電頻率的交流電(AC),以供電網使用或反饋回商用輸電系統。逆變
發表于 11-14 09:41
?368次閱讀
新品符合AQG324標準的車載充電用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模塊符合AQG324標準的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650
發表于 11-08 01:03
?272次閱讀
1200V三相全橋碳化硅功率模塊,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩定。工作電源電壓可達900V-1000V,工作頻率可達30kHz,輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的
發表于 09-18 17:18
?483次閱讀
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)最近,又有國內GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術。7月26日,宇騰科技在社交平臺上宣布公司自主研發生產的藍寶石基GaN功率器件工作電壓達到1200V,已進入
發表于 07-31 01:06
?3677次閱讀
新品光伏混合逆變器用Easy模塊采用CoolSiCMOSFET和高性能AlNDCB的Easy模塊,用于功率高達12千瓦的
發表于 07-16 08:14
?912次閱讀
新品采用1200VSiCM1H芯片的62mm半橋模塊系列產品擴展1200V的62mmCoolSiCMOSFET半橋模塊現已上市。由于采用了M
發表于 06-26 08:14
?449次閱讀
在成功發布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后,先導中心再度展現了其技術實力,推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
發表于 05-09 14:25
?676次閱讀
近日,瞻芯電子正式推出一款車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG3
發表于 04-07 11:37
?1812次閱讀
全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站
發表于 03-06 11:43
?909次閱讀
評論