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慧能泰半導體推出內置超低阻抗N-MOS的PD協議芯片HUSB381

慧能泰半導體 ? 來源:慧能泰半導體 ? 2023-06-27 10:17 ? 次閱讀

芯品發布

USB PD Source

HUSB381是慧能泰半導體全新推出的一款高性能、小尺寸的USB PD Source芯片,支持18 W~65 W功率輸出,有利于小型化快充電源設計。HUSB381 符合最新Type-C 2.1和USB PD3.1標準,支持5 V、9 V、12 V、15 V和20 V FPDO和2個可編程的APDO。HUSB381具有高集成度,內置了超低阻抗的N-MOS,HUSB381采用ESSOP-10L封裝,適用于各類AC-DC電源適配器、車載充電器等應用。

HUSB381內置超低阻抗的N-MOS,在大電流(比如5 A)工作狀態下可以降低功率損耗。

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圖1、HUSB381參考設計電路

面對目前市場上18 W~65 W單C口快充的需求,以上設計支持自由設定PD輸出電壓電流,同時還支持恒壓恒流控制。簡單的外圍設計大大降低了設計難度并減少了BOM成本,滿足了高效、小型化的設計需求。

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圖2、HUSB381參考設計小板

產品特性

符合USB Type-C 2.1和USB PD3.1標準

支持5V、9V、12V、15V和20VFPDO

支持2個可編程的APDO

低至5 mA的輕載檢測

集成超低阻抗N-MOSFET

多種電纜補償可選

集成OVP、UVP、UVLO、OCP、FOCP、CCOVP、OTP保護

ESSOP-10L 封裝

±2 kV HBM ESD

目前,HUSB381已量產出貨,歡迎聯系慧能泰半導體點擊文末閱讀原文申請樣品。同時,也可聯系我們了解HUSB381更多信息與參考設計。

關于慧能泰半導體

深圳慧能泰半導體科技有限公司是一家專注于智慧能源控制技術的公司,主要面向智能快充和數字能源領域,提供高性能數模混合芯片產品。公司總部設立在深圳前海,同時在上海、浙江杭州、美國加州設有研發中心。慧能泰的核心研發團隊來自國內外頂尖半導體公司,擁有強大的研發創新能力。公司現已獲多項授權專利,擁有獨立自主知識產權,并于2020年被評為“高新技術企業”。

目前,慧能泰已完成了圍繞USB Type-C生態鏈的整體產品布局,開發并量產了多款產品:供電端的多系列PD Source協議芯片,受電端的高性能PD Sink(PD 誘騙芯片)、Type-C端口控制器(CC Logic),線纜端的USB eMarker(電子標簽芯片)。成立以來,慧能泰連續推出多款業界領先的產品并廣受市場歡迎。公司芯片出貨量2億顆,標桿性客戶有聯想、小米、三星、HP、貝爾金和努比亞等。同時,慧能泰也致力于提高能源利用效率、研究能源控制技術,借助自身的技術研發優勢,面向ICT(通信服務器)、數據中心、光伏逆變器、儲能等工業應用,研發數字電源控制芯片高壓驅動芯片、電源轉換芯片和模塊等產品。

慧能泰半導體肩負著“芯智慧 芯能源,共建綠色未來”的使命,立志成為業界領先的智慧能源控制技術供應商。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:內置超低阻抗N-MOS的PD協議芯片HUSB381,解決18W~65W的快充設計需求

文章出處:【微信號:慧能泰半導體,微信公眾號:慧能泰半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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