據(jù)外媒報道,位于英國的量子計算和生物芯片領(lǐng)域新生企業(yè)archer materials結(jié)束了在日前發(fā)布的石墨烯場效應(yīng)晶體管(gfet)的光學光刻技術(shù)驗證后,正在向第一代設(shè)計代工合作伙伴驗證其工藝傳統(tǒng)硅工藝平臺大規(guī)模生產(chǎn)的可行性測試將于2023年年底完成。
公司方面表示:“在評價什么樣的成套設(shè)備及工程最適合archer技術(shù)的運營結(jié)果之后,將與商用成套設(shè)備合作,制作包括石墨烯傳感器的完整的晶圓。”
與此同時,阿徹開始與全球潛在的oem合作伙伴協(xié)商早期少量生產(chǎn)石墨烯芯片的問題,以評估產(chǎn)品的可靠性。
Archer首席執(zhí)行官Mohammad Choucair博士說:“核心傳感器技術(shù)轉(zhuǎn)移到在概念設(shè)計,使我們對生物芯片實現(xiàn)了令人印象深刻的發(fā)展,現(xiàn)在通過外包(outsourcing) oem和兼容,希望可以擴大規(guī)模。”Archer的生物芯片是通過高度敏感的石墨烯材料和強力的數(shù)據(jù)分析,改善芯片上的疾病診斷及健康結(jié)果的設(shè)計。真的會成為‘芯片實驗室’。”
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
隨著半導體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵或圍柵(GAA
發(fā)表于 01-24 10:03
?2010次閱讀
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個工作的場效應(yīng)晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn),但這個想法早在近20年前,即朱利葉斯·埃德加·利利恩
發(fā)表于 01-23 09:42
?75次閱讀
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)和N溝道場效應(yīng)晶體管(N-Channel Field-Effect Transistor,簡稱N溝道
發(fā)表于 10-07 17:28
?571次閱讀
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件,其工作原理和特性對于理解其在電子電路中的應(yīng)用至關(guān)重要。以下將詳細闡述JFET的工作原理和特性。
發(fā)表于 10-07 17:21
?1049次閱讀
場效應(yīng)晶體管以其獨特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類型:JFET(結(jié)型)和MOS-FET(金屬-氧化物半導體場效應(yīng)管),兩者雖同屬單極型晶體管
發(fā)表于 09-27 16:17
?396次閱讀
在選擇場效應(yīng)晶體管(FET)時,需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求,同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細的選擇場效應(yīng)晶體管的指南,包括關(guān)鍵步驟、考慮因素以及具體的應(yīng)用建議。
發(fā)表于 09-23 18:18
?662次閱讀
鐵電場效應(yīng)晶體管是一種基于鐵電材料的新型晶體管技術(shù),其工作原理涉及到鐵電材料的極化反轉(zhuǎn)特性及其對半導體通道電流的調(diào)控。
發(fā)表于 09-13 14:14
?1611次閱讀
對輸出信號的控制。JFET具有結(jié)構(gòu)簡單、工作頻率高、功耗低、易于集成等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于高頻電路、開關(guān)電源、功率放大器等電子系統(tǒng)中。以下是對結(jié)型場效應(yīng)晶體管的詳細解析。
發(fā)表于 08-15 16:41
?1019次閱讀
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡稱BJT,也稱雙極性結(jié)型晶體管)是兩種常見的半導體
發(fā)表于 08-13 17:42
?2185次閱讀
場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應(yīng)等優(yōu)點,在電子技術(shù)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 一
發(fā)表于 08-01 09:13
?934次閱讀
氮化鎵場效應(yīng)晶體管是當今電力電子領(lǐng)域的明星,它正在提高功率轉(zhuǎn)換效率、電機控制和功率密度,有效滿足當前的市場需求和趨勢。
發(fā)表于 07-05 09:20
?718次閱讀
我想了解互補場效應(yīng)晶體管點火和只用一個場效應(yīng)晶體管點火與 PWM 的區(qū)別?
發(fā)表于 05-21 07:24
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶有集成金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器TPS5403數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-25 09:57
?0次下載
場效應(yīng)晶體管是一種常用的半導體器件,用于控制電流的流動。
發(fā)表于 02-22 18:16
?1777次閱讀
繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場來控制機械開關(guān),實現(xiàn)對電路的控制。而場效應(yīng)晶體管(MOS管)是一種基于半導體材料工作的場效應(yīng)晶體管,通過柵極施加正負偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
發(fā)表于 02-18 10:16
?5261次閱讀
評論