衡阳派盒市场营销有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅將引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新潮流?

芯片崛起之路 ? 來(lái)源:芯片崛起之路 ? 2023-07-26 10:33 ? 次閱讀

隨著科技的快速發(fā)展,半導(dǎo)體行業(yè)也在不斷尋求新的材料和工藝,以實(shí)現(xiàn)更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。在這個(gè)過(guò)程中,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸走入了人們的視線。碳化硅將在電子、醫(yī)療、新能源汽車等領(lǐng)域擁有廣泛的市場(chǎng)前景。

碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率等優(yōu)異特性,使其在高溫、高壓、高頻率、大功率等領(lǐng)域具有不可替代的作用。近年來(lái),隨著新能源汽車、智能電網(wǎng)5G通信等領(lǐng)域的的發(fā)展,碳化硅市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng),產(chǎn)業(yè)規(guī)模逐漸擴(kuò)大。據(jù)預(yù)測(cè)到2025年,全球碳化硅市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到17.3億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)27.6%。

在電子領(lǐng)域,碳化硅功率器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用于充電樁、充電器、電源、變頻器,逆變器等領(lǐng)域,能夠提高能源利用效率,減小設(shè)備體積和重量,降低成本。在醫(yī)療領(lǐng)域,碳化硅X射線探測(cè)器具有高靈敏度、低噪聲、高分辨率等優(yōu)點(diǎn),有助于提高疾病診斷效率和治療效果。在汽車領(lǐng)域,碳化硅功率器件能夠提高車輛的能效和可靠性,減少維護(hù)成本,是新能源汽車發(fā)展的重要方向之一。

全球第四大車企、歐洲汽車生產(chǎn)商Stellantis當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二表示,公司已與多家半導(dǎo)體制造商簽署了價(jià)值100億歐元(112億美元)的合同,合同將持續(xù)到2030年,以保證電動(dòng)汽車和高性能計(jì)算功能所需關(guān)鍵芯片的供應(yīng)。

此前,Stellantis預(yù)計(jì),由于電動(dòng)汽車需求增加,汽車芯片短缺的問題將再度出現(xiàn),當(dāng)前的緩解不過(guò)是曇花一現(xiàn)。伴隨著汽車軟件功能的爆發(fā)式增長(zhǎng),未來(lái)幾年面臨芯片短缺的嚴(yán)重風(fēng)險(xiǎn)急劇增加,距離下一次缺芯危機(jī)只是時(shí)間問題。

汽車中有數(shù)百種非常不同的半導(dǎo)體,需要建立一個(gè)全面的生態(tài)系統(tǒng),以降低一個(gè)芯片缺失可能導(dǎo)致生產(chǎn)線停工的風(fēng)險(xiǎn)。該公司還在與芯片制造英飛凌、恩智浦半導(dǎo)體、安森美半導(dǎo)體和高通合作,進(jìn)一步改進(jìn)其汽車平臺(tái)和技術(shù)。

與半導(dǎo)體制造商新簽訂的供應(yīng)協(xié)議將涵蓋各種芯片類型。以延長(zhǎng)電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程而聞名的碳化硅芯片以及有效運(yùn)行電動(dòng)汽車所需的計(jì)算芯片也將被涵蓋在內(nèi)。此外,還將采用高性能計(jì)算芯片,提供先進(jìn)的信息娛樂和自動(dòng)駕駛輔助功能。

通過(guò)積極應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈挑戰(zhàn),旨在利用尖端芯片技術(shù),鞏固其在電動(dòng)汽車市場(chǎng)的地位,并確保為客戶提供安全的駕駛體驗(yàn),與半導(dǎo)體制造商的長(zhǎng)期合同和合作伙伴關(guān)系反映了Stellantis對(duì)創(chuàng)新、可持續(xù)性和彈性的承諾,該行業(yè)越來(lái)越依賴未來(lái)車輛的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案。

目前,碳化硅市場(chǎng)還面臨一些挑戰(zhàn),如成本較高、工藝不夠成熟、產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定等。為了解決這些問題,行業(yè)內(nèi)的企業(yè)正在加強(qiáng)技術(shù)研發(fā),推進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新,加快市場(chǎng)應(yīng)用推廣。同時(shí),政府也出臺(tái)了一系列政策,支持碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

總的來(lái)說(shuō),隨著應(yīng)用需求的不斷增長(zhǎng)和工藝技術(shù)的逐步成熟,碳化硅將成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新風(fēng)口。在未來(lái)的發(fā)展中,碳化硅行業(yè)需要加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)協(xié)同和創(chuàng)新應(yīng)用,進(jìn)一步提高產(chǎn)品質(zhì)量和降低成本,為推動(dòng)新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信等領(lǐng)域的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。同時(shí),政府和企業(yè)應(yīng)該加強(qiáng)對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)的支持和投入,共同推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展和壯大。





審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 新能源汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    141

    文章

    10625

    瀏覽量

    100129
  • 智能電網(wǎng)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    35

    文章

    2949

    瀏覽量

    116510
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27714

    瀏覽量

    222662
  • 探測(cè)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    14

    文章

    2653

    瀏覽量

    73252
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2829

    瀏覽量

    49275

原文標(biāo)題:碳化硅的下一個(gè)風(fēng)口:引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新潮流!

文章出處:【微信號(hào):芯片崛起之路,微信公眾號(hào):芯片崛起之路】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?246次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅M
    發(fā)表于 01-22 10:43

    安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)

    此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美(
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:18 ?193次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議

    ????????意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議,保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全。
    的頭像 發(fā)表于 12-05 10:41 ?320次閱讀

    碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢(shì),其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新一代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對(duì)碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?458次閱讀

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對(duì)比

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟,以下是對(duì)SiC制造工藝的詳細(xì)介紹: 原材料選擇與預(yù)處理 SiC生產(chǎn)的基礎(chǔ)在于原材料的精選。多用純凈
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:32 ?2165次閱讀

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),使得碳化硅功率器件在高溫
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?879次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    探索新潮流 — AI服務(wù)器引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心的發(fā)展

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《探索新潮流 — AI服務(wù)器引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心的發(fā)展.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 07-26 13:35 ?364次下載

    納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

    納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,包括650V和1200V
    的頭像 發(fā)表于 06-11 16:24 ?1065次閱讀

    意法半導(dǎo)體與吉利汽車深化碳化硅器件合作

    近日,汽車電子領(lǐng)域的佼佼者意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)與全球知名汽車及新能源汽車制造商吉利汽車集團(tuán)宣布了一項(xiàng)重要合作。雙方已簽署碳化硅(SiC)器件的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,標(biāo)志著雙方在原有合作基礎(chǔ)上,對(duì)碳化硅器件的聯(lián)合研發(fā)與應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 06-04 14:30 ?741次閱讀

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來(lái)

    碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET(金屬氧化物
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?520次閱讀

    國(guó)內(nèi)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)迎來(lái)高速增長(zhǎng)

    電動(dòng)汽車和新能源的需求蓬勃增長(zhǎng)正在推動(dòng)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)的擴(kuò)張。中國(guó)的碳化硅外延片生產(chǎn)商,在瀚天天成和天域半導(dǎo)體十多年的積累后,乘著新能源的東風(fēng),在全球市場(chǎng)中迅速崛起。
    的頭像 發(fā)表于 04-16 13:42 ?496次閱讀
    國(guó)內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>元件市場(chǎng)迎來(lái)高速增長(zhǎng)

    碳化硅芯片設(shè)計(jì):創(chuàng)新引領(lǐng)電子技術(shù)的未來(lái)

    隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,在功率電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造是實(shí)現(xiàn)其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵環(huán)節(jié),本文將對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:23 ?1267次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>芯片設(shè)計(jì):創(chuàng)新<b class='flag-5'>引領(lǐng)</b>電子技術(shù)的未來(lái)

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后一層黃銅作為電觸點(diǎn)
    發(fā)表于 03-08 08:37
    大发888娱乐场金沙| 太阳城线上娱乐| 网上百家乐大转轮| 百家乐官网打立了| 鄱阳县| 大发888开户注册哪家好| 如何赢百家乐的玩法技巧和规则 | 姚记百家乐官网的玩法技巧和规则 | 百家乐辅助分析软件| 大集汇百家乐官网的玩法技巧和规则| 百家乐官网大路小路| 萍乡市| 百家乐注册| 大发888在线娱乐百家乐| 百家乐e78| 百家乐小型抽水泵| 三公百家乐官网在哪里可以玩| 百家乐官网网上赌有作假吗| 网上百家乐官网分析软件| 左权县| BET365体育在线| 澳门美高梅赌场| 幸运水果机下载| 凯斯百家乐的玩法技巧和规则 | 澳门百家乐官网国际娱乐城| 开原市| 禹州市| 足球投注网址| 足球注册网站| 香港六合彩全年资料| 大发888虎牌官方下载| 百家乐官网棋牌游戏币| 百家乐官网平台注册| 百家乐官网l路单| 百家乐官网包赢| 真人百家乐官网试玩游戏| 百家乐官网平玩法lm0| 百家乐官网是骗人的| 哪个百家乐官网最好| 昌平区| 百家乐官网中P代表|