二維(2D)材料由于原子級超薄、可調(diào)帶隙和優(yōu)異的光電性質(zhì),在柔性光電子學領域有著巨大的潛力。利用應變誘導的壓電勢或壓電極化電荷可以調(diào)控二維材料界面載流子的傳輸和光電過程,這種將壓電、半導體特性、光激發(fā)三者耦合產(chǎn)生的壓電光電子學效應推動了新型二維材料光電器件的開發(fā),特別是壓電光電子學增強的光電探測、光電化學、氣體傳感和太陽能電池等方向。
據(jù)麥姆斯咨詢報道,針對近年來二維材料在壓電光電子學領域取得的研究進展,中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士、翟俊宜研究員等人進行了綜述分析,在《中國科學》期刊發(fā)表了題為“基于二維材料的壓電光電子學器件”的綜述文章,重點介紹了壓電光電子學的基本原理以及壓電光電子學效應調(diào)制的基于二維材料光電探測器、光電催化、氣體傳感器、太陽能電池的最新研究進展,并對這一新興領域未來的挑戰(zhàn)和科學突破進行了展望。
基于二維材料的壓電光電子學器件的原理是以應變誘導的電荷作為“門”電壓調(diào)控二維壓電半導體局部界面的載流子濃度和分布或者能帶結(jié)構(gòu),從而實現(xiàn)機械信號可調(diào)的光電性能,這為主動式柔性光電子學的實現(xiàn)開拓了新的道路。
壓電光電子學效應
壓電光電子學效應的調(diào)控機理
隨著材料合成在分子水平取得重要發(fā)展,二維材料中的壓電性越來越受到關注。六方二維半導體材料例如TMDCs (MX2, M=Mo, W; X=S, Se, Te),由于非中心對稱結(jié)構(gòu)具有本征壓電性,是低維壓電材料的理想候選者。此外,金屬和半導體之間形成肖特基接觸的器件是壓電光電子學的研究熱點之一。當金屬和半導體接觸時,在結(jié)區(qū)發(fā)生了電荷的重新分配,兩邊費米能級對齊達到熱平衡狀態(tài),并在金屬-半導體(M-S)界面形成肖特基勢壘。對于具有良好壓電性的半導體,半導體一側(cè)附近的壓電電荷可以有效地調(diào)制肖特基勢壘高度(SBH),從而調(diào)節(jié)器件的電學輸運特性。與應變誘導的壓電電荷改變M-S接觸界面的SBH機理類似,p-n結(jié)處的能帶也可以由壓電電荷來調(diào)制,因此p-n結(jié)也是壓電光電子學中的常用結(jié)構(gòu)之一。
金屬-半導體肖特基接觸界面和p-n結(jié)界面的壓電光電子學效應
基于二維材料的壓電光電子學研究進展
光電探測器是通過將吸收的光子能量轉(zhuǎn)換為電信號來測量光子通量或光功率的器件。對于肖特基或p-n結(jié)型光電探測器,界面處能帶結(jié)構(gòu)的精準調(diào)控決定了器件的光電性能。近年來,二維層狀半導體由于帶隙可調(diào)、高遷移率和優(yōu)越的機械性能,廣泛應用于光電子、柔性器件等領域。傳統(tǒng)基于二維材料的界面調(diào)控通常通過硬質(zhì)襯底上施加靜電偏壓實現(xiàn)。然而,當制備柔性光電器件時,復雜制造工藝(如制備高質(zhì)量的柵介質(zhì)層)的引入和界面態(tài)的存在可能會降低電學性能。由于許多單原子層的二維材料具有本征壓電性,因此壓電光電子學效應可以作為界面調(diào)控的新型方法。
壓電光電子學效應調(diào)制的光電探測器
利用光催化或光電催化裂解水制氫和降解有機污染物被認為是當前能源可持續(xù)發(fā)展和環(huán)境整治最有前景的方法。催化過程中光生載流子在半導體表面的復合和捕獲是抑制光催化性能的重要因素。施加應變和光照時,應變誘導的內(nèi)建電場和催化劑的能帶彎曲可以持續(xù)促進載流子的分離。同時對光催化劑界面能帶結(jié)構(gòu)的調(diào)制同樣可以影響載流子的傳輸,最終影響光催化性能。二維少層MoS2同時具有壓電性和半導體特性,當打破其層間作用力暴露出更多的邊緣活性位點時可以提高催化性能,因此可以作為一種壓電輔助催化劑。
壓電光電子學效應調(diào)制的光電化學反應
未來的電子傳感系統(tǒng)需要高比表面積和超高靈敏度的氣體傳感器,而以往的傳感器均受限于較低的靈敏度、高成本和復雜的制造工藝。壓電光電子學效應增強的NO2傳感器在未來小型化、便攜式和超靈敏氣體傳感系統(tǒng)中表現(xiàn)出良好的應用前景。
此外,太陽能電池是一種通過光伏效應將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的器件,利用p-n結(jié)或者M-S接觸的內(nèi)建電場來對入射光誘導的電子-空穴對進行分離。目前壓電光電子學效應增強太陽能電池多采用基于第三代半導體量子點、納米線和薄膜的材料體系。二維材料具有獨特的光電特性,但目前基于二維材料的壓電光電子學效應調(diào)制太陽能電池還處在理論模型階段。
壓電光電子學效應調(diào)制的氣體傳感器和太陽能電池
研究展望
二維材料的超薄層狀結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理、化學性質(zhì)為研究壓電光電子學提供了理想的平臺。目前已經(jīng)證明了壓電光電子學效應在基于二維材料的各種應用中的潛力,包括自供電系統(tǒng)、人機接口、光電傳感、能量收集和環(huán)境檢測等。
盡管這一新興領域取得了巨大的進展,但要全面了解并充分發(fā)展壓電光電子學,仍然面臨著巨大的挑戰(zhàn)。(1)需要繼續(xù)探索二維材料的壓電性。(2)二維壓電光電子器件的穩(wěn)定性和可靠性需要重視。(3)將二維材料的壓電性與其他有趣的性質(zhì),如熱電性、鐵磁性、超導或自旋電子學有機結(jié)合,以促進產(chǎn)生新的技術應用或新物理學的科學突破。(4)需要更可行的表征方法來直接探測界面動力學和記錄應變時壓電極化電荷的動態(tài)分布。(5)需要計算并確認壓電電荷在不同缺陷中影響電子和空穴的定量關系。(6)二維材料的生長工藝需要進一步發(fā)展。這些研究對于合理設計、優(yōu)化壓電光電子學器件、推動器件實用化進程和進一步發(fā)展學科體系至關重要。
審核編輯:劉清
-
傳感器
+關注
關注
2553文章
51390瀏覽量
756575 -
太陽能電池
+關注
關注
22文章
1192瀏覽量
69569 -
半導體
+關注
關注
334文章
27703瀏覽量
222628 -
光電探測器
+關注
關注
4文章
267瀏覽量
20606 -
柔性電子
+關注
關注
4文章
181瀏覽量
16026
原文標題:綜述:基于二維材料的壓電光電子學器件
文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
光電子半導體市場新趨勢
![<b class='flag-5'>光電子</b>半導體市場新趨勢](https://file1.elecfans.com/web3/M00/06/25/wKgZPGeIX52ALYltAAAYofxsBig893.png)
雷鈺團隊及合作者在二維材料缺陷調(diào)控及生物應用等領域取得新進展
![雷鈺團隊及合作者在<b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>材料</b>缺陷調(diào)控及生物應用等領域取得新進展](https://file1.elecfans.com/web3/M00/04/6C/wKgZO2dzZwSAMxliAABPbq13b5k072.png)
半導體所在PZT光電子材料與器件領域取得重大突破
![半導體所在PZT<b class='flag-5'>光電子</b><b class='flag-5'>材料</b>與<b class='flag-5'>器件</b>領域取得重大突破](https://file1.elecfans.com/web3/M00/01/36/wKgZO2dRadaAH8UtAAAqImRlvnU629.png)
工業(yè)二維碼讀碼器在電子制造業(yè)中的應用
![工業(yè)<b class='flag-5'>二維</b>碼讀碼器在<b class='flag-5'>電子</b>制造業(yè)中的應用](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F4/FD/wKgaoWc0YNaALXezAADNGUSAo34714.png)
AFM | 二維材料MXene的光電轉(zhuǎn)換與儲能進展
![AFM | <b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>材料</b>MXene的<b class='flag-5'>光電</b>轉(zhuǎn)換與儲能進展](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/D6/poYBAGJqO-mASPG4AAAes7JY618194.jpg)
一種基于深度學習的二維拉曼光譜算法
![一種基于深度學習的<b class='flag-5'>二維</b>拉曼光譜算法](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F4/74/wKgZoWcsE1uAWKUPAAAnXwBb5kU798.png)
ATA-4052C高壓功率放大器在二維壓電平臺研究中的應用
![ATA-4052C高壓功率放大器在<b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>壓電</b>平臺研究中的應用](https://file1.elecfans.com/web2/M00/07/72/wKgZombxEYGADSbRAADL6UInDEY963.png)
寬禁帶半導體材料有哪些
二維材料 ALD 的晶圓級集成變化
![<b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>材料</b> ALD 的晶圓級集成變化](https://file1.elecfans.com//web2/M00/F3/3D/wKgaomZ5E9uAK-RKAACWrpxNN2Q599.jpg)
膠體量子點和二維材料異質(zhì)結(jié)光電探測器應用綜述
![膠體量子點和<b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>材料</b>異質(zhì)結(jié)<b class='flag-5'>光電</b>探測器應用<b class='flag-5'>綜述</b>](https://file1.elecfans.com/web2/M00/E7/C8/wKgaomZJUeuAIdwNAAAysLuMd9E719.png)
光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地即將全面投產(chǎn)
PyLoN&HRS-750應用 | 理解重離子的影響與使用聚焦離子束在加工大面積單層WS2時精調(diào)其光學性質(zhì)的探究
![PyLoN&HRS-750應用 | 理解重離子的影響與使用聚焦離子束在加工大面積單層WS2時精調(diào)其光學性質(zhì)的探究](https://file1.elecfans.com//web2/M00/E2/46/wKgaomY5Wr-AROYmAAE2oM2qBW0228.png)
基于壓電效應的光電子集成技術研究進展綜述
![基于<b class='flag-5'>壓電</b>效應的<b class='flag-5'>光電子</b>集成技術研究進展<b class='flag-5'>綜述</b>](https://file1.elecfans.com/web2/M00/CA/7B/wKgZomYfIfOAN347AAAXi0WGsPs765.png)
評論