IPAC | 2023年度英飛凌碳化硅直播季第一場直播于5月23日順利結束。直播中英飛凌的三位工程師孫輝波、趙佳、郝欣與大家探討了CoolSiC溝槽柵MOSFET的設計理念、高性能封裝互聯方案.XT、冷切割技術與應用。直播時間有限，未能回答全部觀眾問題，在此針對一些遺漏問題進行回答。

英飛凌的SiC MOS不需要負壓吧？

答：如果單純的從抑制寄生導通的角度看，對于一個設計良好的電路，英飛凌SiC MOSFET是不需要用負壓關斷的。但是負壓對關斷損耗有影響。

能不能出一期關于可靠性壽命的主題？

答：英飛凌于2020年就推出了關于碳化硅器件可靠性白皮書How Infineon controls and assures the reliability of SiC based power semiconductors，中文版閱讀具體可參見文章 ：《英飛凌如何控制和保證基于SiC的功率半導體器件的可靠性》。

電荷集中在溝槽附近，特別是彎曲率高的地方，英飛凌做了什么補救措施？

答：英飛凌采用非對稱溝槽柵結構，溝槽的一側設有深P阱，P阱包圍溝槽倒角，可以大大舒緩電場在溝槽倒角處的聚集。

碳化硅閾值電壓漂移的問題怎么解決的？

答：閾值漂移，本質上是柵極氧化層中的缺陷，捕獲了不該屬于它的電子，氧化層中電子日積月累，就會造成閾值降低。所以要規避這種現象，芯片設計中要改善氧化層的質量。M1H就是改善了氧化層的質量，實現了方形門極電壓操作曲線，也就是說不管什么開關頻率，都可以使用負壓下限-10V了。

我看到1700V的SiC管子做到12V驅動電壓了，如何能做到這么低還保證閾值電壓的呢？

答：目前英飛凌1700V SiC MOSFET主要面向應用是輔助電源，12V驅動電壓主要是為了和大部分反激式控制器兼容。也可以采用15V的驅動電壓主，如果用15V驅動，導通損耗會更低。

Cox是什么電容，和cgs,cgd有啥關系？

答：下圖是IGBT內部的寄生電容示意圖，MOSFET同理。可以看到Cox是多晶硅柵極對襯底的電容，以柵極氧化層為介質，包括下圖中的C2,C3,C4。其中，C3,C4是輸入電容Cge的一部分，C2是Cgc的一部分。溝道電阻的公式中出現的Cox特指C3。

動態HTGB和穩態HTGB對比，哪一個更嚴格？

答：如果動態HTGB是指GSS-Gate switching stress，那么GSS與HTGB考查的是不同維度的內容，GSS考查的是SiC MOSFET在多次開關周期后閾值的漂移程度，而HTGB考查的是長期的柵極偏壓應力下柵氧化層的退化程度。兩者對于評估SIC MOS的可靠性來說都是不可或缺的，不存在哪一個更嚴格。