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文末有福利

如今，開發電子電力器件的難度不斷飆升，如何在滿足綠色低碳和和持續發展的要求下既不斷提升效率和功率性能，同時又不斷降低成本和縮減尺寸呢？

我們發現，氮化鎵(GaN)是一種新型寬帶隙化合物，為功率轉換解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術有助于實現上述目標，隨著該項技術商用步伐的加快，在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。

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▲GaN晶體管優點

與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優點呢？GaN在品質因數(FoM)、導通電阻 (RDS(on))和總柵電荷(QG)方面的表現更出色，提供高漏源電壓能力、零反向恢復電荷（在共源共柵器件中可以忽略）和極低的本征電容。先進的GaN技術解決方案可以提高功率轉換效率，在滿足極其嚴格的能源要求的同時實現更高的功率密度，它的工作頻率更高，器件外觀更為緊湊。

意法半導體最近宣布，已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER GaN晶體管是基于氮化鎵(GaN)的高效晶體管，提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統、工業電源、可再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。

該系列先期推出的兩款產品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工業級650V常關G-HEMT晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(RDS(on))分別為75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的總柵極電荷和低寄生電容確保晶體管具有最小的導通/關斷能量損耗。開爾文源極引腳可以優化柵極驅動。除了減小電源和適配器的尺寸和重量外，兩款新GaN晶體管還能實現更高的能效、更低的工作溫度和更長的使用壽命。

意法半導體的G-HEMT器件將加速功率轉換系統向GaN寬帶隙技術過渡。GaN晶體管的擊穿電壓和導通電阻RDS(on)與硅基晶體管相同，而總柵極電荷和寄生電容更低，且無反向恢復電荷。這些特性提高了晶體管的能效和開關性能，可以用更小的無源器件實現更高的開關頻率，提高功率密度。因此應用設備可以變得更小，性能更高。未來，GaN還有望實現新的功率轉換拓撲結構，進一步提高能效，并降低功耗。

意法半導體PowerGaN分立器件的產能充足，能夠支持客戶快速量產需求。SGT120R65AL和SGT65R65AL現已上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封裝。

在接下來的幾個月里，意法半導體還將推出新款PowerGaN產品，即車規器件，以及更多的功率封裝形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封裝。讓我們拭目以待！

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有獎問答互動

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?活動時間：即日起-8月10日；

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溫馨提示：

1.本活動僅限電子及相關行業從業者、相關專業在校大學生參與；

2.如有任何作弊行為，將取消活動參與資格；

3. 本活動最終解釋權歸意法半導體中國所有。

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