硅光是以光子和電子為信息載體的硅基電子大規模集成技術，能夠突破傳統電子芯片的極限性能，是5G通信、大數據、人工智能、物聯網等新型產業的基礎支撐。準確測量硅光芯片內部鏈路情況，讓硅光芯片設計和生產都變得十分有意義。

光纖微裂紋診斷儀（OLI）對硅光芯片耦合質量和內部裂紋損傷檢測非常有優勢，可精準探測到光鏈路中每個事件節點，具有靈敏度高、定位精準、穩定性高、簡單易用等特點，是硅光芯片檢測的不二選擇。

使用OLI測量硅光芯片內部情況，分別測試正常和內部有裂紋樣品，圖1為耦合硅光芯片實物圖。

圖1 耦合硅光芯片實物圖

OLI測試結果如圖2所示。圖2（a）為正常樣品，圖中第一個峰值為光纖到波導耦合處反射，第二個峰值為連接處到硅光芯片反射，第三個峰為硅光芯片到空氣反射；圖2（b）為內部有裂紋樣品，相較于正常樣品在硅光芯片內部多出一個峰值，為內部裂紋表現出的反射。使用OLI能精準測試出硅光芯片內部裂紋反射和位置信息。

（a）正常樣品

（b）內部有裂紋樣品

圖2 OLI測試耦合硅光芯片結果

使用OLI測試能快速評估出硅光芯片耦合質量，并精準定位硅光芯片內部裂紋位置及回損信息。OLI以亞毫米級別分辨率探測硅光芯片內部，可廣泛用于光器件、光模塊損傷檢測以及產品批量出貨合格判定。