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FP5207 是非同步升壓控制 IC，透過 EXT Pin 控制外部 NMOS，輸入低啟動電壓 2.8V 與寬工作電壓 5V~24V，

單節鋰電池 3V~4.2V 應用，將 Vout 接到 HVDD Pin；精準的反饋電壓 1.2V，內置軟啟動，工作頻率由外部電阻調整；過電流保護，檢測電感峰值電流，檢測電阻 Rcs 接在開關 NMOS Source 端與地之間。

特色

? 啟動電壓 2.8V

? 工作電壓范圍 5V~24V

? 反饋電壓 1.2V (±2%)

? 關機耗電流小于 3μA

? 可調工作頻率 100kHz~1000kHz

? 內置軟啟動

? 輸入低電壓保護(UVP)

? 可調過電流保護(OCP)

? 過溫保護(OTP)

? 封裝 SOP-8L(EP)

應用范圍

? 藍牙音響

? 充電器

? 移動電源

? 攜帶式產品

IC 內部方塊圖

PIN 腳描述

SOP-8L (EP)

特性曲線

(環境溫度 25°C)應用電路圖

應用電路圖

應用元件

? C1、C7：輸入與輸出穩壓電容。

? C2、C6、C8：高頻噪聲濾波電容。

? C3：輸入電源接 HVDD 經過內部穩壓管到 VDS 產生 8V，此電壓會提供內部電路與 EXT Pin驅動外部 Q2 的閘極，需要加穩壓電容。

? C4、C5、C13、R1、R5：系統的補償回路，關系到系統的穩定度。

? L1：電感具有儲能與濾波功用，感值越大電感漣波越小，相對感值越小漣波越大。選用電感

需注意電感是否適合高頻操作，及電感額定飽和電流值。

? D1：當 Q2 截止時，D1 蕭特基管導通提供電感放電回路。

? Q2：使用內阻低的 NMOS，Drain 端高電壓等于輸出 19V，耐壓選用 19V 的 1.5 倍。

? R3：Vin 與 EN 之間接 200kΩ，自動啟動 IC。

? R6：調整工作頻率電阻。

? R11、R12：分壓電阻設定輸出電壓。

? R8：預留作為 EMI 對策。

? Rcs：電感峰值電流檢測與過電流保護電阻。

功能說明

a. 軟啟動

IC 啟動時，利用軟啟動限制 PWM 占空比，讓占空比慢慢打開，避免瞬間輸入涌浪電流過大。

b. EN 開關控制

如下分壓電阻 R3、R4 連接 Vin 與 EN，可以調整 FP5207 開啟與關閉電壓，當 EN 超過 1.5V 開啟，EN 低于 1.3V 關閉，遲滯電壓 0.2V 可以避免 IC 反覆開關；EN 低于 1.3V 時 EXT PWM 訊號、VDS 電壓都會被關閉，HVDD 耗電流小于 3μA；不設定開啟與關閉電壓，R3 接 200kΩ、 R4 不接，EN 內部拑位電路限制VEN<5.5V，此外 EN Pin 不能空接(懸空)。HVDD 電壓低于 5V，不能使用 R3、R4 控制 EN 開關，例如單節鋰電池3V~4.2V，輸出端接到 HVDD，當 Vin 降低 EN 關閉，輸出不升壓，HVDD 趨近 Vin，就會低于 5V。

c. 工作頻率

RT Pin 與地之間接電阻調整工作頻率，頻率范圍 100kHz ~ 1000kHz，對應電阻 220kΩ ~ 17kΩ；當 RT Pin

不接電阻(懸空)，FP5207 內部預設頻率 150kHz，以下是電阻值對應工作頻率圖與計算公式。

d. 過電流保護

過電流檢測電阻 RCS 連接 Q2 Source 端與地之間，Q2 打開電感電流通過 RCS 產生 VCS，CS檢測 VCS 峰值電壓，以下公式計算 RCS，0.085V 是 CS 檢測電壓下限值，ILP 是電感峰值電流，常數 1.3 是提供 30%的誤差范圍，避免 RCS,電感,頻率誤差，而誤觸發過電流保護。當觸發過電流保護，EXT 占空比會縮小，限制電感電流，避免 Q2 損傷。

電感平均電流(輸入電流)

e. 過溫保護

當 IC 內部芯片溫度達到 150℃時，會將 IC 關閉，等溫度降低到 120℃再恢復升壓。

應用說明

a. 輸入低電壓應用

輸入電壓低于 5V，象是單節鋰電池應用，將 HVDD Pin 接到 Vout，如果 Vout=5V~8.5V，可以將 VDS Pin接 Vout；雙節鋰電池 6V~8.4V，HVDD 接輸入，也可以將 VDS 接輸入，提高 EXT 驅動 MOS Gate 電壓，會提升轉換效率；輸入高于 8.5V，HVDD 接輸入，VDS 不接輸入。

b. 電感計算

c. 電容與蕭特基選用

MLCC 陶瓷電容選用 X5R,X7R 材質，不建議使用 Y5V 材質(內阻高，電容值隨溫度變化大)；蕭特基選用低導通電壓，平均電流大于輸入與電感峰值電流，耐壓大于輸出電壓的 1.5 倍。

d. 輸出電壓設定

輸出端到 FB 接 R11，FB 到地接 R12，輸出電壓計算公式如下，1.2V 是 FB 反饋電壓。

e. 布板說明

? 大電流路徑走線要粗，鋪銅走線最佳。

? 開關切換連接點 L1、Q2 的 Drain 端與 D1，走線要短與粗，鋪銅走線最佳。

? 輸入電容 C6 靠近 HVDD 與 GND Pin，達到穩壓與濾波功效。

? 分壓電阻 R11/R12 靠近 FB 與 GND Pin。

? FB Pin 遠離開關切換點 L1、Q2 的 Drain 與 D1，避免受到干擾。

? 輸入電容 C1/C2 的地、輸出電容 C7/C8 與 Rcs 的地，鋪銅走線，上下層地多打洞連接。

? 輸出電容 C7/C8 的地一定要靠近 Rcs 的地，可以降低開關切換突波，降低輸出高頻噪聲。

? Rcs 靠近 CS 與 GND pin。

? 板子多余空間建議鋪地。

f. EMI 對策

R8 磁珠規格如下，R9 與 C9 兩者靠近，且要靠近 Q2 的 Drain 與 Source；R10 與 C10 兩者靠近，且要靠近D1；輸出 L2 磁珠規格如下；輸出電容 C8 的地靠近 Rcs 地。測試條件 Vin=9V、Vout=19V、Iout=3A，如下測試結果垂直低標 7.33dB、水平低標 15.33dB。