半導體器件 semiconductor device 通常利用不同的半導體材料, 采用不同的工藝和幾何結構, 已研制出種類繁多, 功能用途各異的多種晶體二極管, 晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻, 高頻, 微波, 毫米波, 紅外直至光波. 三端器件一般是有源器件, 典型代表是各種晶體管 ( 又稱晶體三極管 ). 晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應晶體管兩類.
半導體特殊器件檢漏原因
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間, 利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件, 可用來產生, 控制, 接收, 變換, 放大信號和進行能量轉換, 對密封性的要求極高, 如果存在泄漏會影響其使用性能和精度, 光通信行業的漏率標準是小于 5×10-8mbar.l/s, 因此需要進行檢漏.
半導體特殊器件檢漏客戶案例: 某知名半導體公司, 通過上海伯東推薦采購氦質譜檢漏儀 ASM 340
半導體特殊器件檢漏方法
由于器件體積小, 且無法抽真空或直接充入氦氣, 而氦檢漏又離不開氦氣作為示蹤氣體, 所以上海伯東推薦采用”背壓法”檢漏, 具體做法如下:
1. 將被檢器件放入真空保壓罐, 壓力和時間根據漏率大小設定
2. 取出器件, 使用空氣或氮氣吹掃表面氦氣
3. 將器件放入真空測試罐, 測試罐連接氦質譜檢漏儀
4. 啟動氦質譜檢漏儀, 開始檢測
”背壓法”圖示
氦質譜檢漏儀 ASM 340 優點
1. 前級泵配備旋片泵(油泵)Adixen Pascal 1015I 抽速高達15 m3/h
2. 分流式分子泵 Pfeiffer Splitflow 50 對氦氣抽速 2.5 l/s
3. 氦質譜檢漏儀 ASM 340 對氦氣的最小檢測漏率:
真空模式: 5E-13 Pa m3/s
吸槍模式: 5E-10 Pa m3/s 目前業界公認最小漏律
4. 移動式操作面板(有線, 無線)
5. 集成 SD卡, 方便資料處理
6. 抗破大氣, 抗震動, 降低由操作失誤帶來的風險性
7. 豐富的可選配件, 如吸槍, 遙控器, 小推車, 旁路裝置, 標準漏孔等
8. 檢測時間短
![氦質譜檢漏儀 ASM340](https://file.elecfans.com/web2/M00/57/49/poYBAGLh40-AXX4xAAFb-EzMgFM415.jpg)
氦質譜檢漏儀 ASM 340 技術參數:
型號 | ASM 340 W | ASM 340 D | ASM 340 I |
對氦氣的最小檢測漏率 | 5E-13 Pa m3/s | 5E-13 Pa m3/s | 5E-13 Pa m3/s |
檢測模式 | 真空模式和吸槍模式 | 真空模式和吸槍模式 | 真空模式和吸槍模式 |
檢測氣體 | 4He, 3He, H2 | 4He, 3He, H2 | 4He, 3He, H2 |
啟動時間 min | 3 | 3 | 3 |
對氦氣的抽氣速度 l/s | 2.5 | 2.5 | 2.5 |
進氣口最大壓力 hPa | 25 | 25 | 5 |
前級泵抽速 m3/h | 油泵 15 | 隔膜泵 3.4 | 不含前級泵 |
重量 kg | 56 | 45 | 32 |
若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請聯絡上海伯東葉女士
-
半導體器件
+關注
關注
12文章
766瀏覽量
32184
發布評論請先 登錄
相關推薦
功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計
![功率<b class='flag-5'>器件</b>熱設計基礎(十二)——功率<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>器件</b>的PCB設計](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
耐能與沙特阿拉伯國家半導體中心達成戰略合作
BJT與其他半導體器件的區別
上海伯東IBE離子束刻蝕機優勢
![<b class='flag-5'>上海</b><b class='flag-5'>伯</b>東IBE離子束刻蝕機優勢](https://file1.elecfans.com/web3/M00/00/15/wKgZPGdGfw2AUZx4AAAXTplxbH0914.jpg)
功率半導體器件測試解決方案
![功率<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>器件</b>測試解決方案](https://file1.elecfans.com/web2/M00/07/07/wKgaombiSCyABhFKAANDLdfizhg584.jpg)
全控型電力半導體器件有哪些
華大半導體旗下小華半導體獲評2024年上海市質量標桿企業
沙特阿拉伯進軍半導體,全球半導體市場競爭趨于白熱化
沙特阿拉伯成立國家半導體中心
瑞能微瀾半導體研發中心落戶上海徐匯
![瑞能微瀾<b class='flag-5'>半導體</b>研發中心落戶<b class='flag-5'>上海</b>徐匯](https://file1.elecfans.com/web2/M00/EB/74/wKgaomZZInmAEIytAAAaUAv0TR4489.jpg)
評論