1.數(shù)據(jù)中心:綠色能源和低碳排放
談到數(shù)據(jù)中心對企業(yè)級SSD的需求,一般會(huì)講到高性能、穩(wěn)定、可靠、數(shù)據(jù)安全及其他等需求,但SSD能耗比(性能/功耗)在數(shù)據(jù)中心越來越受到用戶的關(guān)注。這如同不斷升級的手機(jī)芯片,提供更高的能耗比,給手機(jī)用戶帶來更高的性能和更好的續(xù)航體驗(yàn)。
2020年10月,國家提出“雙碳”戰(zhàn)略,碳中和和碳達(dá)峰被寫入政府工作報(bào)告。對于數(shù)據(jù)中心來說,它既是數(shù)字經(jīng)濟(jì)的底座,也是耗能大戶。為了響應(yīng)國家“雙碳”戰(zhàn)略,未來新建的數(shù)據(jù)中心有著統(tǒng)一的綠色能源和低碳排放要求,低碳和可持續(xù)發(fā)展成為未來建設(shè)數(shù)據(jù)中心新的重要參考指標(biāo)。
其中,存儲(chǔ)是數(shù)據(jù)中心的重要部件之一,以一臺(tái)12盤位SSD的服務(wù)器為例,典型負(fù)載下,其功耗占比服務(wù)器整機(jī)大約30%左右,是耗能大戶。在滿足數(shù)據(jù)中心性能需求的條件下,降低SSD工作功耗,節(jié)省電費(fèi),進(jìn)而幫助降低數(shù)據(jù)中心的OPEX(運(yùn)營成本),同時(shí)助力提升數(shù)據(jù)中心綠色能源和低碳排放的指標(biāo),什么樣的SSD產(chǎn)品可以給出解決之道?
2.企業(yè)級SSD性能和功耗模型
按SSD功耗設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),工作狀態(tài)下的企業(yè)級SSD通常有功耗上限,參考下表,像U.2 form factor的25W,E1.L 2T的40W及E3.L 2T更高的70W。目前在數(shù)據(jù)中心及企業(yè)級應(yīng)用中,主流U.2 SSD普遍采用25W以下的工作功耗,但讓企業(yè)級U2 SSD在接近25W的功耗下運(yùn)行是非常粗糙且不經(jīng)濟(jì)的做法,因此更低功耗和更高性能的SSD普遍更受到歡迎。
不同企業(yè)級Form factor SSD功耗上限
SSD尺寸 | 寬度/ mm | 長度/ mm | 厚度/ mm | PCIe通道數(shù) | 功耗/ W |
U.2 | 70 | 100 | 7/15 | 2/4 | 25 |
E1.L | 38.4 | 318.75 | 9.5 | 4/8 | 25 |
E1.L 2T | 38.4 | 318.75 | 18 | 4/8 | 40 |
E3.S | 76 | 112.75 | 7.5 | 4/8/16 | 25 |
E3.S 2T | 76 | 112.75 | 16.8 | 4/8/16 | 40 |
E3.L | 76 | 142.2 | 7.5 | 4/8/16 | 40 |
E3.L 2T | 76 | 142.2 | 16.8 | 4/8/16 | 70 |
技術(shù)層面,在談到如何設(shè)計(jì)更高的能耗比企業(yè)級SSD之前,先看下企業(yè)級SSD的性能和功耗模型:
2.1SSD性能與功耗的關(guān)系
SSD性能和功耗基本上是線性的對應(yīng)關(guān)系,同一款SSD,更高的讀寫性能需要消耗更高的功耗。
PCIe 4.0企業(yè)級SSD性能和功耗示意圖
如圖,更大的功耗會(huì)帶來更高的性能,同時(shí)不同廠商的SSD在達(dá)到同樣的性能下所消耗的功耗不盡相同。這跟不同廠商的SSD使用不同的主控、不同的NAND等不同的硬件部件設(shè)計(jì)有關(guān)。具體來講,在連續(xù)寫(Seq 128K block size)高壓負(fù)載條件下,不同SSD的主控展現(xiàn)出不同的峰值功耗,其次NAND總功耗也不盡相同。
面對數(shù)據(jù)中心級市場,英韌科技于2022年推出了洞庭N1企業(yè)級SSD,是一款高性能低功耗PCIe 4.0 SSD產(chǎn)品,在連續(xù)寫高壓負(fù)載條件下SSD峰值總功耗僅為12W,究其原因,這跟英韌洞庭N1采用了自家企業(yè)級主控IG5636以及與NAND有關(guān)的設(shè)計(jì)方案有關(guān)。
2.2SSD單盤功耗分解
硬件上,SSD由主控、NAND、DRAM、PMIC及其他Passive器件組成,SSD在讀寫操作時(shí),這些器件分擔(dān)了SSD的功耗,分別消耗不同比例的功耗或電能,參考如下:
某款SSD單盤功耗分解(按部件)
4TB SSD | 主控 | NAND | DRAM | 其他 | |
Idle | 無負(fù)載 | 52% | 1% | 24% | 23% |
SR | 典型負(fù)載 | 41% | 42% | 3% | 14% |
SW | 重負(fù)載 | 21% | 62% | 8% | 9% |
由上表可以看出,在不同IO負(fù)載下,主控、NAND和DRAM成為了企業(yè)級SSD中的耗能三大金剛,合計(jì)功耗占比最高可達(dá)90%以上。其中主控功耗占比約20~50%,成為了功耗組件中的“狀元”或“榜眼”,于是優(yōu)化主控功耗設(shè)計(jì)及調(diào)整與主控有關(guān)的功耗方案設(shè)計(jì),成為大幅降低SSD整盤工作功耗的可行方案之一。
洞庭N1企業(yè)級SSD使用英韌科技12納米PCIe 4.0企業(yè)級SSD主控芯片RainierDC IG5636,主控于2020年量產(chǎn),并于同年獲得第十五屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。IG5636是國內(nèi)第一顆企業(yè)級PCIe 4.0 SSD控制器,前端支持4通道PCIe 4.0接口,后端支持8通道NAND閃存接口,并最早被國內(nèi)各大互聯(lián)網(wǎng)客戶采用和部署于數(shù)據(jù)中心中。其卓越的主控設(shè)計(jì),可確保單主控峰值功耗僅為3W,約為知名大廠的同類型企業(yè)級主控功耗的1/2,在主控層面大大降低了企業(yè)級SSD的工作功耗,總功耗上自然領(lǐng)先友商一步。而IG5636如何做到3W的峰值功耗呢?
優(yōu)化的功耗架構(gòu)設(shè)計(jì):針對企業(yè)級SSD主控設(shè)計(jì)難點(diǎn)之一的數(shù)據(jù)可靠性及完整性,英韌科技憑借容錯(cuò)率領(lǐng)先的糾錯(cuò)碼技術(shù),延長NAND閃存的壽命,降低系統(tǒng)的數(shù)據(jù)延遲,使4KB隨機(jī)數(shù)據(jù)讀性能可以提高2-3倍。同時(shí),主控解碼器可配置低功耗模式,并根據(jù)數(shù)據(jù)本身的錯(cuò)誤bit數(shù)量自動(dòng)切換至糾錯(cuò)能力更強(qiáng)的高性能模式,在更少的耗能下提高了產(chǎn)品的生命周期和數(shù)據(jù)保持時(shí)間。
增強(qiáng)的硬件IO加速處理可在同性能目標(biāo)的前提下最大化降低讀寫功耗。
控制器后端NAND 8通道設(shè)計(jì)(vs. 傳統(tǒng)企業(yè)級主控NAND 16通道),相比于16通道主控,后端8通道的控制器可以降低控制器本身大約30%左右的工作功耗,詳細(xì)參見下節(jié)介紹。
英韌科技IG5636主控參數(shù)
英韌科技IG5636 | |
接口 | PCIe 4.0x4 |
容量 | 最高16TB |
DRAM | 支持DDR3L/4, LPDDR3/4 |
NAND | 8通道,1200MT/s,ONFI 4.1或 Toggle 2.0/3.0/4.0接口 |
加密和數(shù)據(jù)保護(hù) | AES、國密標(biāo)準(zhǔn)SM2/3/4、SHA、RSA、ECC、CRC和端到端數(shù)據(jù)保護(hù)在內(nèi)的多種數(shù)據(jù)加密和保護(hù)機(jī)制 |
峰值功耗 | 3W |
PS4 | <2mW |
2.3SSD后端NAND 8通道 vs 16通道
PCIe 4.0x4和PCIe 5.0x4SSD前端最大帶寬分別是8GB/s及16GB/s,設(shè)計(jì)者為了使SSD達(dá)到最高性能,須根據(jù)當(dāng)前NAND提供的IO速度,來綜合考慮其后端采用的NAND通道數(shù)。如下圖,SSD后端NAND 16通道下,為了達(dá)到PCIe 4.0x4 SSD最高的8GB/s性能,最低NAND IO速度為600MT/s;為了達(dá)到PCIe 5.0x4 SSD最高的16GB/s性能,最低NAND IO速度為1200MT/s。如果SSD后端NAND通道數(shù)減少為8,為了達(dá)到PCIe 4.0x4 SSD最高的8GB/s性能,最低NAND IO速度為1200MT/s;為了達(dá)到PCIe 5.0x4 SSD最高的16GB/s性能,最低NAND IO速度為2400MT/s。
NAND通道和IO速度對應(yīng)圖
傳統(tǒng)的企業(yè)級SSD后端NAND通道為16通道,這可靈活適配和采用更多的低速NAND,來滿足企業(yè)級SSD前端最高性能的需要。
今天,NAND IO速度一路向前,從666MT/s、800MT/s……到最新的ONFI 5.0 2400MT/s,NAND IO在提速,給了SSD后端NAND 8通道條件下就可以滿足PCIe 4.0x4 8GB/s甚至PCIe 5.0x4 16GB/s SSD性能的機(jī)會(huì)。滿足最大性能的同時(shí),相比于16通道,后端8通道的控制器可以降低控制器本身大約30%左右的工作功耗;同時(shí),SSD在讀寫操作時(shí),8通道NAND讀寫并發(fā)數(shù)是16通道的二分之一,這二者大大的減少SSD在相應(yīng)負(fù)載下的整盤工作功耗。簡言之,基于后端NAND少一半通道數(shù)設(shè)計(jì)的企業(yè)級SSD,可以提供給客戶相同的性能,但更低的功耗。
洞庭N1企業(yè)級SSD后端NAND采用 8通道設(shè)計(jì),如前所述,只要NAND IO速度合適,NAND 8通道可以提供同NAND 16通道的PCIe 4.0 SSD相似的性能,但帶來更低的功耗表現(xiàn)。
3.英韌科技洞庭(Dongting) N1SSD能耗分析
3.1洞庭N1 SSD基本參數(shù)
3.2 洞庭N1 SSD能耗展現(xiàn)
以洞庭N1 7.68T SSD為例,在高壓力順序?qū)懾?fù)載下,洞庭N1輸出4.8GB/s順序?qū)懶阅埽膬H為12W,每瓦輸出寫性能為400MB/s;相比同類型SSD,4GB/s順序?qū)懶阅埽?3W的功耗,每瓦輸出寫性能僅為314MB/s, 洞庭N1能耗比是其1.27倍; 而在高壓力順序讀負(fù)載下,洞庭N1輸出6.7GB/s順序讀性能,功耗低至6.23W,每瓦輸出讀性能為1075MB/s,相比同類型SSD,6.56GB/s順序讀性能,功耗9.63W,每瓦輸出讀性能僅為682MB/s, 洞庭N1能耗比是其1.58倍。參考數(shù)據(jù)如下表:
洞庭N1 SSD vs 同類型SSD能耗比
洞庭N1 SSD高能耗比特性在服務(wù)器和系統(tǒng)端的實(shí)際表現(xiàn)如何呢?
以一臺(tái)典型的存儲(chǔ)服務(wù)器配置12盤NVMe 3.84T SSD為例,隨著IO負(fù)載增加,服務(wù)器功耗(除硬盤外)從200W增至400W。
無負(fù)載情況下,使用某國際廠商SSD產(chǎn)品,SSD總功耗62.4瓦,SSD功耗占整機(jī)功耗23.1%,使用英韌科技洞庭N1 NVMe SSD總功耗32.4瓦,SSD功耗占整機(jī)功耗13.50%,整機(jī)功耗降低30瓦,節(jié)能11.11%。在典型負(fù)載順序讀負(fù)載下,使用某國際廠商SSD產(chǎn)品,SSD總功耗131.64瓦,SSD功耗占整機(jī)功耗25.12%,使用英韌科技洞庭N1 NVMe SSD總功耗75.52瓦,SSD功耗占整機(jī)功耗16.14%,整機(jī)功耗降低56.12瓦,節(jié)能約10.71%。
洞庭N1 SSD整機(jī)功耗測試結(jié)果
總結(jié):對比同類SSD,洞庭N1從SSD部件端給服務(wù)器在不同IO負(fù)載下分別節(jié)省了5%~11%的電能,相信在國內(nèi)市場中,這樣的能耗比優(yōu)勢也具備強(qiáng)競爭力。而從數(shù)據(jù)中心來看,這將會(huì)極大降低OPEX(運(yùn)營成本),是一款不折不扣的高能低耗的企業(yè)級SSD產(chǎn)品。
4.英韌科技及其國產(chǎn)化企業(yè)級SSD產(chǎn)品系列
英韌科技成立于2017年,五年多來始終專注存儲(chǔ)領(lǐng)域,截至目前已量產(chǎn)了7顆主控芯片,據(jù)稱其PCIe 5.0主控也即將量產(chǎn),或?qū)⒊蔀榇箨懣刂破鲝S商中第一家量產(chǎn)自研PCIe 5.0控制器的公司。目前,業(yè)界不少主控廠商陸續(xù)進(jìn)入SSD研發(fā)的領(lǐng)域。主控芯片對固態(tài)硬盤的性能、使用壽命及可靠性有重要影響,掌握SSD硬盤的核心技術(shù)也是主控廠商入局的優(yōu)勢之一,英韌科技就是此類廠家。
在充分發(fā)揮自有主控技術(shù)優(yōu)勢的同時(shí),英韌利用其差異化、定制化的特點(diǎn),為多家大型互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)、云廠商提供包括QLC閃存顆粒適配、ZNS(Zoned Namespace,分區(qū)命名空間)技術(shù)應(yīng)用、CDN性能保障在內(nèi)的多種高端企業(yè)級SSD及專用化SSD定制方案。
英韌科技的PCIe 4.0企業(yè)級固態(tài)硬盤包括標(biāo)準(zhǔn)NVMe SSD洞庭(Dongting)系列和云存儲(chǔ)專用的ZNS SSD東湖(Donghu)系列,均采用英韌科技自研主控芯片IG5636,最高支持16 TB存儲(chǔ)容量,支持PCIe 4.0x4接口和NVMe 1.4標(biāo)準(zhǔn),各項(xiàng)性能指標(biāo)比肩國際品牌,已被多家互聯(lián)網(wǎng)頭部及行業(yè)企業(yè)采用。
其中,NVMe SSD洞庭(Dongting)系列主要適用于各類數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)對存儲(chǔ)設(shè)備日新月異的加速需求,快速TRIM算法有效降低運(yùn)行時(shí)后臺(tái)負(fù)載,降低寫放大,降低延遲和提升壽命,提供出眾而穩(wěn)定的性能,端到端的數(shù)據(jù)保護(hù),完善的企業(yè)級特性,可以滿足云服務(wù)、數(shù)據(jù)中心各類應(yīng)用的存儲(chǔ)加速需求。
今年,企業(yè)級PCIe 5.0 SSD時(shí)代已來,英韌科技布局未來,于2022年發(fā)布了針對數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的PCIe 5.0 SSD主控芯片Tacoma(IG5669),其順序讀取可達(dá)14GB/s,順序?qū)懭肟蛇_(dá)12GB/s。
Tacoma(IG5669)采用多核RISC-V架構(gòu)和全新LDPC糾錯(cuò)碼。基于對新一代開源CPU架構(gòu)和各類開源軟件工具的充分挖掘,Tacoma(IG5669)在實(shí)現(xiàn)高性能的同時(shí),也保障了IP供應(yīng)的安全;對于閃存顆粒壽命有限的問題,英韌科技自研的第三代ECC糾錯(cuò)引擎把出錯(cuò)率降低了兩個(gè)數(shù)量級以上,而且對于內(nèi)存空間有充足的ECC保護(hù),全方位提升了產(chǎn)品的可靠性和安全性。
5. 總結(jié)
最后,在未來數(shù)據(jù)中心響應(yīng)綠色能源和國家“雙碳”戰(zhàn)略背景下,作為存儲(chǔ)部件,洞庭N1企業(yè)級SSD 憑借后端NAND 8通道設(shè)計(jì)和極致優(yōu)化的主控功耗設(shè)計(jì)方案,打造出了高性能低功耗國產(chǎn)企業(yè)級SSD標(biāo)桿產(chǎn)品,給出了企業(yè)級SSD高性能低功耗解決之道,將受到越來越多數(shù)據(jù)中心用戶的歡迎和采用。
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