系列(二)主要講述了T/R模塊的基本架構及T/R設計需要具備的知識儲備。

1‘射頻T/R模塊’的組成及架構

射頻T/R模塊‘主要由三部分組成：發射通道、接收通道、公共通道。

射頻T/R模塊通常有兩種典型架構：

a)架構一

b)架構二

從圖上看這兩種基本架構具體有哪些區別呢？

那究竟什么是ED工藝呢，該所(呵呵，為了避免廣告嫌疑，芯片界的國家隊，做的不錯，業內人士應該都清楚)宣講時偶爾會提到，第一次聽說時感覺很(一)有(頭)意(霧)思(水)，于是垂詢度娘，無果，后來看到國外某公司介紹時才有所了解。

ED02AH 60 GHz ft 180 nm 是一種增強耗盡型工藝，其將增強型和耗盡型晶體管合并在一個工藝中，可將低電流、豐富的數字電路與常用的射頻電路集成在同一個芯片上。對比于D01GH_100nm(GaN)、D006GH_60nm(GaN)，DH05IB_0.5nm(D-HBT)，D007IH_70nm而言。低噪放、功放、多功能芯片、開關、ADC/DAC分別采用不同的工藝。

2‘射頻T/R模塊’？

童鞋們有沒有注意到，‘系列專題講座(一)’里面一直在講述T/R模塊(或T/R組件)，這節我們卻在講述‘射頻T/R模塊(或T/R組件)’，這兩者之間有什么區別？

其實，T/R組件有多種類型，它的發射支路輸入端的輸入信號可以工作在中頻或視頻，其接收之路輸出端的接收信號也可以工作在中頻或視頻。按T/R組件發射支路輸入端及接收支路輸出端信號的工作頻率，大體可以分為射頻T/R組件、中頻T/R組件、數字T/R組件。

1)現有有源相控陣雷達每一個天線單元中，目前均有一射頻T/R組件；

2)數字T/R屬于技術前沿，是固態有源相控陣未來發展趨勢。數字T/R組件具有多種優勢和應用潛力，但受限于研制成本，目前多限制在試驗床或驗證樣機上，尚未大范圍工程化應用。

因此，本系列主要論述是射頻T/R組件的設計。

3T/R設計需要掌握哪些東東？

T/R組件設計需要具備以下基礎知識：

元器件基礎：

耦合器、電橋、功分器、濾波器、均衡器、微波開關、微波限幅器、微波數控衰減器、微波數控移相器、微波低噪聲放大器、微波功率放大器、混頻器等。

工藝基礎：

芯片和基片的貼裝工藝、互聯工藝、封裝工藝；輔助工藝包括真空焙烤工藝、清洗工藝、涂覆工藝、測試工藝；包括的具體工藝環節有環氧貼裝、再流焊、共晶焊、引線鍵和、倒裝焊、釬焊等。

設計理論：

1.電路理論(從‘路’的角度設計)；

2.電磁場理論(從場的角度分析)。

審核編輯：湯梓紅