MCU中的HSIOSC和LSI時(shí)鐘信號是通過內(nèi)部RC振蕩器產(chǎn)生的,該時(shí)鐘信號可能會受到外界因素比如溫度等的影響,使其頻率在一定范圍內(nèi)產(chǎn)生誤差。CW32L083可以通過AUTOTRIM的時(shí)鐘校準(zhǔn)定時(shí)器模式來對LSI和HSIOSC進(jìn)行自動實(shí)時(shí)時(shí)鐘校準(zhǔn),獲得精度更高的時(shí)鐘信號。
HSIOSC時(shí)鐘校準(zhǔn)模式
設(shè)置 AUTOTRIM_CR.MD 為 0x00,使定時(shí)器工作于 HSIOSC 校準(zhǔn)模式。該模式支持自動實(shí)時(shí)校準(zhǔn)HSIOSC的輸出頻率,使 HSIOSC 輸出頻率的精度不再受環(huán)境變化影響。
HSIOSC 時(shí)鐘校準(zhǔn),需要向定時(shí)器提供一個(gè)精準(zhǔn)的低頻參考時(shí)鐘,其來源可以是 LSE 或外部 ETR 引腳輸入的低速精準(zhǔn)時(shí)鐘信號,通過控制寄存器 AUTOTRIM_CR 的 SRC 位域進(jìn)行選擇。
HSIOSC 校準(zhǔn)模式的功能框圖如下圖所示:
設(shè)置 AUTOTRIM_CR.AUTO 為 1 使能自動校準(zhǔn),設(shè)置 AUTOTRIM_CR.EN 為1 使能定時(shí)器,開始自動校準(zhǔn)流程。自動校準(zhǔn)開始工作后,計(jì)數(shù)值寄存器AUTOTRIM_CNT 在每個(gè) GCLK 時(shí)鐘周期內(nèi)對 HSIOSC 時(shí)鐘 TCLK 從重載值 ARR 開始遞減計(jì)數(shù),計(jì)數(shù)到 0 后開始遞增計(jì)數(shù)。當(dāng)計(jì)數(shù)器已運(yùn)行 1.5 倍 ARR 周期,計(jì)數(shù)器停止運(yùn)行,同時(shí) AUTOTRIM_ISR.MISS 標(biāo)志位被硬件置 1,表示計(jì)數(shù)失敗。每當(dāng) GCLK 時(shí)鐘上升沿到達(dá)時(shí),計(jì)數(shù)器重新開始從 ARR 遞減計(jì)數(shù)。
如果 GCLK 時(shí)鐘周期內(nèi),計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值大于誤差允許值 AUTOTRIM_FLIM,寄存器TrimCode 會自動調(diào)整,直到計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值小于誤差允許值 AUTOTRIM_FLIM,同時(shí) AUTOTRIM_ISR.OK 標(biāo)志位會被硬件置 1,表示校準(zhǔn)精度已達(dá)標(biāo),此時(shí)可讀取 TrimCode 寄存器并寫入 SYSCTRL_HSI.TRIM,以校準(zhǔn) HSIOSC 時(shí)鐘頻率。
TrimCode 寄存器最大可調(diào)整為 0x1FF,故 TrimCode 值寫入 SYSCTRL_HSI.TRIM 時(shí),需根據(jù) TRIM 位域的初始校 準(zhǔn)值寫入最高 2bit。代碼示例如下:
CW_SYSCTRL->HSI = (CW_SYSCTRL->HSI 0xFE00) | CW_AUTOTRIM->TVAL;
誤差允許值 FLIM 在設(shè)置重載值 ARR 時(shí)自動配置,校準(zhǔn)精度為 0.4%,用戶不可寫入。重載寄存器 AUTOTRIM_ARR 設(shè)置公式如下:
ARR = TCLK×2PRS/RCLK-1
其中,RCLK 為參考時(shí)鐘源,PRS 為預(yù)分頻系數(shù),TCLK 為計(jì)數(shù)時(shí)鐘源 HSIOSC 時(shí)鐘,這一部分是需要我們?nèi)ヅ渲玫摹?/p>
例:當(dāng)參考時(shí)鐘源 RCLK 為 LSE(時(shí)鐘頻率為 32768Hz),預(yù)分頻系數(shù) PRS 為 0x1 時(shí),校準(zhǔn) HSIOSC 時(shí)鐘頻率為 48MHz,計(jì)算
ARR = 48000000×21 /32768-1 = 2928.6875
最接近的整數(shù)是:2929(0xB71)
即需要設(shè)置 AUTOTRIM_ARR 為 0xB71。
HSIOSC時(shí)鐘校準(zhǔn)編程示例
通過上節(jié)的模式設(shè)置介紹我們可以根據(jù)其配置AUTOTRIM的HSIOSC的實(shí)時(shí)時(shí)鐘校準(zhǔn)模式,HSIOSC 時(shí)鐘校準(zhǔn)流程如下,當(dāng)選擇參考時(shí)鐘源為 LSE 時(shí),步驟 1 和步驟 2 不需要執(zhí)行:
步驟 1:設(shè)置外設(shè)時(shí)鐘使能控制寄存器 SYSCTRL_AHBEN 的相關(guān)位為 1,使能AUTOTRIM_ETR 對應(yīng) GPIO 端口的配置時(shí)鐘及工作時(shí)鐘;
步驟 2:設(shè)置 GPIO 復(fù)用功能寄存器 GPIOx_AFRH 和 GPIOx_AFRL 的相關(guān)位,配置對應(yīng)引腳為 AUTOTRIM 定時(shí)器的 AUTOTRIM_ETR 功能;
步驟 3:設(shè)置外設(shè)時(shí)鐘使能控制寄存器 SYSCTRL_APBEN2.AUTOTRIM 為 1,打開 AUTOTRIM 模塊的配置時(shí)鐘;
步驟 4:設(shè)置 AUTOTRIM_CR.MD 為 0x00,使定時(shí)器工作于 HSIOSC 時(shí)鐘校準(zhǔn)模式;
步驟 5:配置控制寄存器 AUTOTRIM_CR.OST,選擇實(shí)時(shí)校準(zhǔn)模式或單次校準(zhǔn)模式;
步驟 6:配置控制寄存器 AUTOTRIM_CR.SRC,選擇 AUTOTRIM 參考時(shí)鐘源為LSE;
步驟 7:配置控制寄存器 AUTOTRIM_CR.PRS,選擇 AUTOTRIM 參考時(shí)鐘分頻系數(shù);
步驟 8:根據(jù)上節(jié)HSIOSC時(shí)鐘校準(zhǔn)模式ARR 配置公式,設(shè)置重載值寄存器 AUTOTRIM_ARR,自動配置 校準(zhǔn)精度為 0.4%;
步驟 9:設(shè)置 AUTOTRIM_CR.AUTO 為 1,使能自動校準(zhǔn);
步驟 10:設(shè)置 AUTOTRIM_CR.EN 為 1,使能定時(shí)器,開始自動校準(zhǔn);
步驟 11:查詢等待 AUTOTRIM_ISR.END 和 AUTOTRIM_ISR.OK 標(biāo)志位置 1,自動校準(zhǔn)完成且精度達(dá)標(biāo);
步驟 12:讀取 TrimCode 寄存器,并將 TrimCode 值寫入 SYSCTRL_HSI.TRIM。
代碼示例:
CW_SYSCTRL->HSI = (CW_SYSCTRL->HSI 0xFE00) | CW_AUTOTRIM->TVAL;
具體的寄存器配置可以參考CW32L083用戶手冊的時(shí)鐘校準(zhǔn)定時(shí)器(AUTOTRIM)章節(jié)。在上述的一系列校準(zhǔn)步驟配置完之后,我們就可以通過示波器或者萬用表來讀取開發(fā)板的HSIOSC的頻率輸出,會發(fā)現(xiàn)在不同的溫度影響下,MCU會自動校準(zhǔn)HSIOSC的時(shí)鐘頻率。通過對比會發(fā)現(xiàn),用AUTOTRIM自動校準(zhǔn)模式之后的HSIOSC會比沒有用AUTOTRIM的HSIOSC的精度更高,誤差更小。
LSI時(shí)鐘校準(zhǔn)
設(shè)置 AUTOTRIM_CR.MD 為 0x01,使定時(shí)器工作于 LSI 校準(zhǔn)模式。該模式支持自動實(shí)時(shí)校準(zhǔn) LSI 的輸出頻率,使 LSI 輸出頻率的精度不再受環(huán)境變化影響。
LSI 時(shí)鐘校準(zhǔn),需要向定時(shí)器提供一個(gè)精準(zhǔn)的高頻計(jì)數(shù)時(shí)鐘,其來源可以是 HSE 或外部 ETR 引腳輸入的高速精準(zhǔn)時(shí)鐘信號,通過控制寄存器 AUTOTRIM_CR 的 SRC 位域進(jìn)行選擇。
LSI校準(zhǔn)模式的功能框圖如下圖所示:
設(shè)置 AUTOTRIM_CR.AUTO 為 1 使能自動校準(zhǔn),設(shè)置 AUTOTRIM_CR.EN 為 1 使能定時(shí)器,開始自動校準(zhǔn)流程。
自動校準(zhǔn)開始工作后,計(jì)數(shù)值寄存器 AUTOTRIM_CNT 在每個(gè) GCLK 時(shí)鐘周期內(nèi)對計(jì)數(shù)時(shí)鐘 TCLK 從重載值 ARR 開始遞減計(jì)數(shù),計(jì)數(shù)到0后開始遞增計(jì)數(shù)。當(dāng)計(jì)數(shù)器已運(yùn)行1.5倍ARR 周期,計(jì)數(shù)器停止運(yùn)行,同時(shí) AUTOTRIM_ISR.MISS 標(biāo)志位被硬件置1,表示計(jì)數(shù)失敗。每當(dāng) GCLK 時(shí)鐘上升沿到達(dá)時(shí),計(jì)數(shù)器重新開始從 ARR 遞減計(jì)數(shù)。
如果 GCLK 時(shí)鐘周期內(nèi),計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值大于誤差允許值 AUTOTRIM_FLIM,則寄存器TrimCode會自動調(diào)整,直到計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值小于誤差允許值 AUTOTRIM_FLIM,同時(shí) AUTOTRIM_ISR.OK 標(biāo)志位會被硬件置 1,表示校準(zhǔn)精度 已達(dá)標(biāo),此時(shí)可讀取 TrimCode 寄存器并寫入 SYSCTRL_LSI.TRIM,以校準(zhǔn) LSI 時(shí)鐘頻率。具體的代碼配置可以參考下節(jié)的步驟12的代碼示例。
TrimCode 寄存器最大可調(diào)整為0x1FF,故 TrimCode 值寫入 SYSCTRL_LSI.TRIM 時(shí),需根據(jù) TRIM 位域的初始校 準(zhǔn)值寫入最高 1bit。
代碼示例如下:
CW_SYSCTRL->LSI = (CW_SYSCTRL->LSI 0xFE00) | CW_AUTOTRIM->TVAL;
誤差允許值 FLIM 在設(shè)置重載值 ARR 時(shí)自動配置,校準(zhǔn)精度為 0.4%,用戶不可寫入。重載寄存器 AUTOTRIM_ARR 設(shè)置公式如下:
ARR = TCLK×2PRS/RCLK-1
其中,RCLK 為 LSI 時(shí)鐘,PRS 為預(yù)分頻系數(shù),TCLK 為計(jì)數(shù)時(shí)鐘源。
例:當(dāng)計(jì)數(shù)時(shí)鐘源 TCLK 為 HSE(時(shí)鐘頻率為 16MHz),預(yù)分頻系數(shù) PRS 為 0x1 時(shí),校準(zhǔn) LSI 時(shí)鐘頻率為 32kHz,計(jì)算
ARR = 16000000×21 /32000-1 = 999
即需要設(shè)置 AUTOTRIM_ARR 為 0x3E7。
LSI時(shí)鐘校準(zhǔn)編程示例
通過上節(jié)的模式設(shè)置介紹我們可以根據(jù)其配置AUTOTRIM的LSI的實(shí)時(shí)時(shí)鐘校準(zhǔn)模式,LSI 時(shí)鐘校準(zhǔn)流程如下,當(dāng)選擇計(jì)數(shù)時(shí)鐘源為 HSE 時(shí),步驟 1 和步驟 2 不需要執(zhí)行:
步驟 1:設(shè)置外設(shè)時(shí)鐘使能控制寄存器 SYSCTRL_AHBEN 的相關(guān)位為 1,使能 AUTOTRIM_ETR 對應(yīng) GPIO 端口的 配置時(shí)鐘及工作時(shí)鐘;
步驟 2:設(shè)置 GPIO 復(fù)用功能寄存器 GPIOx_AFRH 和 GPIOx_AFRL 的相關(guān)位,配置對應(yīng)引腳為 AUTOTRIM 定時(shí)器 的 AUTOTRIM_ETR 功能;
步驟 3:設(shè)置外設(shè)時(shí)鐘使能控制寄存器 SYSCTRL_APBEN2.AUTOTRIM 為 1,打開 AUTOTRIM 模塊的配置時(shí)鐘;
步驟 4:設(shè)置 AUTOTRIM_CR.MD 為 0x01,使定時(shí)器工作于 LSI 時(shí)鐘校準(zhǔn)模式;
步驟 5:配置控制寄存器 AUTOTRIM_CR.OST,選擇實(shí)時(shí)校準(zhǔn)模式或單次校準(zhǔn)模式;
步驟 6:配置控制寄存器 AUTOTRIM_CR.SRC,選擇 AUTOTRIM 計(jì)數(shù)時(shí)鐘源HSE;
步驟 7:配置控制寄存器 AUTOTRIM_CR.PRS,選擇 AUTOTRIM 參考時(shí)鐘分頻系數(shù);
步驟 8:根據(jù) 11.3.3 LSI 時(shí)鐘校準(zhǔn)小節(jié) ARR 配置公式,設(shè)置重載值寄存器 AUTOTRIM_ARR,自動配置校準(zhǔn)精度 為 0.4%;
步驟 9:設(shè)置 AUTOTRIM_CR.AUTO 為 1,使能自動校準(zhǔn);
步驟 10:設(shè)置 AUTOTRIM_CR.EN 為 1,使能定時(shí)器,開始自動校準(zhǔn);
步驟 11:查詢等待 AUTOTRIM_ISR.END 和 AUTOTRIM_ISR.OK 標(biāo)志位置 1,自動校準(zhǔn)完成且精度達(dá)標(biāo);
步驟 12:讀取 TrimCode 寄存器,并將 TrimCode 值寫入 SYSCTRL_LSI.TRIM。
代碼示例:
CW_SYSCTRL->LSI = (CW_SYSCTRL->LSI 0xFE00) | CW_AUTOTRIM->TVAL
來源:武漢芯源半導(dǎo)體
審核編輯:湯梓紅
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